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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图案化光控膜-CN201980082630.9在审
发明人：杰弗里·L·所罗门 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：光控膜具有施加到其的图案。该光控膜在光学介质中具有多个间隔开的第一沟槽。每个第一沟槽具有封闭底部。这些第一沟槽中的一些第一沟槽部分地填充有吸光第一材料，该吸光第一材料吸收400nm至2000nm的预定波长范围的光。
图案光控

[发明专利]光罩及图案化方法-CN201711456939.9在审
发明人：尹易彪 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩及图案化方法，通过在光罩的光罩主体上设置用于聚光的透镜，并使所述透镜遮盖所述光罩主体上的透光区。由于所述透镜具有聚光作用，使得通过所述光罩形成光阻层时，透过所述透镜的光线能够倾斜的照射于形成所述光阻层的光阻材料层上，从而使得得到的所述光阻层的光阻区的斜面与所述基板的夹角相对于现有技术中减小，进而使得沉积于所述基板上的待图案化膜层与所述光阻层的斜面形成的空隙增大，使得剥离图案化的所述光阻层的剥离液会容易的渗入所述空隙中，进而容易的通过所述空隙渗入所述光阻层与所述基板之间，从而提高所述光阻层从所述基板上剥离的效率。
光阻层光罩透镜基板图案化渗入光阻材料层图案化膜层剥离图案聚光作用斜面形成剥离液光阻区聚光的透光区沉积减小遮盖照射剥离

[发明专利]光微影图案化系统-CN201911199854.6在审
发明人：张世明;陈秋翔;刘如淦;陈铭锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种光微影图案化系统包括：一光罩，其具有图案化特征；一薄膜，其具有多个开口；一辐射源，其用以发射辐射以反射及/或投射该些图案化特征；及一或多个反射镜，其用以将所反射及/或投射的图案化特征引导至一晶圆上。该薄膜用以保护该光罩免受颗粒及浮动污染物的影响。该多个开口占该薄膜的侧表面面积的5％至99.9％。该薄膜可在该些图案化特征的一侧上附接至该光罩、置放在该辐射源与该晶圆之间的一光路旁侧，或置放在反射镜与该辐射源之间的一光路中。该薄膜中的该多个开口由多种条形材料形成，或形成为一蜂巢状结构或一网状结构。
光微影图案系统

[发明专利]图案化的光伏组件-CN202210551428.X在审
发明人：崔艳峰;黄强 -专利权人：中能创光电科技（常州）有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明涉及光伏技术领域，特别是一种图案化的光伏组件，包括光伏电池和封装光伏电池的透明封装结构，透明封装结构具有图形化的折射率差异层，用于在光伏组件表面形成图案区域，折射率差异层的折射率≠位于其上层和下层的光伏组件内部物理介质的折射率有益效果是：本发明形成图形化不需要涂覆颜料，不增加成本，仅利用物理光学原理，利用不同材料的折射率差异，进行搭配设计，造成对入射光线产生干涉，反射、透射变化明显，展现出不同的反射或者透射色，从而产生丰富的颜色变化，同时也会产生从不同角度观察时，光伏组件展现出不同的颜色。使得光伏组件不再是单一的蓝黑色，而是五彩斑斓。同时组件功率损失可以根据需要控制在10％以下。
图案组件

[发明专利]图案化制程与光罩-CN202210044351.7在审
发明人：高国璋;王文昀;刘家助;林华泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种图案化制程与光罩，图案化制程在半导体晶圆上进行，半导体晶圆涂布有底层、中间层、及具有起始厚度的光阻层。图案化制程包含：进行曝光步骤，曝光步骤包含使用光罩曝光半导体晶圆，光罩包含特征，此特征在目标区域中产生中度曝光，随后处理而依照光罩在光阻层中产生多个开口，以及由于目标区域中的中度曝光而薄化目标区域中的光阻，以在目标区域中留下薄化的光阻；进行中间层蚀刻，以在中间层中形成多个开口对齐光阻层中的开口，其中因薄化的光阻所提供的保护，中间层蚀刻不会去除目标区域中的中间层；以及进行修整蚀刻，以修整目标区域中的中间层
图案化制程

[发明专利]结构化光图案生成-CN201680007326.4有效
发明人： J·胡德曼 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本文所公开的图案投射仪生成并投射适合用于各种主动深度感测技术的结构化光图案。在一个实现中，通过将相干光束引导通过伪随机漫射器元件来生成结构化光图案。伪随机漫射器元件的输出由被配置成空间滤波入射光以生成输出光斑照明并将该输出光斑照明投射到三维场景的中继光学器件接收。
结构图案生成

[发明专利]消除由化学收缩辅助清晰度提高的平印工艺中轮廓失真的方法-CN02101889.8有效
发明人：许伟华;林顺利 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-01-14 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：提供图案化光阻在底材上，在此数个离子被形成在图案化光阻上，这些离子在图案化光阻侧壁的密度大于这些离子在图案化光阻的顶部的密度。处理图案化光阻，使得这些离子在图案化光阻侧壁的密度大约等于这些离子在图案化光阻顶部的密度。以反应层覆盖图案化光阻，在此反应层与这些离子间的反应会形成一络接层。以及移除未络接的部份反应层。可以用热处理/光照射处理图案化光阻，也可以在反应层形成后再处理图案化光阻。
消除化学收缩辅助清晰度提高工艺轮廓失真方法

