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[发明专利]一种存储单元的数据读取方法和用于MLC的灵敏放大器-CN200910088954.1有效
发明人：舒清明;苏志强 -专利权人：北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储单元的数据读取方法和一种用于多层单元闪存的灵敏放大器。所述方法包括：一次读取，对存储单元和第一参考单元施加读电压，并将存储单元和第一参考单元产生的电流转换为电压；比较二者的电压，若存满足预置条件，则判断出存储单元的数据状态，否则执行二次读取：根据预置条件抬升或者降低施加到存储单元和除第一参考单元以外的剩余2n-2个参考单元的读电压，并将存储单元和剩余2n-2个参考单元产生的电流转换为电压；比较存储单元和参考单元的电压，判断存储单元的数据状态，最后根据判断的数据状态输出数据信息。本发明电流的变化范围小，得到的电压差异比较稳定，使得数据状态能够准确识别，与串行读取相比减少了读取时间。
一种存储单元数据读取方法用于 mlc 灵敏放大器

[发明专利]一种非易失性存储器的读取电路及读取方法-CN201711473901.2在审
发明人：马亮;张登军;刘大海;李迪;闫江;张亦锋;伍惠瑜 -专利权人：珠海博雅科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种结构简单、读取速度快的非易失性存储器读取电路及方法。根据本发明的一方面，提供一种非易失性存储器的读取电路，其中，包括：多个参考支路，每个参考支路提供一个参考电压；存储单元支路，与参考支路并联在电源电压与地之间并且互为镜像，存储单元支路包括存储单元，存储单元设置成可提供多个不同的存储电压；多个输出单元，分别连接到多个参考支路，用于至少根据来自多个参考支路的参考电压来产生多个结果电压。根据本发明的另一方面，还提供一种非易失性存储器的读取方法，包括：向存储单元支路中的存储单元施加读取电压，控制多个参考支路和存储单元支路导通，根据多个输出单元提供的多个结果电压生成读取结果。
一种非易失性存储器读取电路方法

[实用新型]一种非易失性存储器的读取电路-CN201721926295.0有效
发明人：马亮;张登军;刘大海;李迪;闫江;张亦锋;伍惠瑜 -专利权人：珠海博雅科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本实用新型目的在于提供一种结构简单、读取速度快的非易失性存储器读取电路。根据本实用新型的一方面，提供一种非易失性存储器的读取电路，其中，包括：多个参考支路，每个参考支路提供一个参考电压；存储单元支路，与参考支路并联在电源电压与地之间并且互为镜像，存储单元支路包括存储单元，存储单元设置成可提供多个不同的存储电压；多个输出单元，分别连接到多个参考支路，用于至少根据来自多个参考支路的参考电压来产生多个结果电压。根据本实用新型的另一方面，还提供一种非易失性存储器的读取方法，包括：向存储单元支路中的存储单元施加读取电压，控制多个参考支路和存储单元支路导通，根据多个输出单元提供的多个结果电压生成读取结果。
支路存储单元非易失性存储器参考本实用新型读取电路读取参考电压结果电压输出单元存储单元设置存储电压电源电压读取电压读取结果导通施加

[发明专利]存储器存取方法及应用该方法的闪存-CN201110359820.6有效
发明人：陈重光;洪硕男;洪俊雄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器存取方法及应用该方法的闪存，用以针对存储器阵列进行存取。存储器阵列中的多个存储单元排列为多个存储单元串，其受控于列选择(String Select)信号。存储器存取方法包括下列步骤。在设定期间中，找出选择存储单元串及其上的选择存储单元；将存储器阵列中其余的存储单元偏压为导通传输晶体管；及提供放电路径来消除未选择存储单元串上的耦合电荷。在读取期间中使选择存储单元串经由金属位线(Metal Bit Line)连接至感测单元，并经由电压感测机制(Voltage Sensing Scheme)来针对选择存储单元串上的选择存储单元进行读取，其中读取期间不与设定期间重叠
存储器存取方法应用闪存

