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[发明专利]一种提高光电探测性能的MoS2-CN202010051420.8在审
发明人：石凯熙;李金华;翟英娇;楚学影;柳琦 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：基于新型2D/0D杂化的叉指型光电晶体管，实现高响应度、超快响应速度、自供电光电探测性能。衬底上表面；在双层MoS2薄膜和Si/SiO2衬底上表面制作Pt电极，作为漏源电极；Pt电极为叉指电极，厚度为50nm，宽度为2μm，Pt电极指长为300μm，两个电极之间的宽间距为5μm；InP@ZnS量子点制作在Si/SiO2衬底、双层MoS2薄膜和Pt电极表面；Si/SiO2衬底背面制作银膜作为背栅电极。本发明2μm叉指Pt电极的设计，不仅可以起到等离子体共振效应，增加光响应度；而且非对称Pt/MoS2肖特基势垒的引入可以有效平衡光响应度与光响应速度的两难问题。
一种提高光电探测性能 mos base sub

[发明专利]一种静电驱动结构及其制作方法-CN201510779710.3在审
发明人：熊斌;刘松;徐德辉;马颖蕾 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B81B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种静电驱动结构，包括固定叉指电极及两端由支撑梁支撑而悬空的可动叉指电极；所述固定叉指电极包括若干呈周期性排列的第一叉指，所述可动叉指电极包括若干与所述第一叉指交错排列的第二叉指；其中所述第一叉指及第二叉指均在所述支撑梁方向上左右对称；所述第二叉指在往所述固定叉指电极方向上宽度逐渐减小；所述第一叉指在往所述可动叉指电极方向上宽度逐渐减小。本发明中，固定叉指电极与可动叉指电极相对运动时受到滑膜阻尼和压膜阻尼的共同作用，电极的驱动力和阻尼力介于平板电极和普通叉指电极之间，既解决了普通叉指电极驱动力过小的问题，又使得阻尼力小于平板电极。
一种静电驱动结构及其制作方法

[实用新型]新型牙线架-CN200820036159.9无效
发明人：王子源 -专利权人：王子源
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： A61C15/04 文献下载
摘要：它包括手柄和由两个叉指构成的U型支架，在U型支架两叉指的表面相对应位置开设有至少一组穿线通孔或卡线槽，牙线架上设有调节两叉指距离的调节装置。
新型牙线

[发明专利]场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法-CN201310629464.4有效
发明人： K·E·福格尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨丹那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法。使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分，从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。
场效应叉指背接触器件及其形成方法

[发明专利]一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法-CN201910359171.6有效
发明人：高晓红;杨小天;赵阳;杨帆;王立光;迟耀丹;王欢;王超;郭亮;张文通 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：步骤2：再通过光刻剥离技术曝光显影出第一堆叠小岛区域，并在所述第一堆叠小岛区域化学气相沉积绝缘层后，磁控溅射光敏层；步骤3：再通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠小岛区域，并在所述第二堆叠小岛区域磁控溅射背沟道层后，蒸镀叉指电极层。采用背沟道刻蚀方法和叉指电极结构在保证光电探测范围的条件下，增强了器件电学性能，提高了光电探测特性，器件制备工艺简单，在紫外探测领域具有良好应用前景。
一种紫外光敏晶体管制备方法

[发明专利]一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法-CN201810166644.6有效
发明人：唐为华;崔尉;彭阳科;陈政委;郭道友;吴真平 -专利权人：唐为华
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si基氧化镓薄膜背栅极日盲紫外光晶体管及其制备方法，属于光电探测器及半导体晶体管技术领域。本发明提供的所述的晶体管按层次从下到上依次为：背栅极电极层、衬底层、光敏层和叉指电极层；衬底层使用p‑Si/SiO2,在p‑Si/SiO2衬底的SiO2层上制备生长氧化镓薄膜作为光敏层；在氧化镓薄膜上溅射Au/Ti电极得到叉指电极；再在p‑Si/SiO2背面的Si层上溅射上金属Au薄膜作为背栅极电极。
一种 si 氧化薄膜栅极紫外光晶体管及其制备方法

[发明专利]纵向耦合谐振器型声表面波滤波器以及包括这种滤波器的通信设备-CN01123303.6有效
发明人：高峰裕一;泽田曜一;大内峰文 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2001-06-26 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： H03H9/12 文献下载
摘要：一种具有平衡—不平衡转换功能的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器可以提高幅度平衡和相位平衡。声表面波传播滤波器包括第一、第二和第三IDT。第二IDT位于三个IDT的中间并且有偶数个叉指电极。与第二IDT相邻的第一IDT的叉指电极的极性和与第二IDT相邻的第三IDT的叉指电极的极性相反。
纵向耦合谐振器表面波滤波器以及包括这种通信设备

