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[发明专利]一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路-CN201710096588.9有效
发明人：彭继辉 -专利权人：中山市领航光电科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路，包括整流滤波电路、冷双极型三极管以及反馈调节电路，冷双极型三极管的控制端与整流滤波电路电性连接以通过整流滤波电路触发冷双极型三极管的导通，反馈调节电路的输入端与冷双极型三极管的输出端电性连接，反馈调节电路的输出端与冷双极型三极管的控制端电性连接以根据冷双极型三极管的输出信号来反馈控制冷双极型三极管的通断，使冷双极型三极管的输出端输出高频电压信号以驱动LED工作，本设计能够驱动高功率的LED，由于冷双极型三极管耐温高，大大节省了成本，同时冷双极型三极管工作稳定，不易损坏，耐久度高。
一种应用冷双极型三极管 led 驱动电路

[实用新型]一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路-CN201720165110.2有效
发明人：彭继辉 -专利权人：中山市领航光电科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路，包括整流滤波电路、冷双极型三极管以及反馈调节电路，冷双极型三极管的控制端与整流滤波电路电性连接以通过整流滤波电路触发冷双极型三极管的导通，反馈调节电路的输入端与冷双极型三极管的输出端电性连接，反馈调节电路的输出端与冷双极型三极管的控制端电性连接以根据冷双极型三极管的输出信号来反馈控制冷双极型三极管的通断，使冷双极型三极管的输出端输出高频电压信号以驱动LED工作，本设计能够驱动高功率的LED，由于冷双极型三极管耐温高，大大节省了成本，同时冷双极型三极管工作稳定，不易损坏，耐久度高。
一种应用冷双极型三极管 led 驱动电路

[发明专利]对双极型晶体管进行仿真的方法及双极型晶体管仿真电路-CN201210452059.5有效
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法，其先建立一双极型晶体管仿真电路，双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间；然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，仿真精度高。
双极型晶体管进行仿真方法电路

[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]双定子双凸极复合励磁电机驱动系统及其控制方法-CN201610274055.0有效
发明人：王政;王学庆;曹佳伟;程明 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H02P21/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种双定子双凸极复合励磁电机驱动系统，包括故障重构五相T型三电平逆变器和双定子双凸极复合励磁电机；双定子双凸极复合永磁电机的两套绕组分别由两组故障重构五相T型三电平逆变器供电，两组故障重构五相T型三电平逆变器相互独立。双定子双凸极复合励磁电机采用双定子结构，包括外定子，内定子，双凸极转子，钕铁硼永磁体，铝镍钴永磁体，调磁线圈和电枢绕组；双定子共用一个双凸极转子。本发明提出一种双定子双凸极复合励磁电机系统，并提供了此种驱动系统的控制方法，可以具有功率密度高、效率高、可靠性高、调磁能力强等优点。
定子双凸极复合磁电机驱动系统及其控制方法

[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
发明人：冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。本实用新型体积小、工艺简单、生产效率高。
一种半导体电路智能功率模块

[发明专利]垂直双极型晶体管-CN90108153.1无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1992-10-21 - 主分类号： H01L29/50 文献下载
摘要：双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区城嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
垂直双极型晶体管

[实用新型]有源滤波器核心装置-CN201520595423.2有效
发明人：温骏;张春来 -专利权人：北京科力恒久电力技术股份有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有源滤波器核心装置，它包括箱体、风扇、散热器、绝缘栅双极型晶体管、叠层母排、薄膜电容、绝缘栅双极型晶体管驱动模块和控制器，风扇、散热器、绝缘栅双极型晶体管、叠层母排、薄膜电容、绝缘栅双极型晶体管驱动模块和控制器均安装在箱体内，风扇安装在散热器的散热片一侧，并与排气口相对，绝缘栅双极型晶体管固定在散热器的基座上，叠层母排分别连接绝缘栅双极型晶体管和薄膜电容，薄膜电容连接绝缘栅双极型晶体管驱动模块，绝缘栅双极型晶体管驱动模块上安装有控制器本实用新型与现有产品相比，具有集成度高、体积小防护完善、散热效率高，结构简捷可靠，安装方便简单的优点。
有源滤波器核心装置

[其他]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺-CN88100546无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1988-08-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型互补金属氧化物半导体晶体管集成制造工艺

[发明专利]双极型晶体管的集成制造工艺-CN91104429.9无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：德克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1993-03-03 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：双极型晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合CMOS制造工艺同时形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用模向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型晶体管集成制造工艺

[发明专利]双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺-CN88100546.0无效
发明人：拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1988-01-30 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：同时制作双极型和CMOS晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。
双极型互补金属氧化物半导体晶体管集成制造工艺

[发明专利]与BCD集成制造工艺兼容的垂直双极型器件制造工艺-CN200810207835.9无效
发明人：永福;龚大卫;陈雪萌;吕宇强 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/8248 文献下载
摘要：本发明揭示了一种与BCD集成制造工艺兼容的垂直双极型器件制造工艺，制造垂直双极型器件的集电区时，首先进行沟槽光刻步骤，之后在形成的沟槽中填充钨形成垂直双极型器件的集电区。该制造工艺能够成倍降低高耐压双极型晶体管的集电区串联电阻并缩小其面积，同时附加的工艺步骤也较少。
bcd 集成制造工艺兼容垂直双极型器件

[发明专利]一种逆变模块-CN201510013911.2有效
发明人：魏培华;杨奎 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆变模块，其包括设置有底板的散热器以及安装在底板上的若干个半桥臂单元，其中，每个半桥臂单元均包括从底板向外依次层叠的且相互间隔开的绝缘栅双极型晶体管组件、铜排组件、门极驱动板，从绝缘栅双极型晶体管组件引出并支撑起门极驱动板的支撑杆组件，以及安装在底板上的支撑电容，其中，绝缘栅双极型晶体管组件包括安装在底板安装有支撑电容的端面上的第一绝缘栅双极型晶体管元件、第一绝缘栅双极型晶体管元件，铜排组件电连接绝缘栅双极型晶体管组件、支撑电容、支撑杆组件并作为半桥臂单元的输入端和输出端该逆变模块的模块化程度高，通用化程度高，器件布局合理，并且可以不设置复合母排。
一种模块

[发明专利]高频放大器-CN00817061.4无效
发明人：森一富;新庄真太郎;上马弘敬;高桥贵纪;池田幸夫;高木直 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-10-12 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：在电阻13、14与NPN双极型晶体管12之间具备PNP双极型晶体管21、22，该PNP双极型晶体管21、22将NPN双极型晶体管12的集电极电流定为基准电流，而且构成决定NPN双极型晶体管11的集电极电流的电流镜象根据这一点，通过将PNP双极型晶体管21、22的尺寸比设计成使电压降ΔVb成为接近于0的值，在高频输入信号Pin增加且发生了基极整流电流时，可抑制基极电压Vb的电压降ΔVb，作为结果，可得到高输出、高效率
高频放大器

[发明专利]一种智能功率模块-CN202010763489.3在审
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供一种智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管以及第四绝缘栅双极型晶体管；本申请提供的智能功率模块通过采用单颗HVIC芯片来控制两组绝缘栅双极型晶体管形成的单相全桥电路，可以降低占用芯片的面积，提高空间利用率
一种智能功率模块

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