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[发明专利]一种超精细无极金属丝栅网封装环-CN201410080071.7有效
发明人：陈新;韦青海;王晗;刘强;陈新度 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G01R1/02 文献下载
摘要：本发明是一种超精细无极金属丝栅网封装环。包括有栅网基环、栅网盖环、金属栅网、橡胶垫圈、玻璃胶，其中栅网基环下部设有基环啮合面，且基环啮合面上绕出金属栅网，栅网盖环上部设有盖环啮合面，栅网盖环所设盖环啮合面上设有胶水橡胶槽，胶水橡胶槽里注入玻璃胶，使之不漫出；橡胶垫圈套在栅网盖环上，栅网盖环通过其上部所设的盖环啮合面套到栅网基环下部所设的基环啮合面上，用压紧力将两环压紧，橡胶垫圈受到压力将胶水橡胶槽里的玻璃胶从橡胶垫圈的空隙中挤出，被挤出的玻璃胶将金属丝紧黏在基环啮合面、盖环啮合面及橡胶垫圈上，同时也将栅网基环、栅网盖环、橡胶垫圈黏固在一起。本发明封装结构及原理简单，易于操作，生产成本低，且保证了栅环质量。
一种精细无极金属丝封装

[实用新型]超精细无极金属丝栅网封装环-CN201420099745.3有效
发明人：陈新;韦青海;王晗;刘强;陈新度 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G01R1/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种超精细无极金属丝栅网封装环。包括栅网基环、栅网盖环、金属栅网、橡胶垫圈、玻璃胶，其中栅网基环下部设有基环啮合面，且基环啮合面上绕出金属栅网，栅网盖环上部设有盖环啮合面，栅网盖环所设盖环啮合面上设有胶水橡胶槽，胶水橡胶槽里注入玻璃胶；橡胶垫圈套在栅网盖环上，栅网盖环通过其上部所设的盖环啮合面套到栅网基环下部所设的基环啮合面上，用压紧力将两环压紧，橡胶垫圈受到压力将胶水橡胶槽里的玻璃胶从橡胶垫圈的空隙中挤出，被挤出的玻璃胶将金属丝紧黏在基环啮合面、盖环啮合面及橡胶垫圈上，同时也将栅网基环、栅网盖环、橡胶垫圈黏固在一起。本实用新型封装结构及原理简单，易于操作，生产成本低，且保证栅环质量。
精细无极金属丝封装

[实用新型]一种增量式磁栅尺磁性参考点的安装装置-CN202020122747.5有效
发明人：艾鹰;董俊;阎素珍;潘卫红 -专利权人：广州市精谷智能科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B23P19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增量式磁栅尺磁性参考点的安装装置，包括安装基面、磁栅卡槽和磁屏蔽隔片，所述磁栅卡槽设置在安装基面上，所述磁栅卡槽底部设有一条长空槽，侧面设有一凹槽，所述磁屏蔽隔片设置在凹槽内；安装时，先将磁性参考点吸附在磁屏蔽隔片上，屏蔽磁性参考点的磁场磁化作用，通过磁栅卡槽底部的长空槽卡住已安装在安装基面上的磁栅，最后将磁性参考点固定在安装基面上。本实用新型可依据磁栅位置，方便地调整磁性参考点的安装位置以获得准确的参考点位置信号，同时可屏蔽磁性参考点在安装过程中对磁栅的影响，以保证磁栅尺的检测精度。
一种增量式磁栅尺磁性参考安装装置

[发明专利]一种用于经编机舌针锡基浇铸工装-CN201510485251.8有效
发明人：刘芬;杨兴财;顾齐锋 -专利权人：福建佶龙机械科技股份有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B22D19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于经编机舌针锡基浇铸工装，包括下浇铸块，下浇铸块两侧分别设有第一墙板和第二墙板，下浇铸块上纵向并排固定有第一定位块和第二定位块，第一定位块和第二定位块上分别设有一排等间距的第一栅槽和第二栅槽，第一栅槽和第二栅槽槽口一一对齐，第一栅槽和第二栅槽内共同置有一排舌针，下浇铸块的上方设有上浇铸块，下浇铸块、上浇铸块、第一墙板、第二墙板以及第二定位块间围合形成用于浇铸舌针锡基的腔室，该用于经编机舌针锡基浇铸工装，结构简单，操作方便，浇铸出的锡基精度高。
一种用于经编机舌针锡基浇铸工装

