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[发明专利]非易失性存储装置和数据读取方法-CN200810134074.9有效
发明人：赵寅成;陈暎究;玄在雄;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种读取存储单元数据的方法和非易失性存储装置，所述装置将低电压施加到与可从其读取数据的存储单元相邻的存储单元。所述读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法包括将第一电压施加到多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极；将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极；将第二电压施加到除了读取存储单元和相邻存储单元之外的存储单元的控制栅极
非易失性存储装置数据读取方法

[实用新型]一种灵敏放大器-CN202021541403.4有效
发明人：王井舟 -专利权人：新华三技术有限公司成都分公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种灵敏放大器存储单元电流读取电路、基准电流读取电路和输出缓冲电路，所述存储单元电流读取电路外接存储单元以读取所述存储单元的电流，以及所述存储单元电流读取电路还与所述基准电流读取电路连接于第一节点，且所述第一节点的电流为所述存储单元电流读取电路读取到的存储单元的电流与所述基准电流读取电路读取到的基准电流的电流差值，所述输出缓冲电路分别与电源输入端和所述第一节点相连，以基于所述电流差值输出所述存储单元的存储状态采用本实用新型提供的灵敏放大器，可以在低压环境下正常从外接的存储单元中读取存储单元的存储状态。
一种灵敏放大器

[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统-CN201110391420.3无效
发明人：龙爽;陈岚;杨诗洋;陈巍巍;崔雅洁 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种存储阵列单元信息读取方法和系统，同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线，在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加高于所述第一读取电压的第二读取电压；与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加与所述第一读取电压相同的电压；比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。进行信息读取时，只在被读取存储单元上产生读取电流，与施加较低电压的位线相邻的其他存储单元上不存在电位差，因此不会产生泄露电流而提高被读取存储单元的源极电压，不影响被读取存储单元的栅极电压增加到开启电平以上需要的时间，提高了存储单元的信息读取速度。
一种存储阵列单元信息读取方法系统

[发明专利]一种存储单元的读取方法及装置-CN201611051314.X在审
发明人：张建军;胡洪 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的读取方法及装置，所述方法包括：接收读取指令；根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压；向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压。本发明实施例提供的一种存储单元的读取方法，通过根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定当前读取电压，并向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前读取电压，实现了通过改变读取电压来减小存储器单元的电流变化量，进而改善存储单元的读取性能。
存储单元读取电压存储器芯片读取电流温度特性施加存储器单元电流变化量读取性能读取指令减小

[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统-CN201110391799.8有效
发明人：陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋;崔雅洁 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储阵列单元信息读取方法和系统，同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线，在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加高于所述第一读取电压的第二读取电压，与被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的连续多根位线施加与所述第二读取电压相等的电压，比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。进行信息读取时，只在被读取存储单元上产生读取电流，与施加高电压的位线相邻的其他存储单元上不存在电位差，因此不会产生泄露电流，提高了存储单元的存储信息读取精度。
一种存储阵列单元信息读取方法系统

[发明专利]存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法-CN201610601194.X在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法。所述参考电流的获取方法包括：从存储阵列中选中与待读取的存储单元位于同一行且对应不同位线的2n个存储单元，n为正整数；对所述2n个存储单元执行编程操作，使得所述2n个存储单元中的n个存储单元被编程为“01”，所述2n个存储单元中剩余n个存储单元被编程为“10”；将对所述待读取的存储单元执行读取操作时对应的所述2n个存储单元所在位线的电流的平均值作为所述参考电流。应用上述方案获取参考电流，可以提高读取电路的读取速度和读取精度，并减少对所选中的存储单元耐久性的影响。
存储器读取电路参考电流获取方法装置

[发明专利]一种读取电路、读取方法和处理装置-CN202210180763.3在审
发明人：马亮 -专利权人：珠海博雅科技股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种读取电路、读取方法和处理装置，其中，读取电路包括：X‑译码器和Y‑译码器，X‑译码器和Y译码器用于根据与一位被读取数据对应的目标地址信息选中对应的第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元存储的数据状态与第二存储单元存储的数据状态互不相同；全差分灵敏放大器，用于接收第一存储单元的数据状态和第二存储单元的数据状态，并根据第一存储单元的数据状态和第二存储单元的数据状态输出电平信号，电平信号与被读取数据对应，本发明实施例的读取电路能够降低SLC的存储单元的数据读取出错的概率，并提高SLC的存储单元的数据读取的可靠性。
一种读取电路方法处理装置

[发明专利]一种叠封串行芯片的读取方法-CN201410250706.3有效
发明人：苏志强;张君宇;丁冲;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种叠封串行芯片的读取方法。该读取方法包括：读取当前地址对应的当前存储单元中的数据；根据所述当前存储单元所属芯片的输出使能信号，输出已读取的当前存储单元中的数据；顺序读取所述当前存储单元之后的各新存储单元中的数据，直到时钟控制信号无效为止；分别根据各新存储单元所属芯片的输出使能信号，顺序输出已读取的各新存储单元中的数据。该读取方法中若读取某一个芯片尾部存储单元中的数据之后，会读取下一个芯片首部的数据，而不是循环到当前芯片的首部。故该读取方法实现了跨芯片的无缝连续读取。
一种串行芯片读取方法

