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[发明专利]一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法-CN201711282011.3有效
发明人：麦耀华;张翠苓;李闻哲;范建东;马云平;李红亮 -专利权人：暨南大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿型太阳能电池，包括FTO、电子传输层、钙钛矿、空穴传输层、电极；其中，所述钙钛矿层是用简易近空间升华法制得。构成钙钛矿的材料选自乙酰丙酮金属盐和醋酸盐的至少一种。此方法既减少了成本，又能低温制备，薄膜覆盖度也大大提高，可以用来做大面积器件，为将来的产业化提供了可行性方法。
一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于双效种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法-CN201910339577.8有效
发明人：赵兴中;汪少夫;刘钰旻 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双效种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法，属于钙钛矿型太阳能电池技术领域。本发明采用两步沉积法制备钙钛矿光伏薄膜，通过在PbI2前驱体溶液中加入CsPbX3晶种，为钙钛矿光伏薄膜生长过程提供了晶核，然后在PbI2层上沉积FAI/MAI溶液加热退火得到钙钛矿光伏薄膜。本发明有效提升钙钛矿光伏薄膜的结晶性，钙钛矿晶粒明显增大，显著提高太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子以及光电转换效率。此外，由于Cs+离子被引入钙钛矿光伏薄膜，钙钛矿光伏薄膜的光照稳定性得到改善。该方法简单实用，成本低，易推广，对改善钙钛矿光伏薄膜的光伏性能有重大借鉴意义。
一种基于种子生长钙钛矿光伏薄膜制备方法

[发明专利]低温制备混合晶型钙钛矿材料的方法-CN201610605842.9在审
发明人：赵一新;钱旭芳;张太阳;李戈;郭男杰;岳东亭;阚淼;贾爱华;任孟;徐凤 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温制备混合晶型钙钛矿材料的方法，所述方法包括以下步骤：在配制的前驱体溶液中通入盐酸气体，得溶液A；将溶液A旋涂到钙钛矿薄膜上，旋涂后低温退火，即得混合晶型钙钛矿材料。该方法避免了因温度过高导致的退火过程中钙钛矿材料的分解，同时降低了能耗，对实际应用具有重要意义。
低温制备混合晶型钙钛矿材料方法

[发明专利]一种在碳电极中嵌入P型纳米材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201810010269.6在审
发明人：楚亮;李兴鳌 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种在碳电极中嵌入P型纳米材料以增强无空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，通过在碳浆料中直接嵌入P型纳米材料，增强钙钛矿太阳能电池的性能，实现稳定性高，成本低，性能高的钙钛矿太阳能电池，对推动钙钛矿太阳能电池的商业化意义重大。
太阳能电池钙钛矿纳米材料嵌入碳电极制备空穴传输层碳浆料

[发明专利]一种掺杂三水合醋酸铅的钙钛矿太阳能电池及制备方法-CN201710517747.8在审
发明人：闫小琴;郭艳;李明华;张汝晓 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿太阳能电池领域，提供了一种掺杂三水合醋酸铅的钙钛矿型薄膜太阳能电池及制备方法；该钙钛矿太阳能电池依次包括透明电极，电子传输层，钙钛矿吸光层，空穴传输层和金属电极；所述钙钛矿吸光层是在钙钛矿前驱体溶液中掺杂三水合醋酸铅所得到，掺杂三水合醋酸铅起到了钝化晶界的作用，从而抑制了电子空穴的复合，使晶粒均匀增大，提高了钙钛矿薄膜的质量，从而大大提高了钙钛矿电池的光电转换效率；本发明方法所制备的钙钛矿吸光层可以使电池效率大幅度提高，
一种掺杂水合醋酸钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种宽带和窄带一体化的倍增型钙钛矿光电探测器-CN202210012715.3有效
发明人：刘琳琳;苏小钧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明属于窄带和宽带钙钛矿光电探测技术领域，具体提供了一种宽带和窄带一体化的倍增型钙钛矿光电探测器。本发明采用钙钛矿单晶作为活性层，聚合物覆盖于钙钛矿单晶表面作为隔离层和空穴传输层。光由ITO方向入射，在反偏压下，短波长在厚度约16μm钙钛矿单晶中产生光生载流子并在其内部复合淬灭，同时空穴由银电极诱导注入，因此在钙钛矿吸收带边附近表现为窄带响应。同时，在正向偏压下，在钙钛矿中受短波长光激发出的光生载流子在空穴传输层与钙钛矿界面聚集，且正偏压下的外加电场方向诱导空穴由ITO注入，从而形成卤化物钙钛矿吸收波长范围的宽带倍增光电探测器。
一种宽带窄带一体化倍增型钙钛矿光电探测器

[发明专利]锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法、以及半导体结构体-CN201680042083.8在审
发明人：菊地谅介;中村透;羽藤一仁;长谷川哲也;广濑靖 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的锐钛矿型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如锐钛矿型铌氧氮化物膜(120))。
锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法以及半导体结构