[发明专利]实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法-CN200710177790.0无效
发明人：徐静波;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法流程图，该方法利用常规D MHEMT外延材料，在常规D MHEMT外延材料上依次进行如下工艺步骤：源漏制作、台面隔离、增强栅光刻、增强型栅槽腐蚀、蒸发Pt/Ti/Pt/Au作为增强型栅金属、耗尽型栅光刻、耗尽型栅槽腐蚀、蒸发Ti/Pt/Au作为耗尽型栅金属、退火处理、金属布线和金属剥离，实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型MHEMT。利用本发明，达到了利用常规D MHEMT外延材料实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的目的。
实现单片集成 gaas mhemt 方法

[发明专利]铅基蓄电池-CN201810986969.9在审
发明人：杨宇光;马宝华 -专利权人：北京润宝利德科技有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01M10/14 文献下载
摘要：本发明属于电池领域，具体涉及改进的铅基蓄电池。铅基蓄电池的正极板包括两块贴合的蓄电池板栅，蓄电池板栅具有相对设置的背离面和接触面，两块蓄电池板栅的接触面相互贴合；背离面开设多个铅膏栅孔，接触面开设多根平行的直线状汇流排联条槽，使得电荷经铅膏栅孔流入汇流排联条槽、并汇流至正极端子；汇流排联条插入汇流排联条槽中、并与正极端子电连接；含有二氧化铅的铅膏固定于铅膏栅孔内。本发明的铅基蓄电池具有环保、提高的比能量、化学物质结合牢固和制备工艺流程简单、设备成本低廉等优点。
汇流蓄电池铅膏铅基蓄电池板栅条槽栅孔正极端子贴合背离电池领域二氧化铅化学物质设备成本相对设置电荷工艺流程比能量电连接正极板直线状制备平行环保改进

[发明专利]GaN基HEMT器件栅极结构-CN201710037479.X在审
发明人：黄森;刘新宇;王鑫华;康玄武;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT器件栅极结构，涉及电子器件技术领域。本发明提出的GaN基HEMT器件包括凹栅槽和复合栅极结构，所述的复合栅极结构位于III族氮化物层级结构的凹栅槽中，由一层较薄的低界面态介质插入层和一层高绝缘栅介质层构成，其中高绝缘栅介质层可以是非掺或P型掺杂的高击穿电场绝缘介质，低界面态介质插入层是具备较高晶体质量的AlN，SiNx，InxGa1‑xN或GaOx薄膜，用于降低高绝缘栅介质层与III族氮化物凹栅槽结构之间的界面态密度，提高HEMT电子器件的阈值和可靠性，从而推动GaN基HEMT器件在高压电力电子领域的应用。
gan hemt 器件栅极结构

[发明专利]一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510844510.1在审
发明人：张鹏;何云龙;宓珉翰;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后再在Fin结构的栅位置光刻形成金属栅图形，刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的SiN，然后在Fin结构侧壁形成介质层，最后在栅槽位置光刻栅图形，在整个结构表面进行金属蒸发，并剥离掉光刻胶，形成金属栅；其中，刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。
一种基于 gan hemt 器件 fin 及其制备方法

[实用新型]一种增量式磁栅读磁头密封壳-CN202220021128.6有效
发明人：邬玉家;王艺 -专利权人：东莞市普迈精密测量科技有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增量式磁栅读磁头密封壳，包括基壳和磁栅盖板，所述磁栅盖板设置在基壳的顶部，所述基壳包括方槽，所述方槽顶部的开口处开设有与磁栅盖板相配合的安置槽，所述方槽的底部开设有磁感应槽，所述方槽的内部设置有安装机构，所述安装机构有两个，两个所述安装机构分别分布在磁感应槽外围的两侧，组装时磁栅盖板对应嵌入安置槽内部，提高方槽开口处的密封性，第一螺纹孔开设在凸块上并贯通方槽的侧壁，凸块起到密封的作用，避免第一螺纹孔直接贯通方槽，进一步提高密封性，使组装完成的读磁头更加耐油污、灰尘、润滑剂等的污染；方槽四条侧楞和顶端面的四条侧边均为圆角结构，生产时便于进行脱模，使用时防止应力集中。
一种增量式磁栅读磁头密封

