|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 50个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]嵌入式快闪存储单元数据读取电路-CN202010210569.6有效
-
黄明永;肖军
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2020-03-24
-
2023-10-20
-
G11C16/26
- 本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种嵌入式快闪存储单元数据读取电路。包括：开关电路、电流钳位电路、电流镜像电路、参考电流源、预充电电路和比较电路；开关电路包括传输门，传输门的一传输端通过位线连接嵌入式快闪存储单元的漏极，传输门的另一端连接电流钳位电路的检测端；传输门在第一控制端接收到第一开关控制电压，和/或第二控制端接收到第二开关控制电压时导通；电流钳位电路的响应端连接数据节点；电流镜像电路连接参考电流源和数据节点；预充电电路的输出端连接数据节点；比较电路的一输入端连接数据节点，另一输入端连接参考电压。本申请通过其电路结构能够解决相关技术中因开关控制电压过小而使得开关电路无法正常连通的问题。
- 嵌入式闪存单元数据读取电路
- [发明专利]电平移位电路-CN202010093349.X有效
-
黄明永
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2020-02-14
-
2023-07-18
-
H03K19/0185
- 本发明提供了一种电平移位电路，包括锁存单元、驱动单元、转换单元和输入单元，所述转换单元包括第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，所述输入单元包括第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管，实现了第一信号为零压低电平信号时，驱动单元的输入电压(即第三PMOS晶体管的栅极电压)为第一电源端电压的负值，则第三PMOS晶体管的栅源间电压为两倍的第一电源端电压，大大高于第三PMOS晶体管的阈值开启电压，提高了第三PMOS晶体管的驱动能力及电平移位电路的工作速度，降低了第三PMOS晶体管的电流，当第一信号为正压高电平信号时，驱动单元的输入电压(即第三PMOS晶体管的栅极电压)为第一电源端电压，第三PMOS晶体管关断。
- 电平移位电路
- [发明专利]闪存编程操作方法和操作电路-CN202010892461.X有效
-
黄明永
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2020-08-31
-
2023-06-30
-
G11C16/10
- 本申请设计存储器领域，具体涉及一种闪存编程操作方法和操作电路。其中。方法包括：向存储单元的位线提供脉冲序列信号，脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；在编程许可信号的控制下，使得存储单元，在脉冲序列信号的一段高电平期间，根据编程输入数据进行编程操作；在脉冲序列信号的一段低电平期间，使得存储单元进行读检测操作；读检测操作包括：读出存储单元中存储的数据，比较在低电平期间读出的数据与编程输入数据是否一致；若一致，停止编程操作；否则，使得存储单元，在下一段高电平期间，再一次根据编程输入数据进行编程操作，并在随后的低电平期间进行读检测操作。其中，电路用于执行上述方法。
- 闪存编程操作方法操作电路
- [发明专利]闪存编程检查电路-CN202010892503.X有效
-
黄明永
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2020-08-31
-
2023-06-30
-
G11C16/34
- 本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存编程检查电路，包括：存储单元，存储单元上引出位线，通过向位线施加电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号，使得在脉冲序列信号的高电平期间存储单元进行编程操作，在脉冲序列信号的低电平期间，存储单元进行读检测操作；脉冲序列产生单元，用于产生电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号给存储单元的位线；复位单元，用于在编程控制信号开始产生时，控制存储单元位线的电压降低。本申请提供的闪存编程检查电路，可以解决相关技术中因存储元未能完全地被编程操作，而导致读检测结果误差较大的问题。
- 闪存编程检查电路