[发明专利]一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法-CN202210262564.7在审
发明人：李立宏;向钟元;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料制备技术领域，公开了一种一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法。该一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料为棒状，其结构表达式为ABO3。制备方法包括：(1)将五氧化二铌、第一碱金属盐或碱土金属盐、第一熔盐进行混合以及焙烧处理，得到一维非钙钛矿型铌酸盐；（2）将所述非钙钛矿型铌酸盐与酸通过离子交换反应得到含水合氢离子的一维非钙钛矿型铌酸盐；（3）将所述含水合氢离子的一维非钙钛矿型铌酸盐经过热分解得到一维棒状Nb2O5；（4）将所述一维棒状Nb钙钛矿型铌酸盐压电材料。
金属掺杂钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201910279990.X在审
发明人：田汉民;常卫洪;方国川 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子阻挡结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子阻挡结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加由P型氧化镍组成的电子阻挡结构层。钙钛矿光吸收层与电子阻挡结构层具备相匹配的能级。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷，以及还可以起到保护界面的作用。
一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510783542.5有效
发明人：田汉民;毕文刚;张天;花中秋;戎小莹;杨瑞霞;王伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-11-15 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。
钙钛矿异质结太阳电池晶硅薄膜电子空穴复合光吸收层抑制结构晶硅层制备致密二氧化钛能级半导体器件电子传输层光能转换晶硅薄膜内部短路透明导电背电极漏电流基底匹配

[发明专利]一种制备钙钛矿薄膜的方法及应用-CN202110659467.7在审
发明人：姚建铨;唐新;李腾腾;李庆岩;赵宏亮;王思磊;李梦瑶 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备钙钛矿薄膜的方法及应用，步骤如下：S1：制备钙钛矿前驱液；S2：在钙钛矿前驱液旋涂过程中滴加预热处理后的叔丁醇反溶剂；S3：依次进行热退火和溶剂退火处理得到钙钛矿薄膜。本发明引入低毒性环保型试剂——叔丁醇，作为在空气环境（相对湿度在10‑30%范围内）制备钙钛矿的反溶剂，可以减少在成核过程中空气水分对钙钛矿的分解作用，改善钙钛矿薄膜的结晶状况，结合预热处理和溶剂退火工艺的优化过程，最终形成均匀、光滑、无针孔、呈镜面的高质量钙钛矿薄膜。
一种制备钙钛矿薄膜方法应用

[发明专利]一种锡铅钙钛矿薄膜及锡铅钙钛矿太阳能电池-CN202310718426.X在审
发明人：李子涵;陈瑞;邵君 -专利权人：极电光能有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿电池技术领域，具体涉及一种高稳定性锡铅钙钛矿薄膜以及锡铅钙钛矿太阳能电池。本发明所述锡铅钙钛矿薄膜及太阳能电池，通过在制备过程中引入选定结构的含氟咪唑啉型离子化合物，该离子化合物分布在锡铅钙钛矿薄膜表面，可以与Sn2+和Pb2+键合，形成新的化合物，从而延缓Sn2+的氧化，并延缓钙钛矿结晶；另外，疏水的烷基长链在钙钛矿薄膜表面铺展，有效地阻碍了水分和氧气的进入，从而实现锡铅钙钛矿电池稳定性的提升。
一种锡铅钙钛矿薄膜太阳能电池

[实用新型]一种两面受光的钙钛矿太阳能电池-CN201920912171.X有效
发明人：肖平;秦校军;赵志国;董超;熊继光;邬俊波 -专利权人：中国华能集团有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种两面受光的钙钛矿太阳能电池，包括第一钙钛矿太阳能电池体、第二钙钛矿太阳能电池体和共用背电极，所述共用背电极一侧固定设置第一钙钛矿太阳能电池体，所述共用背电极另一侧固定设置第二钙钛矿太阳能电池体，所述第一钙钛矿太阳能电池体与第二钙钛矿太阳能电池体为并联，本实用新型能够有效解决目前的钙钛矿型太阳能电池的发电量无法满足高用电量的生产活动的问题。
太阳能电池钙钛矿背电极本实用新型固定设置钙钛矿型生产活动有效解决用电量并联受光发电量

[发明专利]一种新型无铅P-N结甲胺碘铅钙钛矿电池的制备方法-CN201510358528.0在审
发明人：马给民;保罗·比蒂;陈浩 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光伏电池领域，公开了一种无铅P-N结甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿电池，包括基板、透明电极、N型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、P型甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体薄膜、后电极。本发明通过钙钛矿半导体薄膜间形成的P-N同质结或异质结，有利于受光激发产生的电子-空穴对的有效分离和传输，同时依靠无铅甲胺碘铅及其衍生物钙钛矿半导体自身的长寿命载流子，可实现电池的高光电转换效率。此外，本发明无需制备空穴传输层，从而简化了现有钙钛矿电池的制备工艺，降低了制备成本；也无需大量使用金属Pb，有利于绿色、环保的产业化进程。
一种新型结甲胺碘铅钙钛矿电池制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池、制备方法及百叶窗-CN202310033692.9在审
发明人：盛雯婷 -专利权人：江苏盛开高新材料有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池、制备方法及百叶窗，制备方法包括钙钛矿膜层的制备，其特征在于：所述钙钛矿膜层的制备方法为：将DL‑2‑氨基‑3‑膦酰基丙酸与钙钛矿膜层材料旋涂于空穴传输层上成膜制得；所述钙钛矿膜层材料包括PbXa和材料一，所述材料一能够与所述PbXa配位形成ABX3晶型化合物，或所述钙钛矿膜层材料包括材料二，所述材料二为ABX3晶型化合物，其中A、B为阳离子，B为Pb2+，X为阴离子，a=2。该制备方法有效降低钙钛矿电池的缺陷密度，提升了电池稳定性和效率。
一种钙钛矿太阳能电池制备方法百叶窗

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