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[发明专利]伪静态存储器及其读操作与刷新操作的控制方法-CN200910093837.4有效
发明人：朱一明;刘永波 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明提供了一种伪静态存储器，包括：读操作缓冲器及读操作标志寄存器，写操作缓冲器及写操作标志寄存器，比较器，用于比较当前读操作所针对的存储器组地址，与当前写操作缓冲器中缓存的第二数据需写入的存储器组地址，并输出比较结果信号；控制电路，用于在当前时钟周期读操作与刷新操作冲突时，依据所述读状态信号、写状态信号及比较结果信号，控制进行以下操作：从读操作缓冲器或写操作缓冲器上执行读操作且并行执行刷新操作；或者，从指定的存储器组上执行读操作，并将所读取的数据缓存至读操作缓冲器。本发明可以提高伪SRAM的存取速度，进而提高它的工作效率。
静态存储器及其操作刷新控制方法

[发明专利]伪静态存储器及其写操作与刷新操作的控制方法-CN200910093836.X有效
发明人：朱一明;刘永波 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明提供了一种伪静态存储器，包括第一、第二寄存器组、写操作缓冲器及写操作标志寄存器，比较器，用于比较当前写操作所针对的存储器组地址，与第二寄存器组中的存储器组地址，并输出比较结果信号；控制电路，包括第一控制子模块，用于在当前时钟周期写操作与刷新操作冲突时，把第一寄存器组中的数据写入写操作缓冲器、并行执行刷新操作；以及，在写操作标志寄存器的写状态信号为无效标识信号时，将其置为有效标识信号；以及，在所述写操作标志寄存器的写状态信号为有效标识信号，并且比较器输出地址不同的比较结果信号时，将第二寄存器组中的数据写入其指定的存储器组中。本发明可以提高伪SRAM的存取速度，进而提高伪SRAM的工作效率。
静态存储器及其操作刷新控制方法

[发明专利]一种存储单元的数据读取方法和用于MLC的灵敏放大器-CN200910088954.1有效
发明人：舒清明;苏志强 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储单元的数据读取方法和一种用于多层单元闪存的灵敏放大器。所述方法包括：一次读取，对存储单元和第一参考单元施加读电压，并将存储单元和第一参考单元产生的电流转换为电压；比较二者的电压，若存满足预置条件，则判断出存储单元的数据状态，否则执行二次读取：根据预置条件抬升或者降低施加到存储单元和除第一参考单元以外的剩余2n-2个参考单元的读电压，并将存储单元和剩余2n-2个参考单元产生的电流转换为电压；比较存储单元和参考单元的电压，判断存储单元的数据状态，最后根据判断的数据状态输出数据信息。本发明电流的变化范围小，得到的电压差异比较稳定，使得数据状态能够准确识别，与串行读取相比减少了读取时间。
一种存储单元数据读取方法用于 mlc 灵敏放大器

[发明专利]具有检错/纠错电路的非挥发存储器及其读写方法-CN200910087519.7有效
发明人：苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有ECC电路的非挥发存储器及其读写方法，该存储器的外部接口以字节为单位进行数据传输，在存储器内部以ECC码字为单位进行读写。其中写入数据的方法包括：获得外部输入数据的首地址及末地址并缓存外部输入数据；若外部输入数据所在的ECC数据组有部分字节不需要被替换，则从非挥发存储器的存储阵列中获得该不需要被替换的字节即回写数据并缓存；将外部输入数据，或者外部输入数据及回写数据，组成新的ECC数据组，为新的ECC数据组生成对应的校验位；将新的ECC数据组及对应的校验位写入到存储阵列。本发明在数据写入时只对对应的ECC码字进行擦除操作，本发明提高了存储的灵活性以及存储空间的利用效率。
具有检错纠错电路挥发存储器及其读写方法

[发明专利]具有检错/纠错电路的非挥发存储器及其读写数据的方法-CN200910087520.X有效
发明人：苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有ECC电路的非挥发存储器及其读写数据的方法，存储器内部以ECC码字为单位进行读写操作。其中写入数据的方法包括：获得外部输入数据的首地址及末地址并缓存外部输入数据；若外部输入数据所在的ECC数据组有部分字节不需要被替换，则从非挥发存储器的存储阵列中获得该不需要被替换的字节即回写数据；将外部输入数据，或者外部输入数据及回写数据，组成新的ECC数据组并缓存；为新的ECC数据组生成对应的校验位；将新的ECC数据组及对应的校验位写入到存储阵列。本发明在数据写入时只对对应的ECC码字进行擦除操作，本发明提高了存储的灵活性以及存储空间的利用效率。
具有检错纠错电路挥发存储器及其读写数据方法

[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置-CN200910086291.X有效
发明人：舒清明;潘荣华;苏志强 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：目标选定步骤：选定非易失存储器中欲擦除的2n个相邻存储块，其中n为自然数；预编程操作步骤：对所述2n个相邻存储块分组进行预编程操作；擦除步骤：同时擦除所述2n个相邻存储块；擦除校验步骤：分组校验所述2n个相邻存储块是否擦除成功，若是，则执行软编程操作步骤；若否，则返回擦除步骤；软编程操作步骤：对所述相邻存储块分组进行软编程操作。本发明可以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。
一种非易失存储器擦除方法装置