[发明专利]存储器、存储单元的读取电路及读取方法-CN201410083749.7有效
发明人：杨光军;黄明永 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种存储器、存储单元的读取电路及读取方法。所述存储单元的读取电路包括第一PMOS管、预充电单元以及比较单元；所述第一PMOS管的栅极适于输入开关控制信号，所述第一PMOS管的漏极耦接所述存储单元的漏极；所述预充电单元适于在接收到预充电信号时将所述第一PMOS管的源极充电至预充电电压；所述比较单元适于在接收到使能信号时对第一参考电压和所述第一PMOS管的源极电压进行比较，根据比较结果输出所述存储单元存储的数据，所述预充电电压大于所述第一参考电压，所述第一参考电压大于所述第一本发明提供的存储器、存储单元的读取电路及读取方法，减小了读取所述存储单元时的功耗。
存储器存储单元读取电路方法

[发明专利]数据读取方法、装置、设备及存储介质-CN201811222630.8在审
发明人：李侃 -专利权人：珠海金山网络游戏科技有限公司;成都西山居世游科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G06F12/0875 文献下载
摘要：本申请提供一种数据读取方法、装置、设备及存储介质，其中，数据读取方法包括：在缓存中创建连续的多个数据单元，所述多个数据单元的指针指向存储区域中不连续的多个存储单元的数据地址，所述多个数据单元与所述多个存储单元一一对应；通过所述多个数据单元的指针获取所述多个存储单元的数据地址；根据所述多个存储单元的数据地址读取存储在所述多个存储单元中的业务数据。
存储单元数据单元数据地址数据读取存储介质读取缓存存储区域业务数据指针指向不连续存储指针创建申请

[发明专利]一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法-CN201310729248.7有效
发明人：陈后鹏;李喜;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法，所述一次性可编程存储器至少包括：相变存储单元，用于存储需要写入的数据；写入单元，用于将需要写入的数据写入到相变存储单元中；读取单元，用于读取存储在相变存储单元中的数据；读参考单元，用于提供读取单元读取数据时的比较对象；偏置单元，用于在读取单元读取时向所述相变存储单元提供钳位电压。本发明具有以下有益效果：本发明能够通过利用简单的外围电路实现对相变存储单元的一次性非可逆操作，从而实现其一次性可编程性能，可以最大限度地降低存储器的占用面积，进而降低其使用成本。
一次性可编程存储器及其编程方法读取

[发明专利]改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置-CN202210491505.7在审
发明人：杜建东;蔡璧如;杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种管理闪存模块的多个存储单元的方法。所述方法包括：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立对应于所述第一存储单元的编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的读取重试表来对所述第一存储单元进行读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳通过周期性地对已写入数据的第一存储单元进行刷新，并且在每个使用历程中执行前一个使用历程中有写入的存储单元，本发明能够有效地减少所需的读取重试表的数量。此外，通过周期性地选择第二存储单元的部分进行错误检查，本发明能够更好地保证读读取重试表的数量在减少后仍能有效率地进行读取重试，进而改善读取重试的效率。
改善闪存读取重试方法控制器以及相关存储装置

[发明专利]改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置-CN201910111370.5有效
发明人：杜建东;蔡璧如;杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种管理闪存模块的多个存储单元的方法。所述方法包括：针对每一第一存储单元的数据写入时间建立对应于所述第一存储单元的编程时戳；根据所述第一存储单元的所述编程时戳，选择相对应的读取重试表来对所述第一存储单元进行读取操作；以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳通过周期性地对已写入数据的第一存储单元进行刷新，并且在每个使用历程中执行前一个使用历程中有写入的存储单元，本发明能够有效地减少所需的读取重试表的数量。此外，通过周期性地选择第二存储单元的部分进行错误检查，本发明能够更好地保证读读取重试表的数量在减少后仍能有效率地进行读取重试，进而改善读取重试的效率。
改善闪存读取重试方法控制器以及相关存储装置

