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[发明专利]并联多值相变存储器的制备方法-CN200610119296.4无效
发明人：吕杭炳;林殷茵;汤庭鳌 -专利权人：复旦大学
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明属微电子技术领域，具体为一种多值存储相变存储器件的制备方法。它通过构建并联单元，实现相变存储器的多值存储。采用本发明方法制备的器件可以极大的提高存储密度，降低生产成本。
并联相变存储器制备方法

[发明专利]一种三维多值非挥发存储器的制备方法-CN201010597578.1无效
发明人：刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫峰;王艳花;王琴;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述多值非挥发存储器具有立体结构，基于电荷局域存储的特性，每个单元具有多个物理存储点，从而实现多值存储的特性。基于单个器件的立体结构，可以实现存储器阵列三维集成，从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成，采用现有存储器制造工艺即可实现，有利于本发明的推广和应用。
一种三维多值非挥发存储器制备方法

[发明专利]半导体存储器件及其控制方法-CN200610149567.0无效
发明人：小关隆夫;在田盟;山冈邦史;岩成俊一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表
半导体存储器件及其控制方法

[发明专利]三维多值非挥发存储器的制备方法-CN201010223356.3无效
发明人：刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫锋;王琴;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，该方法包括：A、在半导体衬底上形成栅极叠层结构；B、形成栅介质层；C、形成沟道区域及源/漏掺杂区；D、分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线，形成非挥发存储器的三维集成本发明综合利用了电荷俘获层中电荷局域化存储的性质和垂直堆叠结构的空间特性，在单个器件中获得多个物理存储点，实现多值存储，在存储器件阵列上形成三维集成，从而根本上提高了存储密度。同时本发明存储器可获得较优的编程、擦除、保持等器件性能。本发明电荷俘获型多值非挥发存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，可采用传统存储器阵列结构集成，利于广泛应用。
三维多值非挥发存储器制备方法

[发明专利]一种多值存储的阻变存储器件的制备方法-CN201210065232.6在审
发明人：李培刚;申婧翔;张岩;王顺利;唐为华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面氧空位而实现多值存储性能的阻变存储器件，具体是指以金属Ag和Ti为上下电极、以Nb:SrTiO3为阻变层的存储结构在多值存储性能上的实现。本发明是利用磁控溅射的方法在Nb:SrTiO3的衬底上溅射金属钛(Ti)薄膜，并涂覆金属银(Ag胶)，而得到了Ag/Nb:SrTiO3/Ti结构的存储器件并实现了多值存储的性能。本发明的优越性：在不同大小的正负偏压下通过氧空位调控势垒的高度来实现多值存储的优异性能。
一种存储器件制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法-CN201610914897.8在审
发明人：高旭;王穗东;刘艳花;徐建龙;仲亚楠;张中达 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管存储器及其多值存储方法，所述薄膜晶体管存储器采用双栅结构，在半导体薄膜两侧设置两个独立电荷存储层，并且通过编程施加一定的栅极、漏极电压，使电子或空穴分别注入上、下电荷存储层，在单个薄膜晶体管存储器中存储采用所述薄膜晶体管存储器多值存储方法对编程后阈值电压分布及电荷保持能力的要求与普通单个器件存储1位信息的薄膜晶体管存储器相同，并且多值存储的实现不以牺牲器件的可靠性与稳定性为代价，适用于当前的薄膜晶体管存储器
一种薄膜晶体管存储器及其存储方法

[发明专利]一种铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件-CN202210647254.7有效
发明人：周益春;廖佳佳;廖敏;周平安 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B51/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件，包括：衬底层；以及依次层叠设置在衬底层表面的组装栅介质和栅电极；其中，组装栅介质包括介电层以及若干组铁电模块，铁电模块沿着沟道方向间隔设置在介电层内；本发明的铁电组装栅场效应晶体管的多值存储器件，可以实现3‑bit及以上的高密度多值存储，且各存储态呈现分立的特征，可以有效避免存储器件在受到制备工艺涨落、环境温度涨落、串扰电场以及器件微疲劳导致的极化翻转出现扰动的时候
一种组装场效应晶体管存储器件

[发明专利]一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用-CN201910791592.6有效
发明人：李阳;王文晓;陈月辉;岳文静;高嵩 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明涉及阻变存储器技术领域，尤其涉及一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用。所述多值阻变存储器包括：底电极、PMMA层、ZnO QDs层和顶电极；其中，所述PMMA层和ZnO QDs层交替设置后夹在底电极和顶电极之间，且所述ZnO QDs为纳米级颗粒，其分布在PMMA层表面；所述相比于现有的RRAM，本发明的制备方法简单，展现出的低操作电压与无需电激活的特性有利于降低器件的功耗，而且通过调控施加在器件上的限制电流实现了多值存储，制备的器件在高密度低功耗存储中展现出了巨大的应用潜力
一种基于氧化锌量子多值阻变存储器及其制备方法应用

