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[实用新型]参考电压电路-CN201220049332.5有效
发明人：张美玲;宗强;郜小茹 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种参考电压电路，包括连接在耗尽型PMOS晶体管的漏极和增强型PMOS晶体管的源极之间的增强型PMOS晶体管组件，该增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管，或者，包括：连接在耗尽型PMOS晶体管的源极上的电流镜和连接在所述电流镜和增强型PMOS晶体管之间的增强型PMOS晶体管组件，其中：所述增强型PMOS晶体管组件至少包括一个增强型PMOS晶体管。具体的，本实用新型公开的参考电压电路，增加包括至少一个增强型PMOS晶体管的增强型PMOS晶体管组件，其输出电压相应的增加了至少一个增强型PMOS晶体管的栅源电压。
参考电压电路

[发明专利]具有增加可靠性的高功率半导体电子部件-CN201280049496.0有效
发明人：拉柯许·K·拉尔;罗伯特·科菲;吴毅锋;普里米特·帕里克;尤瓦扎·多拉;乌梅什·米什拉;斯拉班缇·乔杜里;尼古拉斯·费希滕鲍姆 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。
具有增加可靠性功率半导体电子部件

[实用新型]一种参考电压电路-CN200920153847.8有效
发明人：张美玲;胡林辉;陆云;程坤 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种参考电压电路，包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管，所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同，其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂，第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。采用相同的阈值调节注入技术，可以使两个NMOS晶体管的导电沟道分布完全相同，这样可以使两个NMOS晶体管的阈值电压和跨导随温度变化的程度相同，从而由这两个NMOS晶体管构成的参考电压电路输出的电压随工艺变化很小
一种参考电压电路

[发明专利]一种混合型高压增强型器件结构及其封装件-CN201610458471.6在审
发明人：姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本发明提供一种混合型高压增强型器件结构及其封装件，所述混合型高压增强型器件结构包括低压增强型晶体管及高压耗尽型晶体管，所述低压增强型晶体管的源端与所述高压耗尽型晶体管的栅端共同连接于源极输出端；所述低压增强型晶体管的栅端连接于栅极输出端；所述高压耗尽型晶体管的漏端连接于漏极输出端；所述高压耗尽型晶体管的源端与所述低压增强型晶体管的漏端相连。本发明用于解决现有技术中传统的工艺很难获得高可靠性的高压增强型晶体管且制作工艺要求高的问题。
一种混合高压增强器件结构及其封装

[实用新型]参考电压器件-CN200920149712.4有效
发明人：陆云;胡林辉;张美玲;王燕萍 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种参考电压器件，包括耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管，其中，耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且耗尽型PMOS晶体管和增强型PMOS晶体管的导电沟道内的离子分布完全相同，且耗尽型PMOS晶体管的栅极为P型掺杂，增强型PMOS晶体管的栅极为N型掺杂，该参考电压器件的阈值电压不易随温度变化，稳定性好。
参考电压器件

[发明专利]一种Bypass开关偏置电压产生电路-CN202210259807.1有效
发明人：项勇;戈泽宇;陈浪;陈力生 -专利权人：苏州悉芯射频微电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：其中第一增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第二增强型FET晶体管栅极相连，第一增强型FET晶体管的源极接地，漏极与第二电阻相连。第二增强型FET晶体管的栅极与控制电压和第一增强型FET晶体管的栅极相连，漏极与自身栅极相连，源极与第三电阻相连。第一电阻上端与电源电压VDD相连，下端与偏置电压相连。第二电阻上端与第三电阻和偏置电压相连，下端与第一增强型FET晶体管的漏极相连。第三电阻的下端与第二电阻相连，上端与第二增强型FET晶体管的源极相连。控制电压Vctrl控制第一增强型FET晶体管的通断，第二增强型FET晶体管和第三电阻组成单向电压跟随器。
一种 bypass 开关偏置电压产生电路

[其他]宽带信号空间耦合装置-CN86107249无效
发明人：鲁迪格尔·霍夫曼 -专利权人：西门子公司
申请日： 1986-10-25 - 公布日： 1987-05-06 - 主分类号： H04J3/08 文献下载
摘要：在一个宽带信号空间耦合装置中，每个可由一译码器控制的、耦合点专用的存贮单元控制的耦合元件，由一位于耦合元件输入与输出之间的增强型MOS晶体管的C-MOS变换线路构成。其中，在P沟道增强型晶体管与所属电势源之间，附加了另一同样为增强型的P沟道晶体管；而在n沟道增强型晶体管与所属电势源之间，附加了另一同样为增强型的n沟道晶体管。上述两个附加的增强型晶体管的控制极均接在前述存贮单元的输出端上。
宽带信号空间耦合装置

[实用新型]全自动固态断路器-CN201120104648.5无效
发明人：盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：它包括相互电连接的耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻，所述耗尽型晶体管为耗尽型结型场效应晶体管JFET或耗尽型金属场效应晶体管MOSFET，增强型晶体管为增强型结型场效应晶体管JFET或增强型金属场效应晶体管MOSFET或双极性晶体管，所述耗尽型晶体管有至少有一个，增强型晶体管至少有两个，电阻至少有两个。
全自动固态断路器

