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[发明专利]合金、线材及合金粉末-CN201980102813.2在审
发明人：谷原康友;千叶原宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：超因瓦合金具有30质量％～35质量％的Ni、3质量％～6质量％的Co、0.02质量％～1.0质量％的Ti、0质量％～0.2质量％的Mn、包含S的不可避免的杂质、以及余量的Fe。超因瓦合金不包含Ti和Mn以外的添加物作为添加物。超因瓦合金含有32.3质量％～32.5质量％的上述Ni，含有4.4质量％～5.1质量％的上述Co，含有0.02质量％～1.0质量％的上述Ti，含有0.007质量％～0.01质量％的上述S。超因瓦合金是高温延展性良好、高温裂纹敏感性低、具有1ppm/℃以下的低热膨胀性的合金。也可以替代Ti而使用Zr或Hf。
合金线材粉末

[发明专利]电接点、具备电接点的真空阀及电接点的制造方法-CN201980099563.1在审
发明人：谷原康友;千叶原宏幸;道念大树;越智聪;高井雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01H1/025 文献下载
摘要：本公开的目的在于提供能够同时满足机械强度和电导率的确保的、添加了低沸点金属的电接点。本公开涉及的电接点包含：由Cu构成的母材、在母材中分散而配置的作为高熔点金属的粒子或高熔点金属的碳化物的粒子中的至少一者的高熔点物质粒子、和在母材中分散而配置的Te及Ti，在将整体设为100质量％的情况下，以3.5质量％以上且14.5质量％以下添加Te，且Ti/Te为0.12以上且0.38以下。
接点具备真空制造方法

[发明专利]电触点及使用该电触点的真空阀-CN201880088239.5有效
发明人：谷原康友;千叶原宏幸;道念大树;越智聪;糸谷孝行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：在包含母材(31)和高熔点物质粒子(32)和金属间化合物(33)的电触点(10、11)中，在母材中分散配置有包含MnX化合物(X为Te或Se)以及Mn‑Cu固溶相与X的化合物的金属间化合物，高熔点物质粒子的粒径在该高熔点物质粒子的维氏硬度大于0HV且低于200Hv时在0.1μm以上且在100μm以下、在该高熔点物质粒子的维氏硬度在200Hv以上时在0.1μm以上且在10μm以下，X原子在1.5质量％以上且在15质量％以下，Mn/(Mn+X)的原子量比在20原子％以上且在80原子％以下。
触点使用真空

[发明专利]接点材料、其制造方法及真空阀-CN201780086386.4有效
发明人： 千叶原宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：本发明为接点材料的制造方法，其具有：通过非电解镀Ni法在具有2μm以上且10μm以下的平均粒径的WC粉末的表面形成具有40nm以上且110nm以下的膜厚的Ni合金被膜的工序；在500℃以上且860℃以下的温度进行用于脱气的热处理的工序；将热处理后的Ni合金被覆WC粉末破碎的工序；将被破碎的Ni合金被覆WC粉末与具有1μm以上且100μm以下的平均粒径的Cu粉末混合的工序；和将得到的混合物压缩、在超过1083℃且不到1455℃的温度烧结的工序。
接点材料制造方法真空

[发明专利]银镍氧化锡复合粉体及银镍氧化锡电接触材料的制备方法-CN201810886110.0在审
发明人：松本纪久;千叶原宏幸;邱虹华;王俊勃;刘松涛;杨敏鸽;姜凤阳;李笑然;张娇娇;曹嫚嫚 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及银镍氧化锡复合粉体及银镍氧化锡电接触材料的制备方法。制备方法包含：步骤1，将二氧化锡粉体与镍粉在惰性气体气氛中进行混合搅拌；以及步骤2，将经步骤1得到的混合粉体与银氨溶液混合，针对所得的混合物利用还原剂经过化学沉积法而制备出银镍氧化锡复合粉体。还可以包含：步骤3，将经步骤2得到的银镍氧化锡复合粉体依次进行成型、烧结处理，得到银镍氧化锡电接触材料。根据本发明，解决了现有电接触材料在制备过程中存在的生产周期长、银用量高、氧化物易于偏聚及工艺复杂等问题。
氧化复合接触材料制备方法