[发明专利]驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法-CN200910077526.9有效
发明人：刘明;张森;龙世兵;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电容驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法。该电路由多个用以存储电能且具有不同容值的电容、多个电压源、一电阻转变型存储器和一开关转换电路构成，所述多个电容通过开关转换电路连接于所述多个电压源和所述电阻转变型存储器。该方法将不同容值的电容充电到相同的电压，或将相同电容充电到不同电压，使电容存储有不同的电能；然后利用该存储有不同电能的电容作为信号激励源驱动电阻转变型存储器，改变电阻转变型存储器的电阻状态，使电阻转变型存储器达到不同的电阻状态，实现多值存储。利用本发明，采用简单的电路驱动电阻转变型存储器实现多值存储，在相同的器件面积情况下实现更高密度的存储。
驱动电阻转变存储器实现存储电路方法

[发明专利]一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法-CN201710167921.0有效
发明人：刘琦;伍法才;刘明;龙世兵;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种实现多值存储的阻变存储器制备方法。该方法包括：在硅片上生长下电极，再在其上生长功能层材料，接着对功能层进行离子注入，最后生长上电极。本发明的阻变存储器能够实现多值存储，大的开关电阻比，均一性好，结构简单，易集成等优点，有利于本发明的广泛推广应用。
一种实现存储存储器制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202110266480.6有效
发明人：高建峰;项金娟;刘卫兵;杨涛;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域，解决了现有技术中器件高低阻态及多值存储的实际控制困难、工艺重复性差的问题。本发明阻变存储器包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。本发明可以实现可控的高低阻态和多值存储特性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]存储器件、存储方法、读取装置和读取方法-CN202211015082.8有效
发明人：吴臻志;祝夭龙 -专利权人：北京灵汐科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器件、存储方法、读取装置和读取方法，属于计算机技术领域。该存储器件包括：至少两个二值存储单元，用于存储浮点数据的符号值和指数值；至少一个多值存储单元，用于存储浮点数据的有效数字值。根据本公开的实施例能够提高存储器件的整体精度。
存储器件方法读取装置

[发明专利]非易失性三维半导体存储器件的多值编程方法及系统-CN201910299538.X有效
发明人：缪向水;闫鹏;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器件的多值编程方法及系统，属于半导体存储技术领域，包括：根据数据编码关系确定待存储数据所对应的存储单元状态，作为目标状态；若目标状态为擦除状态，则多值编程操作结束；否则，对存储单元施加编程脉冲，并通过逐步增加编程脉冲的幅值和宽度的方式将存储单元从擦除状态依次编程到阈值电压较高的状态，以使得存储单元达到目标状态，从而实现多值编程；其中，数据编码关系为存储单元所存储的2比特数据的取值与存储单元状态的一一对应关系；编程过程中，存储单元在任意两个相邻状态下的阈值电压之差大于最小电压间隔。本发明可实现对非易失性三维半导体存储器件的多值编程，并具有较高的编程精度。
非易失性三维半导体存储器件编程方法系统

[发明专利]一种基于忆阻器的多值逻辑器件及操作方法-CN201610079085.6有效
发明人：李祎;王卓睿;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性多值逻辑器件及其操作方法。本发明基于忆阻器的多电阻状态转变特性实现了多值逻辑，如三值逻辑的完备集，提出了三值逻辑的取反、右旋以及多值T门逻辑的操作方法。逻辑运算结果都以非易失性电阻状态存储在器件中，从而在器件中实现逻辑运算功能并同时实现数据存储功能，亦即存储和计算的融合，由此为超越信息器件摩尔定律的限制和突破计算机架构中冯·诺依曼瓶颈奠定器件基础。本发明公开的忆阻多值逻辑器件能够作为基本单元应用于新型固态存储器、逻辑运算器、可编程门阵列和片上系统等领域，为推动新型计算机架构提供一条新的道路。
一种基于忆阻器多值逻辑器件操作方法

[发明专利]半导体多值存储器件-CN99105776.7无效
发明人：日比野健次 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-04-14 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G11C17/00 文献下载
摘要：一种半导体多值只读存储器件，将多值数据存储在一个存储单元阵列(21a)中，而将多值参考数据存储在一个参考单元阵列(22a/22b/22c)中，为了读出该多值数据及对应的多值参考数据，在不同定时(t11/t12/t13)逐级地将字线(WL)及参考字线(Wla/WLb/WLc)变为多种不同的有效电平(VG1/VG2/VG3)，以通过对每个多值数据与多值参考数据进行比较来确定其值，从而使其不会受到偏移阈值及无意中被偏移的有效电平的影响
半导体存储器件

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