[发明专利]检测读取操作对临近单元干扰的方法-CN201110391394.4有效
发明人：陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，同时选通多根连续位线，在读取存储单元的信息的同时，测量与被读取存储单元施加较高电压的位线相邻的至少一根位线的电压，计算流过与所述被读取存储单元临近的存储单元的泄露电流，通过比较泄露电流与预设电流值，可以检测与被读取存储单元临近的存储单元在读取操作时是否受到干扰。另外，本发明提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，通过判断泄露电流的大小，可以检测被读取存储单元的读取精度是否受到干扰。
检测读取作对临近单元干扰方法

[发明专利]相变存储器件、使用其的存储系统和读取存储器件的方法-CN200810094944.4有效
发明人：郑椙旭;郑基泰;金亨俊;高昇必 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
相变存储器件使用存储系统读取方法

[发明专利]存储器的读取方法以及电压补偿装置-CN202111216164.4在审
发明人：郭晓江;张超;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的读取方法，存储器包括多条字线以及连接于多条字线上的多个多位存储单元，多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，以读取多位存储单元的存储值，该读取方法包括：分别定义多阶预设读取电压的各阶至少一读取偏移量，选择多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压作为取样电压，对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据取样电压的取样读值，设定代表读取偏移量大小的偏移标志，之后，将多阶预设读取电压分别结合各阶预设读取电压对应于偏移标志的读取偏移量，对欲读取的多位存储单元进行读取，从而使得该欲读取的多位存储单元的预设读取电压得以补偿。
存储器读取方法以及电压补偿装置

[发明专利]存储器的读取方法以及电压补偿装置-CN202011121625.5有效
发明人：郭晓江;张超;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器的读取方法，存储器包括多条字线以及连接于多条字线上的多个多位存储单元，多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，以读取多位存储单元的存储值，该读取方法包括：分别定义多阶预设读取电压的各阶至少一读取偏移量，选择多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压作为取样电压，对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据取样电压的取样读值，设定代表读取偏移量大小的偏移标志，之后，将多阶预设读取电压分别结合各阶预设读取电压对应于偏移标志的读取偏移量，对欲读取的多位存储单元进行读取，从而使得该欲读取的多位存储单元的预设读取电压得以补偿。
存储器读取方法以及电压补偿装置

[发明专利]一种存储单元的读取方法及装置-CN201611051313.5在审
发明人：张建军;胡洪 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的读取方法及装置，该方法包括：接收读取指令；根据存储器芯片的当前温度以及存储单元的电流温度特性确定参考电流；向所述存储器芯片的存储单元施加读取电压，以使所述存储单元产生电流；根据所述参考电流以及流过所述存储单元的电流确定所述存储单元的状态本发明实施例提供的一种存储单元的读取方法，实现了根据存储器芯片不同的温度确定不同的参考电流，进而确保正确的读结果，改善存储单元的读取性能。
存储单元读取存储器芯片参考电流电流温度特性电流确定读取电压读取性能读取指令温度确定施加

[发明专利]闪存开卡程序的方法、闪存装置的闪存控制器及电子装置-CN202010868894.1在审
发明人：林璟辉 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开一种检查闪存装置的闪存的存储单元的方法，包括：写入数据至存储单元；以及执行数据读取操作以从存储单元中读取数据以比较所述所读取的数据及所述所写入的数据以检查数据是否被正确地写入至存储单元，所述数据读取操作包括：执行依序读取操作以依序地选取出第一存储单元并从所述第一存储单元中读取数据；如果所述第一存储单元损坏，则累加连续的损坏存储单元的个数的值；以及如果所述连续的损坏存储单元的所述个数的值大于所述第一门限个数的值，则退出所述依序读取操作并接着执行随机读取操作以读取特定存储单元的数据。本申请所提供的技术解决方案可以在所述时间限制到期前尽可能地令被开卡的闪存装置具有较大的总存储容量。
闪存程序方法装置控制器电子

[发明专利]检测读取速度受到干扰的方法和检测编程干扰的方法-CN201110391400.6有效
发明人：龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供一种检测读取速度受到干扰的方法，同时选通至少三根连续位线，在读取存储单元的信息的同时，测量与被读取存储单元施加较低电压的位线相邻的位线的电压，计算流过与所述被读取存储单元共用施加低电压的位线的存储单元的泄露电流，通过比较所述泄露电流与预设电流值，可以检测被读取存储单元读取速度是否受到相邻的存储单元的干扰。相应地，本发明还提供了检测编程干扰的方法，可以检测与被编程存储单元相邻的存储单元中原有的信息是否受到干扰。
检测读取速度受到干扰方法编程

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