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[发明专利]机器人输送装置-CN201680065918.1有效
发明人：重田贵司;河合俊宏;竹內晴纪;须田佳雅;五味久;尾崎成则 -专利权人：昕芙旎雅有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：使整个输送空间的气体循环。机器人输送装置(1)具有：供输送机器人(20)配置的输送空间(10)；以及多个循环流路(30)，其用于使输送空间(10)内的气体循环。在输送空间(10)的周边配置有成为由输送机器人(20)输送的输送物的输送目的地的多个周边空间(50)。输送空间(10)经由多个开口(15)与多个周边空间(50)分别连通。多个循环流路(30)以避开包括多个开口(15)在内的输送机器人(20)的作业区域(20R)的方式设置于隔着输送空间(10)的位置。多个循环流路(30)设置于形成输送空间(10)的柱构件(10P1～10P10)的内部。
机器人输送装置

[发明专利]细胞的分化状态的评价方法-CN201680063085.5有效
发明人：铃木崇;平丸大介;高桥雅俊;富田健太郎;畑林邦忠;加川健一;尾崎成则 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C12Q1/02 文献下载
摘要：本发明是一种细胞分化状态的评价方法，将分化状态未知的干细胞或由干细胞进行了分化诱导的细胞作为被检细胞，基于该被检细胞的培养上清中的指示物质的存在量来评价该被检细胞的分化状态。所述指示物质是选自由鸟氨酸、2‑氨基己二酸、脱氧胞苷、谷氨酸、色氨酸、天冬酰胺、丙氨酸、胱氨酸、次黄嘌呤、尿苷、天冬氨酸、精氨酸、2‑羟基丁酸、2‑羟基异戊酸、3‑羟基异戊酸、尿素、4‑羟基苯甲酸、4‑氨基苯甲酸、核糖酸、犬尿素、胱硫醚、苏糖酸、丙酮酸、腐胺、抗坏血酸、核黄素、丝氨酸、半胱氨酸、乳清酸和柠檬酸组成的组中的至少一种化合物。本发明的一个方式中，基于两种以上指示物质的存在量来进行分化状态的评价。
细胞分化状态评价方法

[发明专利]细胞保持容器及使用该细胞保持容器的细胞培养方法-CN201680040018.1在审
发明人：生方优也;高野努;加川健一;尾崎成则;依田祐介;仓员智瑛 -专利权人：株式会社朝日橡胶
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种细胞保持容器，上述细胞保持容器在由能保持细胞的橡胶材料形成的弹性体上能够进行细胞团块的形成和培养，能在不造成损害的情况下维持细胞的未分化状态，同时进行高效、均匀的传代培养，能够实现选择性的细胞的除去和回收，加工性高、识别性优良，能从外侧进行细胞状态的观察和检查。细胞保持容器(1)具有保持细胞的弹性体(20)，上述细胞包括选自干细胞、前体细胞、体细胞和生殖细胞的粘附细胞、及选自血球系细胞、T细胞和B细胞的浮游细胞中的至少任一种，上述弹性体(20)由橡胶材料形成，上述橡胶材料包含含有加成交联型硅橡胶的橡胶成分，且能够保持上述细胞。
细胞保持容器使用细胞培养方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201210155103.6有效
发明人：加藤寿;牛窪繁博;田村辰也;尾崎成则;熊谷武司;菊地宏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体，使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应，在基板上形成反应生成物；向等离子体产生部供给含氢气体，在旋转台的上方生成等离子体，该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210147817.2有效
发明人：加藤寿;菱谷克幸;菊地宏之;牛窪繁博;尾崎成则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向在上述旋转台的周向上隔着分离区域与第一区域分开的第二区域供给第二处理气体；等离子体产生气体供给部，向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，其与上述旋转台的上述一个表面相对，利用电感耦合使上述等离子体产生用气体在等离子体空间内产生等离子体；法拉第屏蔽件，其接地，设在上述天线与上述等离子体空间之间，具有在与上述天线正交的方向上排列的多个狭缝。
装置方法

[发明专利]等离子处理装置以及微波导入装置-CN201210093675.6有效
发明人：藤野丰;植田笃;尾崎成则;北川淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置，用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。多个微波透过板(73)在嵌合于顶部(11)的多个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的一个假想的平面上。多个微波透过板(73)包括微波透过板(73A～73G)。设定为微波透过板(73G、73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G、73B)的中心点(PG、PB)间距离相互相等或者几乎相等。
等离子处理装置以及微波导入

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110249999.X有效
发明人： 尾崎成则;加藤寿;熊谷武司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法通过使旋转台旋转，多次进行由使用含Si气体和O3气体在晶圆(W)上形成反应生成物的成膜步骤、利用等离子体对上述反应生成物进行改性的改性步骤构成的成膜-改性处理，并且在薄膜的形成途中对等离子体的强度进行变更。具体而言，在反应生成物的层叠膜厚较薄时(开始成膜-改性处理的初期)，使等离子体的强度较小，并且反应生成物的层叠膜厚越增加(成膜步骤的次数越增加)，越使向晶圆(W)供给的等离子体的强度逐步增大。或者，在反应生成物的膜厚较薄时，使等离子体的强度增加，然后减弱。
装置方法

[发明专利]等离子体氮化处理方法-CN201110075945.6无效
发明人：松山征嗣;中西敏雄;尾崎成则;足立光;高槻浩一;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-02 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。
等离子体氮化处理方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200810213981.2无效
发明人：中西敏雄;西田辰夫;尾崎成则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，当氮化处理基板表面时，在等离子体产生部和基板之间配置具有开口部的隔板，将基板表面的气体流速控制为1e-2(m·sec^-1)～1e+1(m·sec^-1)，并将基板表面的等离子体的电子密度控制为1e+7(个·cm^-3)～1e+9(个·cm^-3)。根据本发明，有效地抑制了基板和氮化膜的劣化。
等离子体处理装置方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200580033312.1无效
发明人：北川淳一;尾崎成则;寺本章伸;大见忠弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01％的NO气体。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]等离子体处理方法和计算机存储介质-CN200580006865.8无效
发明人：松山征嗣;中西敏雄;尾崎成则;足立光;高槻浩一;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。
等离子体处理方法计算机存储介质

[发明专利]半导体基板导电层表面的净化方法-CN200480035836.X无效
发明人：佐佐木胜;井出真司;尾崎成则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。
半导体导电表面净化方法

[发明专利]基板处理方法-CN200480005496.6无效
发明人：中西敏雄;尾崎成则;佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-02-20 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，由下述过程构成，即，将硅基板表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体中的第一处理过程；以及在所述第一处理过程之后，通过等离子体处理，对所述硅基板表面进行氧化处理、氮化处理以及氮氧化处理的任一处理的第二处理过程，其中，在第一处理过程中，除去残留在基板表面的有机物。
处理方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200380103808.2无效
发明人：中西敏雄;西田辰夫;尾崎成则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明，当氮化处理硅基板表面时，在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板，控制为硅基板表面的电子密度是1e+7(个·cm^－3)～1e+9(个·cm^－3)。根据本发明，有效地抑制了硅基板和氮化膜的劣化。
等离子体处理装置方法

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