[实用新型]一种声表面波滤波器-CN201721749623.4有效
发明人：罗艳 -专利权人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：其包括压电基片以及设置在压电基片上的第一叉指换能器组、第二叉指换能器组和多个反射栅，两个叉指换能器组连接成凸字形结构，第一叉指换能器组包括四个串联的叉指换能器，第二叉指换能器组包括两个并联的叉指换能器，每一叉指换能器的两侧设置有反射栅，第一叉指换能器组中的叉指换能器的厚度大于第二叉指换能器组的叉指换能器的厚度，叉指换能器包括两个汇流排和多根电极条，多根电极条互相间隔交错设置并与两侧的汇流排电连接，反射栅的一端与相邻的叉指换能器的汇流排电连接，第一叉指换能器组两端的叉指换能器的汇流排分别连接有输入电极和输出电极。
叉指换能器汇流排反射栅声表面波滤波器本实用新型压电基片电极条电连接凸字形结构互相间隔交错设置两侧设置输出电极输入电极组连接并联减小串联

[发明专利]一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件-CN201911095673.9在审
发明人：汪洋;曹佩;董鹏;金湘亮;李幸 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本发明在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指
注入区叉指衬底静电防护器件导通均匀性鲁棒性

[实用新型]一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件-CN201921941191.6有效
发明人：汪洋;曹佩;董鹏;金湘亮;李幸 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本实用新型在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。
一种多叉指 ldmos scr 静电防护器件

[发明专利]一种应用于热释电探测器的测试电路-CN201610216991.6有效
发明人：梁志清;刘子骥;马振东;王涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01J5/34 文献下载
摘要：本发明的测试电路包括：探测器(1)、结型场效应管(2)、偏置电阻(3)、叉指电容(4)和保护电阻(5)；探测器(1)、偏置电阻(3)、叉指电容(4)、保护电阻(5)依次串联，偏置电阻(3)和叉指电容(4)串联后与结型场效应管(2)并联一并与探测器(1)正极端相连接，探测器(1)负极端和保护电阻(5)之间接地。本发明通过叉指电容的应用从而达到减小等效电容而不是减小电阻来提高探测器的响应速度,在保证响应度的条件下,能显著提高热释电探测器的响应速度。
一种应用于热释电探测器测试电路

[发明专利]一种叉指电极型压电纤维复合材料的封装方法-CN201911093632.6有效
发明人：裘进浩;渠娇;杨路;季宏丽 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L41/23 文献下载
摘要：本发明公开一种叉指电极型压电纤维复合材料的封装方法。该封装方法包括：用无水乙醇擦拭待封装的压电纤维复合层和叉指形电极；将所述压电纤维复合层的上表面和下表面各覆盖一片叉指形电极，形成叠层结构；将第一热压层、所述叠层结构和第二热压层按照顺序层叠，形成热压工装本发明可以弥补现有技术空白，实现叉指电极型压电纤维复合材料的封装，提升智能材料与功能器件制备技术的水平。
一种电极压电纤维复合材料封装方法

[发明专利]一种波束可独立扫描的双频衍射天线-CN201711407414.6在审
发明人：李欢;冉立新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01Q19/06 文献下载
摘要：天线包括馈源、一块亚波长厚度的微波介质板以及布置在微波介质板上的多个周期单元，每个周期单元包括两个尺寸不同的H型人工子单元结构。H型人工子单元结构主要由叉指金属电极、分别连接在叉指金属电极两侧的两个H型金属电极以及叉指金属电极中布置的电调微波二极管构成；两个H型人工子单元结构各自为独立可调的电谐振结构，具有各自的谐振频率和透明频率
波束叉指金属电极子单元结构天线双频衍射微波介质板扫描周期单元电谐振结构微波二极管独立可调金属电极人工表面色散现象谐振频率亚波长馈源透明

[发明专利]能够抑制WLAN信号干扰的小型超宽带滤波器-CN200710040746.5有效
发明人：杨国敏;金荣洪;耿军平;练成栋;李佳靖 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：正面部分包括：叉指电容单元、T型短截线单元、过孔单元、均匀传输线单元和介质板。叉指电容单元有两个，两个叉指电容单元之间通过一个T型短截线单元相连。反面部分包括：非均匀DGS单元、H型slot结构单元和接地单元，非均匀DGS单元共有六个，各单元的外形尺寸以等差数列非均匀排列，H型slot结构单元共两个。
能够抑制 wlan 信号干扰小型宽带滤波器

[发明专利]与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器-CN200310122068.9无效
发明人：毛陆虹;李炜;陈弘达;陈永权;张晓潇 -专利权人：天津大学
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：其采用技术方案是，p^－型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于n型阱中，四条叉指状的P⁺型扩散区设置在n型阱上；所述四条叉指状的P⁺型扩散区上设置有增透膜层由叉指状的P⁺型扩散区与n型阱构成光电二极管的pn结，由n型阱与P⁺型保护环构成屏蔽二极管。
微米射频工艺兼容光电探测器