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[外观设计]发光二极管晶片-CN201830295819.4有效
发明人：丁绍滢;兰彦廷;黄靖恩;黄逸儒 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：发光二极管晶片。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种产生光线的发光二极管晶片。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。
外观设计发光二极管晶片图片

[实用新型]发光装置-CN201721548176.6有效
发明人：陈宗庆;吴建荣 -专利权人：扬州艾笛森光电有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种发光装置，包含基板、覆晶发光二极管晶片、横向发光二极管晶片、导热胶层与荧光粉层。覆晶发光二极管晶片位于基板上。横向发光二极管晶片位于覆晶发光二极管晶片上。横向发光二极管晶片的波长小于覆晶发光二极管晶片的波长。导热胶层位于覆晶发光二极管晶片与横向发光二极管晶片之间，使得横向发光二极管晶片粘合于覆晶发光二极管晶片。荧光粉层覆盖横向发光二极管晶片。横向发光二极管晶片具有补齐全光谱的功能，使得发光装置的发射光谱在各波长无明显缺陷。
横向发光二极管发光二极管晶片晶片覆晶发光装置波长导热胶层荧光粉层基板发射光谱明显缺陷粘合光谱覆盖

[发明专利]发光二极管晶片-CN201710929066.2有效
发明人：郭修邑 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管晶片，包含基板、发光元件、静电防护元件及导电层。发光元件设置于基板上，并包含第一半导体层、第一量子井层及第二半导体层，其中第一量子井层设置于第一半导体层与第二半导体层之间。静电防护元件设置于基板上且至少一间隔位于发光元件与静电防护元件之间，静电防护元件包含第三半导体层、第二量子井层及第四半导体层，其中第二量子井层设置于第三半导体层与第四半导体层之间。第一半导体层与第四半导体层透过导电层电性连接，且第二半导体层与第三半导体层在发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。因此，于发光二极管晶片封装前，可单独对发光元件进行检测，借以降低静电防护元件对检测结果的影响。
发光二极管晶片

[发明专利]调整植物生长的光源装置-CN201210414873.8有效
发明人：黄添富;花士豪;黄天恒;叶耀宗 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：一种调整植物生长的光源装置，包括蓝光发光二极管晶片或紫外光发光二极管晶片、荧光粉胶体与红光发光二极管晶片。蓝光发光二极管晶片或紫外光发光二极管晶片用以产生具有介于350nm至470nm的波长范围的光。荧光粉胶体配置于蓝光发光二极管晶片或紫外光发光二极管晶片上，且荧光粉胶体经由蓝光发光二极管晶片或紫外光发光二极管晶片激发后，产生具有介于470nm至600nm的波长范围的光。红光发光二极管晶片用以产生具有介于600nm至750nm的波长范围的光。
调整植物生长光源装置

[发明专利]发光二极管晶片改性工艺-CN200410071801.3无效
发明人：秦业钢;李连山;郝建钢;唐琍媚 -专利权人：秦业钢;李连山
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管晶片改性工艺。本发明是涉及发光二极管晶片的一种改性工艺方法。在发光二极管封装前，用低能电子束对发光二极管晶片进行辐照。经过辐照后的晶片制成的发光二极管比没有经过辐照的同种晶片制成的二极管的发光效率均有所提高，平均提高15％－30％。
发光二极管晶片改性工艺

[发明专利]可增加发光效率的发光二极管-CN200810084939.5有效
发明人：潘锡明;郑惟刚;黄国钦 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种可增加发光效率的发光二极管，该发光二极管包含一个发光二极管晶片及一个设于该发光二极管晶片底部的光学层，该光学层可为一个光层、一个光反射层或一个能量转换层，以增加该发光二极管的发光效率，另更于该发光二极管晶片与该光学层间设置一个粗化层，以增加发光二极管晶片的表面积，使发光二极管晶片所发出的光线容易进入光学层，更能增加发光二极管的发光效率。
可增加发光效率发光二极管

[发明专利]具多段临界电压的高压发光二极管电路及其二极管发光装置-CN200610099185.1有效
发明人：陈明鸿 -专利权人：海立尔股份有限公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具多段临界电压的高压发光二极管电路及其二极管发光装置，尤其是一种具阻抗元件的高压发光二极管晶片、二极管发光装置及具多段临界电压的高压发光二极管电路。其中高压发光二极管晶片包含有：第一基材；至少一第一发光二极管，形成于第一基材上；及至少一阻抗元件，形成于第一基材上且电性串联于第一发光二极管的一端。高压发光二极管晶片可进一步结合于二极管发光装置中。又高压发光二极管晶片可转换形成具多段临界电压的高压发光二极管电路。
具多段临界电压高压发光二极管电路及其二极管发光装置