[发明专利]半导体电子部件和电路-CN201180009225.8有效
发明人：普里米特·帕里克;詹姆斯·霍尼亚;小卡尔·C·布莱克;罗伯特·科菲;吴毅锋;乌梅什·米什拉 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2011-02-02 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。
半导体电子部件电路

[发明专利]用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法-CN201910789929.X有效
发明人：周德金 -专利权人：珠海镓旦科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法，所述封装结构包括封装外壳，其中包括高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板，低压增强型晶体管的源极、高压耗尽型晶体管的栅极和电压调整电路的下端被连接在一起并且被电连接到整个封装结构的源极引线，低压增强型晶体管的栅极电连接到整个封装结构的栅极引线，高压耗尽型晶体管的漏极电连接到整个封装结构的漏极引线，高压耗尽型晶体管的源极电连接到低压增强型晶体管的漏极和电压调整电路的上端。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化。
用于级联增强 gan hemt 器件寄生参数封装结构及其方法

[发明专利]基于级联电路的半导体封装结构-CN201510991622.X有效
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于级联电路的半导体封装结构，包括：高压耗尽型半导体晶体管；低压增强型半导体晶体管；导电支撑片，高压耗尽型半导体晶体管和所述低压增强型半导体晶体管固定于导电支撑片上；管壳，管壳上设有高压端子、第一低压端子及第二低压端子；级联电路，高压耗尽型半导体晶体管、低压增强型半导体晶体管及管壳间通过级联电路电连接，其中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极直接固定于导电支撑片上并导电支撑片电连接本发明的半导体封装结构中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极通过导电支撑片电连接，可有效减少引入的寄生电感和寄生电阻，提高器件的工作性能。
基于级联电路半导体封装结构

[发明专利]高精度电压基准电路-CN200910023592.8无效
发明人：刘成;魏廷存;孙井龙 -专利权人：西安龙腾微电子科技发展有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度电压基准电路，包括耗尽型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M5，其特点是还包括一个耗尽型NMOS晶体管M3，所述耗尽型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD，耗尽型NMOS晶体管M3的栅极和源极相连并与耗尽型NMOS晶体管M4的漏极连接，耗尽型NMOS晶体管M4的栅极和源极相连并连接到增强型NMOS晶体管M5的漏极，增强型NMOS晶体管M5的栅极和漏极相连接，增强型NMOS晶体管M5的源极和负电源VSS相连接，增强型NMOS晶体管M5的栅极即为电压基准的输出端。由于耗尽型NMOS晶体管M3和耗尽型NMOS晶体管M4组成共源共栅电路，具有很高的输出阻抗，从而稳定了电压基准的输出。
高精度电压基准电路

[发明专利]下拉电路及半导体装置-CN200910004067.1有效
发明人：宇都宫文靖 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：下拉电路由耗尽型NMOS晶体管和增强型NMOS晶体管构成，该耗尽型NMOS晶体管的栅极与接地电位连接，该增强型NMOS晶体管的栅极和漏极与耗尽型NMOS晶体管的源极连接，而源极与接地电位连接。耗尽型NMOS晶体管的过驱动电压低至增强型NMOS晶体管的阈值电压，可减小耗尽型NMOS晶体管的尺寸。因而，可减小下拉电路的面积。
下拉电路半导体装置

[发明专利]一种反相器-CN202011283281.8在审
发明人：陈欣璐;黄兴 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：该反相器包括：增强型晶体管Q1和Q2，以及控制电路C，该增强型晶体管Q1的漏极与母线电压VD相连接，源极与该增强型晶体管Q2的漏极以及电压输出端VOUT相连，栅极与该控制电路C的输出相连；该增强型晶体管Q2的漏极与Q1的源极以及电压输出端VOUT相连，源极接地，栅极与输入电压VIN相连；该控制电路C与该增强型晶体管Q1的栅极、输入电压VIN、以及母线电压VD相连，用于使增强型晶体管Q1和Q2的开通状态反相利用本发明的实施方式，由于增强型晶体管Q1不是处于常开的状态，因而可以减少电路损耗。
一种反相器

[发明专利]一种基于增强型晶体管的电流复用低噪声放大器-CN202210833366.1有效
发明人：姚鸿飞 -专利权人：北京信芯科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于增强型晶体管的电流复用低噪声放大器，其包括第一级放大电路、第二级放大电路、输入匹配电路、输出匹配电路、级间匹配电路和电流复用电路；所述第一级放大电路中包括第一增强型晶体管、第一栅漏负反馈网络、第一偏置网络和第一源极负反馈网络；所述第二级放大电路中包括第二增强型晶体管、第二栅漏负反馈网络、第二偏置网络和第二源极负反馈网络；所述电流复用电路将第二增强型晶体管源极电压分压至第一偏置网络及第一增强型晶体管的漏极，从而将第二增强型晶体管的部分电流复用至第一增强型晶体管。
一种基于增强晶体管电流低噪声放大器

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