[发明专利]阵列基板制造方法-CN201610709383.9有效
发明人：豆婷;李强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供阵列基板制造方法，其包括在基础膜层表面依次形成第一光阻层及第二光阻层；在所述第二光阻层上方形成第一光罩并曝光以对第二光阻层图案化形成图案化的第二光阻层；其中，所述图案化的第二光阻层中每一图案的轮廓大于预设图案的轮廓，对图案化的第二光阻层进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层上每一图案的轮廓，以使图案的尺寸与预设图案的轮廓相同；在所述第一光阻层上方形成第二光罩并曝光以图案化的第一光阻层，去除未被所述图案化的第二光阻层遮挡的部分并露出部分基础膜层；根据图案化的第一光阻层图案化所述基础摸层；去除图案化的第一光阻层及图案化的第二光阻层。
阵列制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管制程方法-CN201210528281.9有效
发明人：吴德峻 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，包含：依序于基板上形成栅极、半导体绝缘层以及金属氧化物层，接着于金属氧化物层上利用一灰阶光罩形成第一图案化光阻层，并以第一图案化光阻层作为罩幕形成一图案化金属氧化物层，并移除部分第一图案化光阻层来形成第二图案化光阻层，接着依序形成一金属层以及第三图案化光阻层，并以第三图案化光阻层为罩幕，对金属层进行蚀刻以形成源极区与漏极区，并暴露出第二图案化光阻层，以及移除第三图案化光阻层以及部分的第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层
氧化物薄膜晶体管制方法

[发明专利]形成光阻图案的方法-CN01140031.5有效
发明人：张庆裕;洪齐元 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-11-22 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种形成光阻图案的方法，此方法是在基底上形成光阻层，再以光罩对光阻层进行第一曝光工艺。接着，进行第一显影工艺以使光阻层形成图案化光阻层。然后，直接对第一图案化光阻层进行第二曝光工艺，以使部分第一图案化光阻层曝光分解，以形成曝光分解层。其后，进行第二显影工艺，以去除曝光分解层而形成第二图案化正光阻层，其中第二图案化光阻层的图案尺寸小于第一图案化光阻层的图案尺寸。
形成图案方法

[发明专利]图案化玻璃光导以及包括该图案化玻璃光导的显示设备-CN201580043115.1在审
发明人： Y·耿;J·高里尔;S·S·罗森布拉姆 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本文公开的是玻璃光导，该玻璃光导包括第一表面、相对的第二表面、以及至少一个边缘，其中用多个颜色转换元件来图案化第一表面，且其中，用多个光提取特征和/或颜色转换元件可选择地图案化第二表面。本文还公开的是包括这种玻璃光导的显示设备。该显示设备可进一步包括具有与玻璃光导的CTE基本上类似的热膨胀系数(CTE)的薄膜晶体管(TFT)。
图案玻璃以及包括显示设备

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201710686801.1有效
发明人：王筱姗;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种材料组成以及方法，其包含形成图案化光阻层于基板上。图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例。在一些例子中，将处理材料涂布至图案化光阻层。在一些实施例中，处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例。举例来说，在涂布处理材料至图案化光阻层时，可进行第一图案缩减工艺，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。
半导体装置制作方法

[发明专利]形成图案化光阻层的方法-CN202010868498.9在审
发明人：何俊智;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成图案化光阻层的方法，包括以下步骤：在基板上形成图案化光阻层；形成覆盖图案化光阻层的成型层；在成型层中回流图案化光阻层；以及从回流的图案化光阻层移除成型层。在一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度高于或等于图案化光阻层的玻璃转化温度。在又一些实施例中，成型层具有玻璃转化温度比图案化光阻层的玻璃转化温度低3℃至30℃。
形成图案化光阻层方法

[发明专利]封装装置及其导线架及导线架的制作方法-CN201510836550.1有效
发明人：陈玟琳;曾昭崇;蔡宪铭;许诗滨;许哲玮 -专利权人：恒劲科技股份有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明揭露一种封装装置及其导线架和导线架的制作方法，该制作方法包括于一载板的一表面形成一第一图案化光阻层及一图案化导线层；于第一图案化光阻层及图案化导线层上形成一第二图案化光阻层及一图案化导电柱层；移除第一图案化光阻层及第二图案化光阻层，并于对应位置中形成一介电材料层；移除载板以暴露原与载板接触的图案化导线层及介电材料层；于原与载板接触的图案化导线层及介电材料层上形成一第三图案化光阻层；通过第三图案化光阻层移除部分的图案化导线层以及部分的图案化导电柱层，以形成一干扰消除槽；以及移除第三图案化光阻层。
封装装置及其导线制作方法

[发明专利]触控面板的制造方法-CN201110367952.3有效
发明人：蔡佑立;邱维彦 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：形成图案化光阻层于金属层上，图案化光阻层具有第一区及第二区，第一区的图案化光阻层的厚度大于第二区的图案化光阻层的厚度。移除露出的金属层以形成金属导线。薄化图案化光阻层，以移除第二区的图案化光阻层。形成绝缘层于金属导线、基板及第一区的图案化光阻层上。移除第一区的图案化光阻层及其上方的绝缘层，以于绝缘层中形成接触窗。形成图案化透明导电层于接触窗中及绝缘层上。形成保护层于图案化透明导电层上。
面板制造方法

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