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[发明专利]一种用于精密液体传输的压电螺杆泵-CN202011468280.0有效
发明人：潘巧生;李英豪;黄梓良;汪权;姜海洋 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： F04C11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于精密液体传输的压电螺杆泵，属于压电螺杆泵和流固耦合技术领域。包括螺杆泵和驱动机构。螺杆泵包括通过矩形螺纹间隙配合的螺杆和螺纹管，在螺纹管上设有进口和出口。驱动机构包括在同一平面内的一对压电振子，即水平压电振子和垂直压电振子；水平压电振子和垂直压电振子结构相同，压电振子包括一对位移放大件和压电叠堆，位移放大件为菱形空心框架件，一对位移放大件依次连接，压电叠堆固定设于一个位移放大件内
一种用于精密液体传输压电螺杆

[发明专利]电池组和处理系统-CN202010383427.X在审
发明人： D.索尔特格;J.肖勒;K.小泽;T.佐藤;D.三泽;Y.幸野;M.仓冢 -专利权人：安德烈·斯蒂尔股份两合公司;株式会社村田制作所
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明涉及用于向电驱动处理设备(101)供应电驱动功率(AL)的电池组(1)，电池组(1)包括第一堆叠限制结构(13)和第二堆叠限制结构(14)，第二堆叠限制结构(14)设置为与第一堆叠限制结构(13)相对并且与其具有固定距离(10A)，多个袋式单体(21)设置成堆叠(20)，堆叠(20)设置在第一堆叠限制结构(13)与第二堆叠限制结构(14)之间，并且堆叠(20)沿堆叠方向(z)的高度(20H)由第一堆叠限制结构(13)和第二堆叠限制结构(14)限制，以及传感器布置(30)，传感器布置(30)设置在堆叠(20)中，传感器布置(30)跨袋式单体(21)的表面(21F)的主要部分延伸，并且被配置成使得在延伸的范围内堆叠
电池组处理系统

[发明专利]制造电极组件的装置和方法-CN202080028790.8在审
发明人：徐泰埈;宋东勋;权春浩;郑太轸 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：根据本发明的制造电极组件的方法可以包括：第一堆叠体制造步骤(S10)，用于将第一电极和第二电极以隔膜插置在它们之间的方式交替地堆叠在工作台的顶表面上，同时将所述第一电极分别放置在堆叠体的顶部和底部处；第二堆叠体制造步骤(S20)，用于将所述第一电极和所述第二电极以所述隔膜插置在它们之间的方式交替地堆叠在第一堆叠体上，同时将所述第二电极放置在堆叠体的底部处；堆叠体旋转步骤(S30)，用于将放置在所述工作台上的所述第一堆叠体和第二堆叠体一起旋转180°以彼此调换所述第一堆叠体和所述第二堆叠体；电极组件制造步骤(S40)，用于将第一电极和第二电极以隔膜插置在它们之间的方式交替地堆叠在第一堆叠体上，同时将第二电极放置在堆叠体的底部处。
制造电极组件装置方法

[发明专利]半导体装置及包括其的数据存储系统-CN202210664194.X在审
发明人：金俊锡;权烔辉;金基雄;闵忠基;片荣范;黄昌善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：半导体装置包括：衬底；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括位于所述衬底上的第一栅电极；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构位于所述第一堆叠结构上；其中，所述第一堆叠结构包括第一下阶梯区域、第二下阶梯区域和第三下阶梯区域，所述第二堆叠结构包括第一上阶梯区域、第二上阶梯区域、第三上阶梯区域以及穿透所述第二堆叠结构并且位于所述第一下阶梯区域至所述第三下阶梯区域上的至少一个穿通部分，所述第一下阶梯区域具有与所述第一上阶梯区域的形状相同的形状
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010495600.5有效
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;刘金彪;李俊峰;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层，第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中，包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层，之后，可以在第一堆叠层中形成第一器件，以及在第二堆叠层中形成第二器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]液晶显示装置以及制造该液晶显示装置的方法-CN201911156008.6有效
发明人： G·林;崔民根 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：一种反射型液晶显示装置包括：彼此间隔开并且彼此平行的第一基板至第四基板；第一堆叠体，该第一堆叠体包括第一像素电极、第一取向层、第一公共电极、第二取向层和在第一取向层与第二取向层之间的第一胆甾相液晶层；第二堆叠体，该第二堆叠体包括第二像素电极、第三取向层、第二公共电极、第四取向层和在第三取向层与第四取向层之间的第二胆甾相液晶层；第三堆叠体，该第三堆叠体包括第三像素电极、第五取向层、第三公共电极、第六取向层和在第五取向层与第六取向层之间的第三胆甾相液晶层；以及第四堆叠体，该第四堆叠体包括顺序地在第一基板上的第一模式电极、离子存储层、电解质层、电致变色层和第二模式电极。
液晶显示装置以及制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010494868.7有效
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;刘金彪;李俊峰;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上可以形成介质层，在介质层中形成第一堆叠层和第二堆叠层，第一堆叠层和第二堆叠层的材料不完全相同，第一堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第一通孔中，包括第一掺杂材料层、第一沟道层和第二掺杂材料层，第二堆叠层形成于纵向贯穿介质层的第二通孔中，包括第三掺杂材料层、第二沟道层和第四掺杂材料层，之后，可以在第一堆叠层中形成第一器件，以及在第二堆叠层中形成第二器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造压电叠堆执行器的方法和压电叠堆执行器-CN202080013410.3在审
发明人：凯文·施佩尔 -专利权人： PI陶瓷有限责任公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造压电叠堆执行器的方法以及压电叠堆执行器，其优选根据所述方法制造。为了提高由各个执行器构建的压电叠堆执行器特别是在应用在潮湿环境中时的使用寿命，本发明提供了根据权利要求1的用于制造压电叠堆执行器(1)的方法，包括步骤：‑步骤A：提供至少两个执行器(2)，其构造为在电操控时分别产生沿着轴线‑步骤B：联接至少两个执行器(2)以构成叠堆执行器(1)，使得执行器(2)的在电操控时产生的挠曲沿着叠堆轴线(S)叠加并且经由至少一个联接面(K)进行执行器(2)的力联接，该联接面小于执行器(1)在垂直于叠堆轴线的平面
用于制造压电执行方法

