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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路-CN201410275174.9无效
发明人：吕坚;阙隆成;牛润梅;张壤匀;周云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低温漂系数的带隙基准电压产生电路，包括：负温特性电流产生电路、正温特性电流产生电路和正温平方电流产生电路。正温平方电流产生电路根据正温特性电流产生正温平方电流，并且正温平方电流与负温特性电流和正温特性电流叠加形成带隙基准电压产生电路的带隙基准电流。本发明实施例的带隙基准电压产生电路中，包含正温平方电流产生电路，该正温平方电流产生电路产生的正温平方电流与正温特性电流和负温特性电流叠加得到带隙基准电流，进而产生带隙基准电压。该正温平方电流能够使带隙基准电流在高温时得到进一步的补偿，从而产生低温漂系数的带隙基准电流，进而产生低温漂系数的带隙基准电压。
一种低温系数基准电压产生电路

[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统-CN200780025426.0有效
发明人： T·特鲁科;R·A·巴多斯 -专利权人： BT成像股份有限公司
申请日： 2007-05-04 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
利用发光成像测试间接半导体器件方法系统

[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统-CN201310054383.6有效
发明人： T.特鲁科;R.A.巴多斯 -专利权人： BT成像股份有限公司
申请日： 2007-05-04 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光（110）、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像（120）、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性（130）来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
利用发光成像测试间接半导体器件方法系统

[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统-CN201310054248.1有效
发明人： T.特鲁科;R.A.巴多斯 -专利权人： BT成像股份有限公司
申请日： 2007-05-04 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光（110）、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像（120）、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性（130）来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
利用发光成像测试间接半导体器件方法系统

[发明专利]一种高阶温度补偿带隙基准电路-CN201810595100.1有效
发明人：董渊;程剑涛;王云松;黄建刚;吴传奎 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请提供一种高阶温度补偿带隙基准电路，所述高阶温度补偿带隙基准电路，包括电源、启动电路、带隙基准核心电路和高阶温度补偿电路，高阶温度补偿电路包括温漂电压采样电路、高温段补偿电路、低温段补偿电路和温度补偿输出电路即本发明提供的高阶温度补偿带隙基准电路通过高温段补偿电路和低温段补偿电路对带隙基准核心电路的带隙基准输出电压进行叠加，从而与带隙基准核心电路的温度特性电压曲线构成了四阶特性曲线，对带隙基准核心电路的电压产生了高阶温度补偿的效果，解决了传统带隙基准电路温度特性差，全温度范围内输出精度低的问题。
一种温度补偿基准电路

[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备-CN201610004485.0有效
发明人： T·特鲁科;R·A·巴多斯 -专利权人： BT成像股份有限公司
申请日： 2007-05-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。
利用发光成像测试间接半导体器件方法设备

[发明专利]半导体热电发生器-CN201980089750.1在审
发明人： A·D·赫沃罗斯蒂安伊;A·根塞尔 -专利权人：绿色能源未来有限责任公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L35/12 文献下载
摘要：本发明涉及热电发生器，更具体地，涉及对梯度带隙结构的热电特性，即具有交替掺杂剂的梯度带隙半导体的特性和其间的异质结的特性，以及本征半导体材料的特性起作用的热电发生器，并且尤其可以用于为家用电器供电和为便携式电子设备的电源元件充电本发明的半导体热电发生器包括半导体组件，所述半导体组件被配置为能够从周围环境提取热，所述半导体组件包含至少一对互连的梯度带隙半导体，其中至少一个梯度带隙半导体的宽带隙侧连接到至少一个其它梯度带隙半导体的窄带隙侧所述梯度带隙半导体之间的结使用本征半导体材料配置，所述梯度带隙半导体使用交替掺杂剂配置，其中成对连接的梯度带隙半导体的宽带隙侧掺杂受主杂质。
半导体热电发生器

[发明专利]一种带隙基准电路-CN202010322080.8有效
发明人：王颀;陈腾;刘飞;霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种带隙基准电路，包括核心电路、第一补偿电路和第二补偿电路，核心电路用于产生带隙参考电压，第一补偿电路用于利用MOS管在亚阈值区的温度特性产生第一补偿电流，以对带隙参考电压进行第一补偿，第二补偿电路用于利用两个双极型晶体管的BE结电压之差的特性产生第二补偿电流，以对带隙参考电压进行第二补偿，这样经过第一补偿电流和第二补偿电流，可以从不同角度对带隙参考电压进行补偿，从而有效补偿带隙参考电压中的高阶温度系数，使补偿后得到的带隙基准电压具有高温度范围、低温度系数、高精度的特性。
一种基准电路

[发明专利]一种芯片内部偏置电压校正电路-CN201210431930.3无效
发明人：蒋仁杰 -专利权人：长沙景嘉微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本电路利用带隙基准电压对PVT（工艺、电压、温度）不敏感的特性，用内部偏置电压和带隙基准电压进行比较，然后经过判断逻辑判断内部偏置电压是否达到预设的电压值，然后根据判断结果控制可变电流，调节芯片内部的偏置电压，直到芯片内部偏置电压与带隙基准电压的关系满足预先设计的条件，校正完成，从而使得芯片内部偏置电压与带隙基准电压具有相同的PVT特性，即可以实现利用一个带隙基准电压可以得到多个PVT特性与带隙基准可比拟的
一种芯片内部偏置电压校正电路