[发明专利]氮化镓基电子器件及其制作方法-CN202011128395.5在审
发明人：郭富强;黄森;王鑫华;魏珂;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开是一种氮化镓基电子器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成Al(In，Ga)N/GaN异质结构；在Al(In，Ga)N/GaN异质结构上形成钝化层；在钝化层上制作槽形标记；以槽形标记为对准标记对钝化层进行刻蚀形成栅槽并淀积栅介质；以槽形标记为对准标记制作金属标记；以金属标记为对准标记形成欧姆接触层；隔离；在栅介质上淀积栅金属。本公开采用槽形标记，避免了高温栅介质沉积前金属对介质生长的污染，将栅介质沉积工艺提高到500‑1000℃，显著提高了栅的可靠性，高温含Au欧姆合金技术与低温不含Au欧姆技术的双重选择，使GaN基器件可在含
氮化电子器件及其制作方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺-CN200510093369.2无效
发明人：李海鸥;张海英;尹军舰;叶甜春;和致经 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种砷化镓基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型PHEMT器件材料上制作晶体管栅，其采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一步，采用湿法腐蚀得到增强型栅槽，电子束蒸发金属Pt/Au形成增强型肖特基栅；第二步，采用湿法腐蚀得到耗尽型栅槽，电子束蒸发金属Ti/Pt/Au形成耗尽型肖特基栅。
砷化镓基增强耗尽型赝配高电子迁移率晶体管制作工艺

[实用新型]一种填料塔填料支撑格栅-CN202122660652.6有效
发明人：王文峰 -专利权人：上海霍卫工艺设备有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B01J19/32 文献下载
摘要：包括：上栅板和下基板，上栅板设于下基板上，上栅板与下基板插合连接，上栅板的底面设有底杆，底杆下端设有插接槽，插接槽的侧壁向内设有空腔，空腔内设有弹簧和抵珠，抵珠嵌设于插接槽的侧壁上，上栅板的顶面设有相互平行的栅条，栅条设于底杆上；下基板包括外框和基杆，基杆的两端固定于外框上，插接柱的侧面上设有凹弧面，一个插接柱插入一个插接槽中设置，抵珠与凹弧面抵靠。通过可分离插接式的上栅板和下基板，实现将填料支撑格栅的更换过程简单化，无需拆除整个填料支撑格栅进行更换，可根据需要灵活调整更换不同规格的上栅板，提高填料支撑格栅的灵活性和实用性。
一种填料支撑格栅

[实用新型]一种驻车检测装置-CN201920336607.5有效
发明人：焦凤芹 -专利权人：焦凤芹
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B60T17/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种驻车检测装置，包括行星齿轮架，以及设于所述星齿轮架内的伞状从动齿盘和输出轴：行星齿轮架上设有与其内部相连通的安装槽，安装槽包括槽座，槽座的槽壁上设有多个固定孔和一个引线穿孔，安装槽内插设有磁栅传感器，磁栅传感器上设有插设于引线穿孔内的引线，引线与信号采集装置电气连接，磁栅传感器通过螺栓固定于安装槽内，输出轴上设有固定基槽，固定基槽内贴敷设有与输出轴的轴壁共曲面的磁栅，磁栅和输出轴的外壁上套设有护套
一种车检装置

[发明专利]一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法-CN200810115563.X无效
发明人：黎明;张海英;付晓君;徐静波 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，包括：在MHEMT材料外延结构上制备源漏电极；在制备了源漏电极的MHEMT材料外延结构上对有源区进行腐蚀隔离，形成隔离台面；采用三层涂胶工艺，利用电子束光刻技术，制作出200nm的T型栅，并采用柠檬酸系溶液腐蚀栅槽，蒸发Ti/Pt/Au作为栅极金属；光刻布线，蒸发布线金属Ti//Au，丙酮浸泡剥离，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制作利用本发明，制作出了T型栅结构GaAs基MHEMT器件，获得了优越的直流、高频和功率性能，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础。
一种制作 200 nm gaas mhemt 器件方法

[实用新型]一种光学音圈电机调焦模组-CN202222328669.6有效
发明人：陶立军;蔡亮;付兴威;徐侠;张远强 -专利权人：奔腾激光(浙江)股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光学音圈电机调焦模组，其技术方案要点是包括有安装底板和镜筒固定座，安装底板上设有音圈电机和磁栅尺感应装置，音圈电机包括有磁体部件和线圈部件，磁栅尺感应装置包括有磁栅尺读数头和磁栅基尺，磁栅尺读数头能够通过磁栅基尺将检测到镜筒固定座的运动位置；安装底板上设有滑轨，镜筒固定座上设有滑座，滑轨两侧均开设有导向槽，滑座上开设有用于供滑轨嵌入的嵌槽，嵌槽内沿其宽度两侧的内侧壁上均开设有滑槽，导向槽与滑槽的横截面均成V字形结构设并且开口朝向对应设，导向槽与滑槽之间转动连接有滚珠，滚珠抵接于滑槽与导向槽内，滑座上于两滑槽的开口处均设有保持架。
一种光学电机调焦模组

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