[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置-CN200910086290.5有效
发明人：舒清明;潘荣华;苏志强 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：当执行完擦除步骤后，一旦通过第一软编程校验步骤发现目标擦除块中，存在处于过擦除状态的存储单元，则触发第一软编程步骤收敛处于过擦除状态的存储单元的阈值电压的分布范围；当通过擦除校验步骤校验目标擦除块成功擦除后，如果第二软编程校验步骤发现目标擦除块中，又出现处于过擦除状态的存储单元，则触发第二软编程步骤将目标擦除块中所有处于过擦除状态的存储单元都编程到正常的擦除范围，使这些存储单元的阈值电压都提高到擦除状态之内。本发明可以更为精准地控制擦除操作后的cell的VT，以方便后续的编程操作，提高存储器的整体性能。
一种非易失存储器擦除方法装置

[发明专利]一次性可编程存储器、制造及编程读取方法-CN200910086521.2有效
发明人：朱一明;苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与阱形成；第一二极管与第二二极管串联连接；第一二极管与字线相连接，第二二极管与位线相连接；第一二极管的反向击穿电压不同于第二二极管的反向击穿电压。利用第一二极管被击穿时形成导通电阻，未击穿时关闭的特性以及第二二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。
一次性可编程存储器制造编程读取方法

[发明专利]一次性可编程存储器、制造及编程读取方法-CN200910086522.7有效
发明人：朱一明;苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与第二掺杂区形成；离子注入区位于与其紧邻的绝缘层上；第一二极管与第二二极管串联连接；第一二极管与字线相连接，第二二极管与位线相连接；第一二极管的反向击穿电压不同于第二二极管的反向击穿电压。利用第一二极管被击穿时形成导通电阻，未击穿时关闭的特性以及第二二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现存储单元面积小，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。
一次性可编程存储器制造编程读取方法

[发明专利]一次性可编程存储器、制造及编程读取方法-CN200910086520.8有效
发明人：朱一明;苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与第二掺杂区形成；第一二极管与第二二极管串联连接；第一二极管与字线相连接，第二二极管与位线相连接；第一二极管的反向击穿电压不同于第二二极管的反向击穿电压。利用第一二极管被击穿时形成导通电阻，未击穿时关闭的特性以及第二二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。
一次性可编程存储器制造编程读取方法

[发明专利]非挥发性存储器的仿真验证方法-CN200910083915.2有效
发明人：舒清明;涂美红;胡洪 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性存储器的仿真验证方法，包括：获取仿真存储器，所述仿真存储器具有针对擦除步骤的内部时钟参数，所述内部时钟参数被设置为低于正常值；生成测试代码，依据所述测试代码对存储器的功能进行仿真验证，所述测试代码包括擦除代码和擦除块的地址代码；依据所述擦除块的地址代码确定目标擦除块，并按照所述擦除代码和内部时钟参数对目标擦除块进行擦除步骤的仿真验证。本发明可以在能够保证仿真验证结果的基础上，减少针对存储器功能的仿真验证的时间，提高采用虚拟存储器的仿真验证效率。
挥发性存储器仿真验证方法

[发明专利]一种复位电路-CN200910082075.8有效
发明人：刘铭 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种复位电路，包括接在电源与地之间的MOS管支路，以及，通过分压连接点与所述MOS管支路连接的反相器支路；所述反相器支路包括反相器，用于受低于其翻转电压的电压信号触发，产生复位信号；所述复位电路还包括：与所述MOS管支路连接的阻抗器件，用于在电源电压下降到第一预设电压时，使所述分压连接点的电压低于反相器的翻转电压；其中，所述第一预设电压高于MOS管支路的阈值电压。本发明可以在节省功耗和成本的前提下，避免电源电压下降过程中出现的错误状态。
一种复位电路

[发明专利]一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法-CN200910081617.X有效
发明人：苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器及其制造方法、编程读取方法，所述非挥发性存储器中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述漏极包括用于在漏极内部形成PN结的反型离子区；所述源极与位线相连，所述漏极的反型离子区与字线相连。本发明既不需要额外形成控制栅，也不需要额外形成选通管，即实际上本发明的存储单元只等效为一晶体管和一个二极管的结构，其面积较小，符合现代半导体器件的发展需求。并且，存储单元能够完全基于逻辑工艺实现，不需要增加额外的特殊工艺，不会增加工艺工序的复杂度。
一种挥发性存储器及其制造编程读取方法

[发明专利]保证存储器存储的数据安全读取的系统及方法-CN200910081928.6有效
发明人：朱一明 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G06F21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种保证存储器存储的数据安全读取的系统及方法，包括存储器和主芯片，其中，主芯片，用于产生随机数种子，译码后，发送给存储器；采用产生的随机数种子对产生的随机数搅动后得到的伪随机数，对从存储器接收的加密后的数据明文解密，得到数据明文；存储器，用于将从主芯片接收的译码后的随机数种子解码，得到随机数种子，对产生的随机数搅动后得到伪随机数，采用伪随机数对存储的数据明文加密后，发送给主芯片。本发明提供的系统及方法提高了存储器存储的数据读取的安全性。
保证存储器存储数据安全读取系统方法

[发明专利]一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法-CN200910081615.0有效
发明人：苏如伟 -专利权人： 北京芯技佳易微电子科技有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。本发明还提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器的制造方法，包括：形成基材，所述基材包括衬底；在所述衬底的上部形成离子注入区；形成源漏对称管；所述源漏对称管的漏极位于所述离子注入区内，所述离子注入区的一部分位于所述源漏对称管的浮栅的下方，与浮栅部分重叠。本发明既不需要额外形成控制栅，也不需要形成选通管，即实际上本发明的存储单元只包含一个管子，其面积较小，符合现代半导体器件的发展需求。
一种挥发性存储器及其制造编程读取方法

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