[发明专利]尺蠖式多自由度压电驱动装置-CN201210475674.8有效
发明人：赵宏伟;李建平;张鹏;任露泉;周晓勤;曲涵;傅璐;马志超;黄虎 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：其转子单元包括沿转子和内嵌转子的B型压电叠堆，可实现转子的步进直线运动；上层钳固单元由A型压电叠堆、A型楔形块、B型楔形块和开有三爪式自定心柔性铰链的定子上层基板组成，压电叠堆在通电状态下可使转子与定子上层基板钳固；下层钳固单元由A型压电叠堆、A型楔形块、B型楔形块和开有三爪式自定心柔性铰链的定子下层基板组成，压电叠堆在通电状态下可使转子与定子下层基板紧固；旋转压电驱动单元由B型压电叠堆和固定B型叠堆的驱动缩进组成
尺蠖自由度压电驱动装置

[发明专利]具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法-CN201510584677.9有效
发明人：张云慈;周仕旻;赖国智;张净云;颜湘婕;陈彦臻;吕泱儒;何念葶;许启茂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在基底上提供具有相同结构的第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构。第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构分别包括第一型的第一功函数金属层。形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层暴露出第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层且覆盖第二堆叠栅极结构的第一功函数金属层。对图案化硬掩模层所暴露出的第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层进行第一气体处理。
具有金属栅极结构半导体元件函数调整方法

[发明专利]一种堆叠系统的报文转发方法、装置及堆叠设备-CN201410696267.9有效
发明人：宋清华 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H04L12/713 文献下载
摘要：方法包括：堆叠系统中的第一堆叠设备获取待向所述堆叠系统的第二堆叠设备转发的第一待转发报文；若所述第二堆叠设备为主堆叠设备，且所述第一待转发报文是未解析的协议报文，则所述第一堆叠设备解析出所述第一待转发报文的有效数据，并对解析得到的所述有效数据进行封装，得到第二待转发报文；所述第一堆叠设备将所述第二待转发报文向所述第二堆叠设备进行转发，使得所述第二堆叠设备能够直接获取所述第二待转发报文中已被解析的有效数据。
一种堆叠系统报文转发方法装置设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法和三维存储器件-CN202010000496.8有效
发明人：刘隆冬;王孝进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法和三维存储器件，所述半导体结构包括至少一个堆叠单元，所述堆叠单元包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构中形成有贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔；填孔材料层，填充于所述第一沟道孔中；第二堆叠结构，形成于所述第一堆叠结构和所述填孔材料层上；第二沟道孔，形成于所述第二堆叠结构和所述填孔材料层中，所述第二沟道孔包括贯穿所述第二堆叠结构的主体部以及延伸进入所述填孔材料层中的延伸部，所述主体部的孔径大于所述延伸部的孔径以形成台阶孔
半导体结构及其制备方法三维存储器件

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011564642.6有效
发明人：郭亚丽;徐伟;许波;刘思敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，设置于衬底上方且由绝缘层和栅极层交替层叠而成的堆叠层，且包括第一堆叠层以及第二堆叠层，第二堆叠层设置于第一堆叠层上方，贯穿第一堆叠层的至少一个隔离结构，以及贯穿第二堆叠层以及隔离结构的过渡沟道柱结构，且同一过渡沟道柱结构中的过渡沟道柱分别贯穿第二堆叠层以及同一隔离结构，本发明提供的半导体器件，通过在过渡沟道柱的外侧设置隔离结构以对过渡沟道柱进行保护，有效地防止了由于过渡沟道柱的半径过大，导致在进行深孔的蚀刻时
半导体器件及其制备方法

[发明专利]具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法-CN202110188791.5有效
发明人：赵祥辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：所述三维存储器包括衬底、位于衬底上的第一堆叠结构以及位于第一堆叠结构上的第二堆叠结构；三维存储器设有接触区以及邻接接触区的台阶区；接触区内设有贯穿第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿第二堆叠结构的第二存储沟道，第二存储沟道与第一存储沟道连接；在台阶区内的第一堆叠结构与第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在伪堆叠结构中设有标记结构。
具有标记结构三维存储器制备方法位移监测

[实用新型]尺蠖式多自由度压电驱动装置-CN201220620347.2有效
发明人：赵宏伟;李建平;张鹏;任露泉;周晓勤;曲涵;傅璐;马志超;黄虎 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：其转子单元包括沿转子和内嵌转子的B型压电叠堆，可实现转子的步进直线运动；上层钳固单元由A型压电叠堆、A型楔形块、B型楔形块和开有三爪式自定心柔性铰链的定子上层基板组成，压电叠堆在通电状态下可使转子与定子上层基板钳固；下层钳固单元由A型压电叠堆、A型楔形块、B型楔形块和开有三爪式自定心柔性铰链的定子下层基板组成，压电叠堆在通电状态下可使转子与定子下层基板紧固；旋转压电驱动单元由B型压电叠堆和固定B型叠堆的驱动缩进组成
尺蠖自由度压电驱动装置