[发明专利]发光二极管晶片的切割方法-CN201110331893.4有效
发明人：杨文华 -专利权人：深圳市瑞丰光电子股份有限公司;宁波市瑞康光电有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管晶片的切割方法，其包括以下步骤：提供一个发光二极管晶片，所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层，所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面，所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上，所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒；及采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板，将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。所述发光二极管晶片的切割方法减小了切割刀的磨损速度，节省了成本，提高了切割效率，且最后得到的发光二极管具有很好的外观以及光效。
发光二极管晶片切割方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200810302460.4无效
发明人：陈东安;徐智鹏;张忠民;李泽安 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：一个基板；一个发光二极管晶片，其覆晶接合在该基板上；一个接合层，其设置在该基板与该发光二极管晶片之间用以接合该基板与该发光二极管晶片并使二者电性导通。该基板的与该发光二极管晶片相接合的表面具有至少一个凹槽，该接合层设置在该至少一个凹槽上。所述发光二极管中的接合层设置在该基板的凹槽中，使得发光二极管晶片与基板通过的接合层接合的较为稳固，并且该接合层不易产生移位，保证了发光二极管晶片与基板具有较好的电连接性能。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]检测装置-CN201210382092.5无效
发明人：蔡泰成;吴岱纬;许国君;许寿文;李允立 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：载台用以承载待测的复数个发光二极管晶片。点测装置包含二探针及一电源供应器，探针的二端分别电性连接复数个发光二极管晶片之一者及电源供应器，以令此发光二极管晶片发出复数道光线。光感测装置设于发光二极管晶片的出光面的一侧，用以接收发光二极管晶片发出的复数道光线。聚光单元设于发光二极管晶片与光感测装置之间，用以达到聚集发光二极管晶片发出的复数道光线的目的。
检测装置

[发明专利]照明结构-CN201010146369.5无效
发明人：王湘华 -专利权人：王湘云
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明是一种照明结构，主要在灯座散热模块内设有发光二极管晶片，所述的发光二极管晶片是不具荧光粉或封胶的发光二极管裸晶片，而在灯座散热模块的发光二极管晶片上方则罩封一灯罩，所述的灯罩的内壁是均匀涂布有荧光涂层，使所述的发光二极管晶片与荧光涂层之间留有一空间，且所述的荧光涂层是吸收发光二极管晶片发出光线的照射而发出照明白光；如此避免传统发光二极管晶片上的荧光粉产生光效衰减的问题，且能改善合格率以及提高经济效益
照明结构

[发明专利]发光二极管制造方法-CN200810303127.5无效
发明人：张家寿 -专利权人：富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一发光二极管晶片，于该发光二极管晶片的衬底上形成若干发光二极管晶粒；于发光二极管晶粒的周围形成一保护层；于保护层上沉积一电极层；去除发光二极管晶片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；去除每一发光二极管晶粒周围的保护层；于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽；提供一基座，将该基座组装于该电极层上；打线、密封及切割。与现有技术相比较，本发明的发光二极管制造方法无须导电架，也无须逐个取放发光二极管晶粒，采用晶片结合法及剥离法使得多个发光二极管晶粒一体式同步封装，制造方法简便且成本较低。
发光二极管制造方法

[实用新型]高功率发光二极管封装基板-CN201020112522.8无效
发明人：林宸纬;廖嘉佑 -专利权人：翔昇电子股份有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高功率发光二极管封装基板，所述高功率发光二极管封装基板具有导热基板，导热基板表面设置有电路层，并在导热基板表面连接有高功率的发光二极管晶片，且发光二极管晶片与电路层呈电气连接，并在导热基板表面填充出包覆发光二极管晶片以及发光二极管晶片与电路层电气连接处的封装层，使导热基板可直接导出发光二极管晶片所产生的废热，且导热基板可不受封装层热阻的影响，直接通过与外界热交换将废热散去。
功率发光二极管封装

[发明专利]发光二极管线路基板及其制造方法-CN202110349292.X在审
发明人：徐俊祺 -专利权人：中强光电股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管线路基板，其包括多个发光二极管晶片、重布线层以及多个接垫。多个发光二极管晶片包括多个接点。重布线层设置在多个发光二极管晶片上且与多个接点直接连接。多个接垫设置在重布线层上且透过重布线层而与多个发光二极管晶片的多个接点电连接。另提供一种发光二极管线路基板的制造方法。本发明的发光二极管线路基板及其制造方法，其良率佳。
发光二极管线路基及其制造方法

[发明专利]发光元件、光源模块及背光模块-CN201711011787.1有效
发明人：蔡宗良;林志豪;陈若翔 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光元件、光源模块及背光模块。发光元件包括混光基板以及多个发光二极管晶片。混光基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。发光二极管晶片设置于混光基板的第一表面，发光二极管晶片所发出的光线经由混光基板混合后发出。混光基板为发光二极管晶片的成长基板。混光基板的面积大于发光二极管晶片的面积总和，且任二个发光二极管晶片之间的距离大于任一个发光二极管晶片的边长。如此一来，将使得背光模块的光学距离能够大幅降低，有利于薄型化的产品设计。
发光元件光源模块背光

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