专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单相尖晶石氧化物及制备方法及应用-CN202011238470.3有效
  • 赵艺含;李明亚;王晓强;戴塞飞;祝海洋 - 东北大学秦皇岛分校
  • 2020-11-09 - 2023-01-24 - C01G53/00
  • 本发明属于氧化物材料技术领域,具体涉及几种单相尖晶石氧化物及制备方法及应用。本发明的在目前已有的尖晶石(CoCrFeMnNi)3O4氧化物材料的基础上进行扩展,制备新体系的单相尖晶石氧化物,扩展尖晶石氧化物成分范围,并且发现并提出了制备出的新体系单相尖晶石氧化物在电致变色领域的应用,进一步扩展其应用领域。本发明扩展了尖晶石氧化物成分范围;采用溶胶‑凝胶燃烧法制备的单相尖晶石氧化物粉体材料纯度、粒度细小且各元素分布均匀;采用旋涂法,工艺简单,制备的单相尖晶石氧化物薄膜材料均匀性良好,同时提出了这些单相尖晶石氧化物作为电致变色材料的应用
  • 单相尖晶石型高熵氧化物制备方法应用
  • [发明专利]一种萤石陶瓷制备方法-CN202310337144.5在审
  • 苗洋;孟子茜;任贝;郝睿鑫;刘宇峰;程富豪;王晓敏 - 太原理工大学
  • 2023-03-31 - 2023-07-04 - C04B35/50
  • 本发明涉及高性能陶瓷技术领域,特别是涉及一种萤石陶瓷制备方法。通过将陶瓷粉末进行煅烧处理,得到所述萤石陶瓷。陶瓷粉末的制备方法包括以下步骤:将过渡金属盐与稀土金属盐和A物质分散于水中,得到混合溶液;向所述混合溶液中滴加沉淀剂至沉淀完全,静置后离心,所得沉淀洗涤后烘干,研磨,得到所述陶瓷粉末。本发明采用共沉淀法制备陶瓷前驱体粉末(陶瓷粉末),所需实验设备简单,操作容易,便于规模生产,同时能够显著降低陶瓷粉体的烧结温度,在1000~1400℃温度范围内即可实现陶瓷的快速烧结,获得具有萤石结构的陶瓷
  • 一种萤石型高熵陶瓷制备方法
  • [发明专利]一系列立方萤石铈氧化物纳米粉体及其制备方法-CN202010605148.3有效
  • 王红洁;徐亮;苏磊;陈佳文;彭康 - 西安交通大学
  • 2020-06-29 - 2022-03-08 - C04B35/50
  • 本发明公开了一系列立方萤石铈氧化物纳米粉体及其制备方法,该系列氧化物化学分子式为Re2Ce2O7,其中Re为稀土金属元素La,Er,Nd,Sm,Gd,Dy,Yb,Lu和Sc,Y任意五种的等摩尔比组合,其晶体结构为立方萤石结构。该系列氧化物均为铈氧化物,具有均匀的单相结构。该方法具有工艺简单,所制备的产物纯度,产量大适合大规模生产,成分可调的优点。该系列铈氧化物纳米粉体具有纯度,高温稳定性好的优势。另外该系列铈氧化物能够通过调控其组成元素实现对其性能进行调整,便于更好的应对不同的服役条件,与此同时填补了氧化物的研究空白,丰富材料体系,拓展陶瓷的应用范围。
  • 一系列立方萤石型高熵铈氧化物纳米及其制备方法
  • [发明专利]一种L12-CN202010422664.2有效
  • 张楠楠;金冰倩;于惠舒;马永亮;郝德喜;李德元;郭旭敏;马佳林 - 沈阳工业大学
  • 2020-05-19 - 2022-02-08 - C22C30/00
  • 本发明涉及合金制备技术领域,具体涉及一种L12析出强化合金及其制备方法,适用于室温服役下应用的高强耐磨的零部件。该L12析出强化合金是在体心立方结构的AlCoCrFeNi合金中直接掺入TiN陶瓷相,得到含有纳米结构(Ni3[Al,Ti])的AlCoCrFeNi(TiN)x合金,x为0.2、0.4、0.6、0.8、1.0。本发明通过真空电弧炉熔炼技术制备含陶瓷相的合金,并且通过调节不同原子比的TiN元素含量,获得韧性较好的L12纳米结构(Ni3[Al,Ti]),分析观察力学性能的变化,从而获得最佳的综合力学性能的合金。
  • 一种l1basesub
  • [发明专利]一种TiZrVNbAl系含能合金药罩及其制备方法-CN202210680795.X有效
  • 王本鹏;王旭涛;靳柯;薛云飞 - 北京理工大学
  • 2022-06-15 - 2023-10-20 - F42B3/28
  • 本发明涉及一种TiZrVNbAl系含能合金药罩及其制备方法,属于含能合金材料技术领域。所述药罩的含能合金的原子百分比表达式记为TiaZrbVcNbdAleMx,其中M为Cr、Cu、Mo、Mg和Ni中的一种或多种,利用多主元效应引入多种活性元素,同时优化各元素的含量以及调控微观组织结构,使含能合金药罩具有低密度、良好的变形能力、优异的高温强度以及释能等特性,实现兼顾穿深、大扩孔以及强后效毁伤的效果;另外,采用熔炼、固溶以及失效工艺即可制得所述含能合金药罩,工艺操作简单,工艺条件易于调控,生产效率,且易于实现工业化生产,具有良好的应用前景。
  • 一种tizrvnbal系含能高熵合金药型罩及其制备方法

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