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[发明专利]一种PCB板研磨系统-CN202110396978.4在审
发明人：华承金;夏国祥 -专利权人：广东捷骏电子科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：本专利公开了一种PCB板研磨系统，包括：机架、待研磨件输送机构，其特征在于，在所述机架内设置有单面研磨机构和双面研磨机构，还包括控制器，所述单面研磨机构包括了第一上砂带研磨组件和背压辊组件，所述双面研磨机构包括了第二上砂带研磨组件和下砂带研磨组件，所述控制器与所述单面研磨机构、双面研磨机构信号连接，所述控制器有控制单面研磨机构、双面研磨机构的工作状态的功能模块。本专利同时具有单面研磨、双面研磨、单双面组合研磨功能，灵活应对各种生产任务，占地面积小，设备成本低，加工效率高。
一种 pcb 研磨系统

[发明专利]一种易碎工件的单面研磨方法和双面研磨方法-CN202310664796.X在审
发明人：王永成 -专利权人：上海致领半导体科技发展有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开一种易碎工件的单面研磨方法和双面研磨方法，涉及研磨工艺技术领域，单面研磨方法：将牺牲件和易碎工件分别固定在单面研磨机的载盘上，并使牺牲件的材质与易碎工件材质相同，牺牲件的厚度大于易碎工件的厚度，再对易碎工件进行研磨；双面研磨方法：将牺牲件和易碎工件分别放置在双面研磨机的游星轮上，并使牺牲件的材质与易碎工件材质相同，牺牲件的顶端高于易碎工件的顶端，再对易碎工件进行研磨。本发明的易碎工件的单面研磨方法和双面研磨方法避免陶瓷件和半导体晶片在研磨加工中发生破碎。
一种易碎工件单面研磨方法双面

[实用新型]一种砂带研磨设备-CN202120747990.0有效
发明人：华承金;夏国祥 -专利权人：广东捷骏电子科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砂带研磨设备，包括机架、待研磨件输送机构，其特征在于，在所述机架内设置有单面研磨机构(3)和双面研磨机构(4)，所述单面研磨机构(3)包括了第一上砂带研磨组件(5)和背压辊组件(6)，所述双面研磨机构(4)包括了第一上砂带研磨组件(5)和下砂带研磨组件(8)。本实用新型同时具有单面研磨、双面研磨、单双面组合研磨功能，占地面积小，设备成本低，加工效率高。
一种研磨设备

[发明专利]一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺-CN202011569445.3有效
发明人：王国秋 -专利权人：湖南启泰传感科技有限公司
申请日： 2020-12-26 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，涉及半导体和传感器加工技术领域，包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形量和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提供一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，设计科学，工艺完善，能够解决低量程芯片基底在研磨抛光过程中，金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片容易变形的问题，能够避免敏感膜片在单面研磨和单面研磨的过程中发生变形
一种金属薄膜芯片研磨抛光工艺

[发明专利]半导体晶片的单片式单面研磨方法及半导体晶片的单片式单面研磨装置-CN201580076898.3有效
发明人：川崎智宪 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高半导体晶片的平坦度，并且抑制平坦度的偏差的单片式单面研磨方法及单片式单面研磨装置。本发明的半导体晶片的单片式单面研磨方法的特征在于，包括：研磨工序，对半导体晶片(1)进行研磨；及重新把持工序，将半导体晶片(1)从平台(140)输送至该平台外的托盘(190)上，并使半导体晶片(1)及研磨头(120)的相对位置沿研磨头(120)的旋转方向移动，然后把持半导体晶片(1)；进行多次所述研磨工序，并在这些多次的研磨工序之间的间隙，进行至少一次以上所述重新把持工序。
半导体晶片单片单面研磨方法装置

[实用新型]一种双磨盘型单面研磨机-CN201721907199.1有效
发明人：曹文;宋延学;张西权 -专利权人：江苏龙旺达磁性材料有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双磨盘型单面研磨机，包括：底座、固定支架、固定横杆、第一电机、第一磨盘、砂盘、竖直气缸、移动支架、水平气缸、移动横杆、第二磨盘和夹紧臂，所述第一磨盘通过所述第一电机连接所述固定横杆远离所述固定支架的端部通过上述方式，本实用新型双磨盘型单面研磨机通过采用第二磨盘用于固定工件、采用第一磨盘带动砂盘用于单面研磨，且采用竖直气缸、水平气缸可带动工件上下、左右运动，进行多位置研磨，结构新颖、操作简便、研磨效率高、研磨精细、方便实用，在双磨盘型单面研磨机的普及上有着广泛的市场前景。
磨盘单面研磨机砂盘本实用新型固定横杆固定支架竖直气缸水平气缸研磨电机单面研磨电机连接固定工件螺栓连接研磨效率移动横杆移动支架左右运动多位置夹紧臂底座精细侧面

[实用新型]单双面研磨抛光机-CN201820856294.1有效
发明人：曹建平;曹培福;曾正平 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单双面研磨抛光机，在现有的单面研磨抛光机的基础上增加辅助抛光装置，使得现有的单面研磨抛光研磨机具备双面抛光的功能，因而无需增加新的双面研磨平抛光机即可实现双面抛光的目的。
双面研磨抛光机单面研磨双面抛光抛光机本实用新型抛光研磨机抛光装置双面研磨