[发明专利]扫描仪装置及图像读取和显示方法-CN200810082954.6无效
发明人：小樱彰久;池上浩介 -专利权人：株式会社PFU
申请日： 2008-03-13 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明涉及扫描仪装置及图像读取和显示方法。提供了一种扫描仪装置，包括键盘、显示器、控制单元、和存储单元，其中所述键盘和显示器被布置为覆盖扫描仪装置主体的顶部，并且所述控制单元包括：图像读取单元，用于控制从原稿读取图像数据；图像存储单元，用于将图像读取单元读取的图像数据存储在存储单元内；和显示控制单元，用于基于由图像存储单元存储的图像数据进行控制以将任意原稿的图像数据显示在显示器上。
扫描仪装置图像读取显示方法

[发明专利]一种非易失性存储器控制方法-CN201510822022.0在审
发明人：王晓伟 -专利权人：王晓伟
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储器控制方法，包括写入控制单元，按顺序地指定多个存储单元中作为数据写入单元的存储块；写入处理单元，将写入数据写入指定的存储块中；检验单元，从写入了写入数据的存储块中读出读取数据，并且针对多个存储单元中的每一个检验读取数据是否与写入数据一致；重试阻止单元，阻止对多个存储单元中读取数据与写入数据一致的存储单元再次执行写入写入数据的重试处理；以及重试控制单元，当写入所有写入数据的多个存储单元中的任一存储单元中读取数据与写入数据不一致时，指定多个存储块中的至少一些存储块
一种非易失性存储器控制方法

[发明专利]EEPROM存储单元的操作方法-CN201410084269.2有效
发明人：杨光军;胡剑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种EEPROM存储单元的操作方法。所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；所述EEPROM存储单元的操作方法包括对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接。本发明提供的EEPROM存储单元的操作方法，提高了所述EEPROM存储单元的耐久性。
eeprom 存储单元操作方法

[发明专利]一种MLC存储器的存储单元的读取方法和读取电路-CN202210237722.3在审
发明人：马亮 -专利权人：珠海博雅科技股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MLC存储器的存储单元的读取方法和读取电路，其中，读取方法包括：判断MLC存储器所接入的电源电压是否大于电压阈值；当电源电压大于或等于电压阈值，则执行第一读取操作以确定存储单元的数据状态；当电源电压小于电压阈值，则执行第二读取操作以确定存储单元的数据状态；根据本发明实施例可以在在现有的MLC存储器所接入的电源电压过低时，保证存储单元存储的重要数据的读取的可靠性和将存储单元存储的数据读出
一种 mlc 存储器存储单元读取方法电路

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201811362261.2在审
发明人：朴振 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，该存储器系统可包括：控制器；以及非易失性存储器装置，包括存储单元并根据控制器的控制对存储单元执行读取操作。该控制器可基于每个存储单元的内部读取时间来排序存储单元的处理顺序，并根据所排序的处理顺序来控制读取操作。
存储器系统存储单元控制器读取操作非易失性存储器装置读取排序存储排序

[发明专利]一种闪存设备的访问方法、装置和系统-CN201610686247.2在审
发明人：周冠锋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存设备的访问方法、装置和系统，该闪存设备包括控制器和存储阵列，存储阵列包括特定存储单元和用户存储单元，其中，特定存储单元用于存储特定数据，用户存储单元用于存储用户数据，该特定数据用于确定读取用户数据的判决电压，该方法包括：控制器读取特定存储单元中存储的特定数据，根据所读取的该特定数据，确定判决电压，并利用确定的判决电压，读取用户存储单元中存储的用户数据；采用本发明的方法、装置及系统，可减少对闪存设备存储数据的误判
一种闪存设备访问方法装置系统