- [发明专利]一种输入电压范围较宽的放大器-CN201910069111.0有效
-
黄明永
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2019-01-24
-
2023-06-16
-
H03F3/45
- 本发明公开了一种输入电压范围较宽的放大器，包括：控制模块，用于将放大器开启许可信号COMP_EN转换为互补放大器使能信号EN_N和放大器使能信号EN；偏置电压模块，用于在互补放大器使能信号EN_N的控制下将参考电压VREFPGM转换为所述放大器工作所需的偏置电压VBIAS；差分放大模块，用于在偏置电压VBIAS的控制下将输入差分信号VN和VP的差值进行放大；输出放大模块，用于在放大器使能信号EN的控制下将放大后的差分信号进一步放大得到输出信号FB_N，本发明通过利用高压管和高压Native管并联作为放大器的输入对管，以同时解决输入范围和增益的问题。
- 一种输入电压范围放大器
- [发明专利]低电压敏感放大器的钳位电路-CN202010465027.3有效
-
黄明永;肖军
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2020-05-28
-
2022-08-16
-
G11C7/06
- 本发明公开了一种低电压敏感放大器的钳位电路，给Flash存储器在读数据时提供位线的读取电压，所述钳位电路包含有两个电源端、两个接地端、一个参考电流输入端以及钳位电压输出端；所述的钳位电路包含有PMOS管以及第一～第三NMOS管，所述第一PMOS管的栅极接地，其源极接电源；所述第一NMOS与第二NMOS管进行串联，第一NMOS管的栅极接电源，第二NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管的漏极接参考电流输入端，第三NMOS管的源极为钳位电路的钳位电压输出端；第三NMOS管的栅极与PMOS管的漏极连接，该处形成第一节点电压；所述第二NMOS管的栅极接钳位电路输出端，所述钳位电路输出端为第二节点电压；所述第二NMOS管形成第二节点到第一节点电位的负反馈电路。
- 电压敏感放大器电路
- [发明专利]正负电压生成电路-CN202010447491.X有效
-
黄明永
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2020-05-25
-
2022-05-20
-
G11C16/14
- 本申请公开了一种正负电压生成电路，涉及闪存器件领域，该正负电压生成电路至少包括正电压生成电路、负电压生成电路、触发电路；负电压生成电路与触发电路的输入端连接，触发电路与正电压生成电路连接；负电压生成电路用于生成目标负电压；触发电路用于在负电压生成电路完成生成目标负电压时触发正电压生成电路；正电压生成电路用于在触发电路的触发下开始生成目标正电压；目标正电压和目标负电压用于控制闪存器件进行擦除操作；解决了目前负电压和正电压先后建立时，容易导致大的峰值电流的问题；达到了错开正电荷泵和负电荷泵的峰值电流，降低整体电路的峰值电流的效果。
- 正负电压生成电路
- [实用新型]一种壁挂式衣柜-CN202022373971.4有效
-
申钰齐;王瑜伟;尹苑;郝世禹;王喆;黄明永
-
合肥工业大学
-
2020-10-20
-
2021-07-30
-
A47B61/00
- 本实用新型提供了一种壁挂式衣柜，包括壳体，所述壳体内的上部设置有旋转架，旋转架上发散状的设置有多个悬挂臂，所述壳体包括能够与墙壁固定配合的固定面和与固定面相对的取放面，所述取放面包括沿竖直方向设置的取放槽，所述取放槽内设置有朝向壳体内部的悬挂块，衣架悬挂于所述悬挂块上，所述悬挂块能够在取放槽的区间内沿竖直方向运动；所述悬挂臂的端部与悬挂块的竖直运动路径存在交叠。本实用新型的优点在于：能够方便的实现衣物的存取，可以根据需要制定衣物的悬挂位置或者将特定衣物取下，衣柜悬挂在室内上部，不占用地面居住空间，而且可以站在地面完成衣物的取放，使用方便，衣物全部悬挂放置，不需要叠放，保持衣物的平整。
- 一种壁挂式衣柜
- [发明专利]参考电压产生电路-CN201910246179.1有效
-
黄明永;肖军
-
上海华虹宏力半导体制造有限公司
-
2019-03-29
-
2021-04-16
-
G05F1/567
- 本发明提供一种参考电压产生电路，其包括：电阻、NMOS管以及补偿元件，所述补偿元件的第一端与所述电阻的第二端连接；所述补偿元件的第二端与所述NMOS管的漏极连接，NMOS管和电阻对电源电压进行初步钳位，形成初步的参考电压，进而通过补偿元件的设置，可根据所述参考电压的升降，自适应地调整流经所述补偿元件的电流，进而使所述参考电压随流经所述补偿元件之电流的升降而升降，由此，参考电压随电源电压的波动较小，在后续电路的影响下也不易产生波动，从而能够为后续电路提供较稳定的参考电压。
- 参考电压产生电路
|