[发明专利]触点构件的制造方法、触点构件以及真空阀-CN201780018997.5有效
发明人： 千叶原宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01H33/662 文献下载
摘要：本发明的触点构件包括：触点层，其熔渗有以低熔点金属为主要成分的熔渗材料，由以高熔点金属为主要成分的板状的多孔体构成；以及触点层支承部和触点部保持导体，其由熔渗材料构成，多孔体在成为触点层的中央的位置具有开口部，熔渗材料从开口部至触点部保持导体连续地成形。
触点构件熔渗材料触点导体触点部多孔体开口部低熔点金属高熔点金属真空阀支承部板状成形熔渗制造

[发明专利]Ag－Ni－金属氧化物类电触点材料及其制造方法、断路器及电磁接触器-CN201610187207.3有效
发明人： 千叶原宏幸;荒木健;王俊勃;付翀;邱虹华 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01H1/0237 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种将在耐熔接性及耐电弧消耗性方面优异的Ag－Ni作为基材的电触点材料。一种Ag－Ni－金属氧化物类电触点材料，其含有60～80质量％的Ag、13～30质量％的Ni、以及作为金属氧化物的0.1～1质量％的La₂O₃和5～10质量％的SnO₂或ZnO，具有金属氧化物被分散于Ag中的组织。
ag ni 金属氧化物类触点材料及其制造方法断路器电磁接触器

[发明专利]Ag－氧化物类电触点材料、其制造方法及制造装置、以及断路器及电磁接触器-CN201510201751.4有效
发明人： 千叶原宏幸;荒木健 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01H1/0237 文献下载
摘要：本发明提供一种Ag－氧化物类电触点材料、其制造方法以及制造装置，其通过内部氧化使Ag中的易氧化性金属的氧化物的分散性提高。另外，提供具有通过使Ag中的MeO的分散性提高而实现长寿命化的Ag－氧化物类电触点材料的断路器以及电磁接触器。本发明的制造方法，是通过使由含有Ag以及易氧化性金属在内的合金构成的颗粒，在氧气气氛下在超临界水或亚临界水中内部氧化而进行的。并且，本发明的制造装置具有水供给源，其向反应炉供给水；氧气供给源，其向反应炉供给氧气；以及反应炉，其收容由含有Ag以及易氧化性金属在内的合金构成的颗粒，且从水供给源以及氧气供给源接受水以及氧气，形成超临界状态或亚临界状态，进行由合金构成的颗粒的内部氧化。
ag 氧化物类触点材料制造方法装置以及断路器电磁接触器

[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN201310364531.4有效
发明人： 千叶原宏幸;石井敦司;和泉直生;松本雅弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN200910203111.1有效
发明人： 千叶原宏幸;石井敦司;和泉直生;松本雅弘 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]磁性存储器的制造方法及磁性存储器-CN200810129847.4无效
发明人：上野修一;古田阳雄;松田亮史;福村达也;长谷川森;平野真也;千叶原宏幸;大下博史 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及磁性存储器的制造方法及磁性存储器。本发明提供一种磁性存储器。能够降低TMR元件的写入电流的偏差，可靠性高并能够实现小型化。包含TMR元件的磁性存储器的制造方法包括：形成下层布线层的工序；在该下层布线层上形成层间绝缘层的工序；在该层间绝缘层上以露出该下层布线层的方式形成开口部的工序；以覆盖该层间绝缘层和该开口部的内表面的方式形成阻挡金属层的工序；以埋入该开口部的方式在该阻挡金属层上形成金属层的工序；将该阻挡金属层用作停止部，研磨除去该阻挡金属层上的该金属层，形成包含埋入该开口部的金属层和该阻挡金属层的布线层的研磨工序；以及在该布线层上制作TMR元件的元件制作工序。
磁性存储器制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN98120826.6无效
发明人：高田佳史;坂井裕一;岩崎正修;千叶原宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-09-30 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口，在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜，用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后，对绝缘膜的表面进行化学机械研磨，形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。
半导体装置及其制造方法

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