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[发明专利]干膜抗蚀剂层压体-CN201911144334.5在审
发明人：朱霞月;李伟杰;周光大 -专利权人：浙江福斯特新材料研究院有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： G03F7/095 文献下载
摘要：本发明提供了一种干膜抗蚀剂层压体。该干膜抗蚀剂层压体包括支撑层、第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层，第一抗蚀剂层涂覆于支撑层的一侧表面上；第二抗蚀剂层涂覆于第一抗蚀剂层的远离支撑层的一侧表面上；其中，第二抗蚀剂层的曝光速度大于第一抗蚀剂层的曝光速度将一个干膜抗蚀体分成两层叠加，吸收同一种光源同时进行不同速度的曝光，可以解决干膜厚度比较大特别是超过50um以后，抗蚀剂底部光固化弱易出现的曝光不良现象问题。因此，该干膜抗蚀剂层压体在印刷电路板、引线框架、金属精密加工、半导体封装、IC载板制作等领域中作为蚀刻或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，能够得到侧边形貌优良，菱角分明清晰的图案。
干膜抗蚀剂层压

[发明专利]干膜光致抗蚀剂及其制备方法-CN200810220127.9有效
发明人：李兆辉 -专利权人：番禺南沙殷田化工有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：印刷电路板加工用的干膜光致抗蚀剂及其制备方法，该干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。光致抗蚀剂膜为干膜光致抗蚀剂的主体，其制备方法为将感光胶涂布到聚酯薄膜上而成，搅拌加热制成。感光胶的制备方法为将成膜剂、粘结剂、光引发剂、热阻聚剂、色料等加入溶剂中，并在上述组合物中加入二咪唑类化合物。通过测试表明用该方法制备的干膜光致抗蚀剂相对原有方法制备的干膜光致抗蚀剂具有良好的光谱范围，并降低了感光度，从而减少了曝光时间和能源消耗，能有效的提高良品率并降低生产成本。
干膜光致抗蚀剂及其制备方法

[发明专利]正型干膜抗蚀剂及蚀刻方法-CN201980082011.X在审
发明人：入泽宗利;中村优子;梶谷邦人 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在将正型干膜抗蚀剂贴附于基材后，能够容易地将(a)支撑体膜和(b)剥离层从(c)正型感光性抗蚀剂层与(b)剥离层的界面剥离，另外，在将正型干膜抗蚀剂切割或分切时不易发生破裂的正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，通过正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，解决了上述课题，所述正型干膜抗蚀剂的特征在于，至少依次层叠有(a)支撑体膜、(b)剥离层和(c)正型感光性抗蚀剂层，(b)剥离层包含聚乙烯醇，并且(c)正型感光性抗蚀剂层包含酚醛树脂和醌二叠氮磺酸酯作为主成分。
正型干膜抗蚀剂蚀刻方法

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN202111230313.2在审
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN201610919906.2有效
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]应用了抗蚀剂下层膜的图案形成方法-CN201480046626.4有效
发明人：大桥智也;木村茂雄;臼井友辉;绪方裕斗 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种使用了对碱性过氧化氢水溶液具有耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种图案形成方法，其包括下述工序：第1工序，在表面可以形成无机膜的半导体基板上，涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含重均分子量1000～100000的具有环氧基的聚合物和溶剂；第2工序，在上述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案；第3工序，将上述抗蚀剂图案作为掩模对上述抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，使上述无机膜或上述半导体基板的表面露出；以及第4工序，将干蚀刻后的上述抗蚀剂下层膜作为掩模，使用碱性过氧化氢水溶液对上述无机膜或上述半导体基板进行湿蚀刻。
应用抗蚀剂下层图案形成方法

[发明专利]抗蚀剂剥离液-CN201610810602.2有效
发明人：渊上真一郎;铃木靖纪;有富礼子;児玉明里;五十岚轨雄;坂田俊彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：经干蚀刻而变质的抗蚀膜牢固地附着在涂布面上，并且利用将铜膜上的抗蚀膜剥离的抗蚀剂剥离液不能完全剥离。另一方面，剥离力强的铝膜用的剥离液腐蚀铜膜。期望一种抗蚀剂剥离液，其能够剥离因等离子体而变质的抗蚀膜，并且无论基底是铜膜还是铝膜，实质上都不腐蚀。一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，含有链烷醇叔胺、极性溶剂、水、仲胺以及糖醇，所述抗蚀剂剥离液能够剥离因干蚀刻而变质的抗蚀膜，并且无论基底是铜膜还是铝膜，实质上都不腐蚀。
抗蚀剂剥离