[发明专利]一种利用周期结构杆的火工冲击隔离方法-CN202311145772.X在审
发明人：王锡雄;程东;史富强;苏浩;于涛;秦朝烨;褚福磊 -专利权人：烟台大学
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：所述方法包括：根据星箭分离的实际冲击响应大小超出许用冲击响应大小的冲击隔离问题，得到相应的实际冲击响应大小以及许用冲击响应大小；根据传递矩阵法和一维波动方程推算出周期结构杆的带隙特性计算模型；根据周期结构带隙特性计算模型与冲击要求，得出变材料周期结构带隙计算模型与几何模型以及变截面周期结构带隙计算模型与几何模型，对星箭接口的几何模型集合进行改进；验证改进后的几何模型是否满足冲击要求。本发明利用周期结构具有带隙特性，可以在带隙范围内阻碍应力波的传播，实现火工冲击的有效隔离与抑制，改进传统的星箭连接方法。
一种利用周期结构冲击隔离方法

[发明专利]一种带隙基准电路的曲率补偿方法及电路-CN202010293406.9在审
发明人：孙恬静;韩雁;应峰;何德军 -专利权人：浙江大学;思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路的曲率补偿方法及电路。所述的曲率补偿方法针对现有的基本Dokbin带隙基准电路，通过偏置电路提供运放的尾电流偏置，同时利用偏置电路的温度特性以及基极电流包含的与温度呈非线性的项对Dokbin带隙基准电路进行补偿。电路主要包括CTAT（complementary‑to‑absolute‑temperature）偏置单元、带隙基准单元和低通滤波器单元。CTAT偏置单元为带隙基准核心及其跨导放大器部分提供偏置电流，同时利用偏置电路的负温度特性和基准核心基极电流的指数温度特性产生曲率补偿。基准电压经低通滤波器输出进一步降低其输出噪声。
一种基准电路曲率补偿方法

[发明专利]一种带隙电压基准电路的曲率补偿方法及电路-CN201911097252.X在审
发明人：孙恬静;韩雁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路的曲率补偿方法及电路。所述的曲率补偿方法针对现有的基本Dokbin带隙基准电路，通过偏置电路提供运放的尾电流偏置，同时利用偏置电路的温度特性以及基极电流包含的与温度呈非线性的项对Dokbin带隙基准电路进行补偿。电路主要包括CTAT（complementary‑to‑absolute‑temperature）偏置单元、带隙基准单元和低通滤波器单元。CTAT偏置单元为带隙基准核心及其跨导放大器部分提供偏置电流，同时利用偏置电路的负温度特性和基准核心基极电流的指数温度特性产生曲率补偿。基准电压经低通滤波器输出进一步降低其输出噪声。
一种电压基准电路曲率补偿方法

[发明专利]电磁感应透明的(EIT)光子带隙光纤-CN200480033517.5无效
发明人： D·米勒 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：一种电磁感应透明的(EIT)光子带隙光纤(PBG)。这种EIT－PBG将光子带隙(PBG)光纤的通隙与带隙特性与呈现出EIT效应的介质的透明性控制组合起来，从而允许各种光学器件的形成。
电磁感应透明 eit 光子光纤

[发明专利]一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构-CN202110572720.5有效
发明人：吴志静;孙朋;温舒瑞;李凤明 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： F16F7/00 文献下载
摘要：一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构，属于降噪减振领域，本发明提供一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构，双级结构中的每一级在高频和低频处都可以产生带隙，所谓的双级的第一级为多个单个胞元组合形成的规律排列，第二级为单个胞元内部不同截面的杆形成的，两级周期都可以产生带隙为本申请所要保护结构的独特之处，本发明提供的周期结构可以用于减振降噪，利用声子晶体的带隙特性可以阻止特定频率范围内弹性波或声波的传播，达到减振目的，与传统设计的同样框架结构相比，本发明质量小，并且形成带隙的范围宽，能够对更大频率范围内的弹性波或声波的传播进行抑制。
一种具有双级带隙特性二维晶体周期结构

[发明专利]带隙基准电路-CN202111275148.2在审
发明人：陈胜胜;白淳;郭亮亮;杨云 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开提供了带隙基准电路。所述带隙基准电路包括带隙基准子电路、补偿电流发生子电路和电流镜像子电路；所述电流镜像子电路分别与所述补偿电流发生子电路、所述带隙基准子电路连接；所述带隙基准子电路，用于生成带隙基准电压；所述补偿电流发生子电路，用于生成具有温度特性的补偿电流；所述电流镜像子电路，用于对所述补偿电流进行镜像生成镜像电流，通过所述镜像电流对所述带隙基准电压进行电压补偿。
基准电路

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