[实用新型]一种采用双动压轴承的单面研磨抛光机-CN202220980334.X有效
发明人：贺德荣 -专利权人：东莞市中研机械设备有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子及半导体抛光加工技术领域的一种采用双动压轴承的单面研磨抛光机，包括机箱、硅片研磨机构和硅片吸附固定机构，硅片研磨机构由硅片固定盘、研磨底座、研磨杆和研磨驱动组件构成，采用刚性更强，承载力度更大的双动压轴承作为硅片研磨机构的转体，提高了单面研磨抛光机的受力承载能力，同时在双动压轴承的内部采用双沟槽的结构，使双动压轴承在高速转动时，进一步保证了单面研磨抛光机对硅片研磨抛光的精准度，同时其结构简单，适合大范围推广。
一种采用压轴单面研磨抛光机

[发明专利]研磨完的研磨对象物的制造方法及研磨用组合物试剂盒-CN201480044741.8有效
发明人：田畑诚;高见信一郞;井出匠学 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明课题在于，提供一种能够显著降低研磨对象物表面的雾度水平，而且明显减少缺陷的研磨完的研磨对象物的制造方法。提供一种研磨完的研磨对象物的制造方法，其包括如下的工序：双面研磨工序，使用包含平均一次粒径为40nm以上的第1磨粒和含氮水溶性高分子的双面研磨用组合物对研磨对象物进行双面研磨，得到双面研磨完的研磨对象物；单面研磨工序，使用包含平均一次粒径为40nm以下的第2磨粒和水溶性高分子的单面研磨用组合物对前述双面研磨完的研磨对象物进行单面研磨；前述第1磨粒的平均一次粒径(A)相对于前述第2磨粒的平均一次粒径(B
研磨对象制造方法组合试剂盒

[发明专利]一种蓝宝石晶片加工方法-CN201410011912.9无效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2014-01-12 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石晶片加工方法，具体工艺流程：晶片检查→晶片上蜡→粗砂研磨→晶片清洗→细砂研磨→晶片清洗→抛光。该工艺是在单面研磨工序中通过不同粒径砂粒进行二段式单面研磨工艺优化蓝宝石加工。二段式单面研磨可制造出表面损伤层浅，表面无划痕的蓝宝石晶片为蓝宝石抛光加工提供表面质量优良晶片，降低了抛光工序中晶片所必须的移除量，提高了抛光工序效率。
一种蓝宝石晶片加工方法

[发明专利]一种基于行星运动的单面研磨设备-CN202010715037.8在审
发明人：张军;申波;鲁元朋;王焱海 -专利权人：洛阳润驰隆数控设备有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于行星运动的单面研磨设备，涉及精加工技术领域，解决了现有技术中存在的研磨设备工件运动轨迹不受控，影响加工精度的技术问题。该基于行星运动的单面研磨设备包括研磨盘结构、压盘结构以及行星轮结构，行星轮结构设置在研磨盘结构与压盘结构之间；行星轮结构包括太阳轮、内齿轮以及多个行星轮，多个行星轮均与太阳轮和内齿轮相啮合，在太阳轮上连接有中心轴驱动系统，中心轴驱动系统驱动太阳轮转动，能够带动行星轮转动；待研磨的工件设置在行星轮上；压盘结构将待研磨的工件压紧在研磨盘结构上，行星轮结构带动工件做行星运动。本发明用于提供一种加工质量和加工效率更高的基于行星运动的单面研磨设备。
一种基于行星运动单面研磨设备

[发明专利]硅双面扩散衬底片加工方法-CN200710035895.2无效
发明人：邓建伟;刘谋忠 -专利权人：衡阳晶体管有限公司
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种硅双面扩散衬底片加工方法，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一半，降低了单面研磨的磨削厚度，提高了研磨效率，减小了硅材料的损耗，大大降低了硅扩散衬底片的材料成本。
双面扩散衬底加工方法

[实用新型]一种基于行星运动的单面研磨设备-CN202021475403.9有效
发明人：张军;王焱海;申波;王卫华;李长宝;鲁元朋 -专利权人：洛阳市润智数控设备有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于行星运动的单面研磨设备，涉及精加工技术领域，解决了现有技术中存在的研磨设备工件运动轨迹不受控，影响加工精度的技术问题。该基于行星运动的单面研磨设备包括研磨盘结构、压盘结构以及行星轮结构，行星轮结构设置在研磨盘结构与压盘结构之间；行星轮结构包括太阳轮、内齿轮以及多个行星轮，多个行星轮均与太阳轮和内齿轮相啮合，在太阳轮上连接有中心轴驱动系统，中心轴驱动系统驱动太阳轮转动，能够带动行星轮转动；待研磨的工件设置在行星轮上；压盘结构将待研磨的工件压紧在研磨盘结构上，行星轮结构带动工件做行星运动。本实用新型用于提供一种加工质量和加工效率更高的基于行星运动的单面研磨设备。
一种基于行星运动单面研磨设备

[发明专利]一种SiC单晶晶片的加工方法-CN200910243519.1有效
发明人：张贺;胡伯清;黄青松;王锡明;陈小龙;彭同华 -专利权人：北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，从而获得高质量的单晶碳化硅晶片表面。
一种 sic 晶片加工方法

[发明专利]大面积平面晶片双面精密加工工艺-CN02132894.3无效
发明人：郑琛 -专利权人：大连淡宁实业发展有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：大面积平面晶片双面精密加工工艺，采用行星式研磨抛光机进行研磨抛光，先进行研磨后进行抛光，在进入精磨前修正上下研磨盘，把铸铁游星轮放在上下研磨盘之间对研磨盘进行研磨，把研磨盘完全研磨合后，再将装有晶片的行星轮放在上下研磨盘之间对晶片进行研磨和抛光最好是铸铁游星轮放在上下研磨盘之间研磨一段时间，就翻动一次行星轮；最好还改变游星轮转动方向。双面研磨抛光后，再放到单面抛光机进行单面精抛光。这样不但表面光洁度好，而且平行度也相当高，加工速度也提高了。
大面积平面晶片双面精密加工工艺

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