[发明专利]抗蚀剂剥离液-CN201480059453.X有效
发明人：渊上真一郎;铃木靖纪;有富礼子;児玉明里;五十岚轨雄;坂田俊彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：经干蚀刻而变质的抗蚀膜牢固地附着在涂布面上，并且利用将铜膜上的抗蚀膜剥离的抗蚀剂剥离液不能完全剥离。另一方面，剥离力强的铝膜用的剥离液腐蚀铜膜。期望一种抗蚀剂剥离液，其能够剥离因等离子体而变质的抗蚀膜，并且无论基底是铜膜还是铝膜，实质上都不腐蚀。一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，含有链烷醇叔胺、极性溶剂、水、环式胺以及糖醇，所述抗蚀剂剥离液能够剥离因干蚀刻而变质的抗蚀膜，并且无论基底是铜膜还是铝膜，实质上都不腐蚀。
抗蚀剂剥离

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用-CN202111463400.2在审
发明人：韩传龙;李伟杰;张浙南;朱薛妍;陈涛;黄磊 -专利权人：杭州福斯特电子材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用，所述干膜抗蚀剂层压体包括支撑膜、保护膜以及设于支撑膜与保护膜之间的抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜由感光性树脂组合物涂布在所述支撑膜表面经干燥后形成，且所述支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度为3.0‑17.0 N/m，支撑膜达因值为35‑45 mN/m。本发明通过控制抗蚀剂膜中的溶剂残存量以及支撑膜达因值，从而控制支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度，使得最终得到的干膜抗蚀剂层压体中的支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度适中，能够保证在贴膜过程中支撑膜和抗蚀剂膜无剥离，显影过程中支撑膜与抗蚀剂膜易剥离的特点
一种干膜抗蚀剂层压及其制备方法应用

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体-CN201510050337.8有效
发明人：李志强;李伟杰;严晓慧;周光大;林建华 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。
一种干膜抗蚀剂层压

[发明专利]光掩模坯、光掩模的制造方法和掩模图案形成方法-CN201680013518.6有效
发明人：入江重夫;吉井崇;增永惠一;稻月判臣;金子英雄;樱田丰久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si‑Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。
光掩模坯光掩模制造方法图案形成

[发明专利]干膜抗蚀剂-CN200610082639.4无效
发明人：有久慎司;冈田祐二 -专利权人：旭化成电子材料元件株式会社
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种干膜抗蚀剂，其作为抗蚀阻剂或抗镀敷剂等的抗蚀剂材料，具有特别的高解像性和高粘结性以及抗蚀剂剥离性，而且还具有在显影液中分散稳定性优异的特性。本发明通过提供下述干膜抗蚀剂而解决了上述问题，即，一种干膜抗蚀剂，是在支持体上层叠含有下述物质的光聚合性树脂组合物而成的干膜抗蚀剂，所述物质为，(A)30～80质量％的含羧基粘合剂、(B)15～60质量％的可以进行光聚合的单体、(C)0.01～20质量％的光聚合引发剂，该干膜抗蚀剂的特征在于，(A)含羧基粘合剂和(B)可以进行光聚合的单体具有特定的结构。
干膜抗蚀剂

[发明专利]干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法-CN201410259171.6在审
发明人：曹恩仁;吴龙洙;李秀兴;孙命赞;池营植;李胎坤;李庚相;郑世桓;金柄郁;尹锡壹;郑宗铉;许舜范;黄钟源 -专利权人：三星电机株式会社;株式会社东进世美肯
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法。本发明的干膜抗蚀剂剥离剂组合物以规定的混合比含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水(H₂O)，能够完全除去干膜抗蚀剂，同时能够防止金属层的腐蚀，且具有剥离剂可再使用的优点
干膜抗蚀剂剥离组合以及使用除去方法

[发明专利]抗蚀剂组合物和干膜-CN201610125297.3有效
发明人：西尾一则;宫泽俊春 -专利权人：太阳油墨制造株式会社
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供抗蚀剂组合物和干膜。提供能够形成耐氢氟酸性优异的抗蚀膜的抗蚀剂组合物和具有由该组合物得到的树脂层的干膜。一种抗蚀剂组合物，其特征在于，其包含具有联苯结构的碱溶性树脂；以及，一种干膜，其具有由该组合物得到的树脂层。
抗蚀剂组合

[发明专利]器件及器件的制造方法以及矩阵型超声波探头的制造方法-CN201780048021.2有效
发明人：铃木大地;不破耕;前平谦;大桥靖知;藤田胜博;芳贺洋一;松永忠雄 -专利权人：株式会社爱发科;国立大学法人东北大学
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： A61B8/14 文献下载
摘要：本发明的超声波探头(AP)具有的结构包括：第一干膜抗蚀剂(22)，其具有开设成矩阵状的多个第一开口(22a)，在使压电元件(21)紧密贴合在各第一开口的周边部并部分露出的状态下，分别对压电元件(21)进行支撑；第二干膜抗蚀剂(23)，其层压在第一干膜抗蚀剂上并具有分别围绕各功能元件的第二开口(23a)，且与压电元件厚度相同；以及第三干膜抗蚀剂(24)，其层压在第二干膜抗蚀剂上并具有第三开口(24a)，在使压电元件紧密贴合在该第三开口的周边部并部分露出状态下，将各压电元件分别夹持在第三干膜抗蚀剂与第一干膜抗蚀剂之间。
器件制造方法以及矩阵超声波探头

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