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[发明专利]用于多晶钨或单晶钨材料组织检验的试验样品制备、检验方法-CN202210260075.8在审
发明人：姚子洋;于翔天;王茹;汪洋;吴冰;李跃;白志洋;陆平;孔静;赵炜;何端鹏;李岩 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23F13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多晶钨或单晶钨材料组织检验的试验样品制备、检验方法，包括一种用于多晶钨或单晶钨材料低倍和显微组织检验的表面抛光方法、一种用于多晶钨或单晶钨材料低倍和显微组织检验的表面选择性腐蚀方法、一种用于多晶钨或单晶钨材料的低倍组织检验方法、一种用于多晶钨或单晶钨材料的显微组织和精细结构检验方法。利用单晶钨或单晶钨材料表面不同晶面取向耐蚀性差异，在电化学抛光表面的基础上，通过进一步调整电压参数使材料表面发生选择性腐蚀，进一步使用扫描电子显微镜等微观分析方法对因选择性腐蚀显示的微观晶体取向有差异的显微组织和精细结构
用于多晶单晶钨材料组织检验试验样品制备方法

[发明专利]钨酸铅单晶-CN98106681.X无效
发明人：薄善行 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 1998-04-20 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：用三氧化钨和氧化铅或钨酸铅生产的钨酸铅单晶，其中每一摩尔钨酸铅含有3×10-7摩尔到1×10-3摩尔镧。靠提高光透射率和减少自吸收来增加钨酸铅单晶的光发射量，可以获得做辐射探测器的闪烁体用的钨酸铅单晶。
钨酸铅单晶

[发明专利]大尺寸介/微孔氮化钨单晶材料及其制备方法、应用-CN202111063857.4有效
发明人：谢奎;席少波;叶灵婷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有介/微孔结构的大尺寸氮化钨单晶材料，及其制备方法和应用。所述介/微孔氮化钨单晶材料中含有小于10nm的孔。本申请的氮化钨单晶材料具有大尺寸，介/微孔结构的特点。目前还没有报道制备大尺寸的介/微孔氮化钨单晶的方法。本发明的介/微孔氮化钨单晶可以作为新型的催化电极材料、性能优异的超级电容器电极材料，催化剂材料及催化剂载体材料，具有广泛的应用前景。
尺寸微孔氮化钨单晶材料及其制备方法应用

[发明专利]制备钨酸盐单晶的方法-CN02802513.X无效
发明人：小林诚司;山本一富 -专利权人：古河机械金属株式会社
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：一种制备钨酸盐单晶的方法，该方法包括使用三氧化钨和二价金属氧化物或碳酸盐，三氧化钨和一价金属氧化物或碳酸盐以及三价金属氧化物，或由式XIIWO4或XIXIII(WO4)2表示的钨酸盐作为原料生长钨酸盐单晶，其中，XI，XII和XIII各自代表一价金属元素，二价金属元素，和三价金属元素，所述钨酸盐是通过在600－1550℃下，在氧分压低于大气中氧分压的系统中，加热上述的氧化物和/或碳酸盐，然后加热生长的钨酸盐单晶而获得的根据制备本发明钨酸盐单晶的方法，可以获得密度高且发光量增加的钨酸盐单晶，其可以用作为探测辐射如X－射线或γ－射线的闪烁体，此外，所述钨酸盐单晶具有提高的热导率，其可以用作为双波长激光器的激光器基质。
制备钨酸盐单晶方法

[发明专利]一种基于WO₃单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法-CN201110402654.3无效
发明人：秦玉香;沈万江;胡明;李晓;王飞 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三氧化钨单晶颗粒氮氧化物传感器元件的制备方法，步骤为：(1)配制六氯化钨溶液；(2)调节六氯化钨的摩尔浓度为0.003-0.014M；(3)合成准定向的钨氧化物纳米线；(4)制备纳米线基敏感材料浆料；(5)制备三氧化钨单晶颗粒氮氧化物传感器元件。本发明制备的三氧化钨单晶为纯的单斜相结构，单晶颗粒结构完整，晶化程度高，晶面清晰、形貌规则。基于该单晶三氧化钨材料的气体传感器可以实现对亚ppm至ppb级NO2气体的高灵敏度、高选择性的快速响应。
一种基于 wo sub 颗粒氧化物传感器元件制备方法

[发明专利]一种钨酸铋单晶及其制备方法-CN202210955377.7在审
发明人：刘国卿;王国伟;田相鑫;颜强;吴正新;刘永 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铋单晶及其制备方法，所述制备方法为助熔剂法，包括步骤：将氧化钨粉末和氧化铋粉末混合后，进行高温固相反应生成钨酸铋多晶；向所述钨酸铋多晶中加入助熔剂，加热熔融并恒温一段时间，然后进行程序降温至预设温度，再自然冷却至室温，得到所述钨酸铋单晶。本发明采用助熔剂法，将助熔剂与制备得到的钨酸铋多晶混合，加热熔融一定时间并通过降温控制钨酸铋单晶的生长，所述钨酸铋单晶可作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域，解决了钨酸铋多晶粉体因本身构型缺陷不能作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域的问题所述制备方法工艺简单、原料易得、成本较低、容易实现，可为制备大尺寸的钨酸铋单晶提供有益参考。
一种钨酸铋单晶及其制备方法

[发明专利]石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用-CN202111486768.0在审
发明人：杨诚;张显美 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于电子核心技术及生物医学工程技术领域，涉及传感器的制造及分子生物信息检测，具体涉及石墨烯/碲化钨异质结构的生物传感器及制备方法与应用，包括导电玻璃，所述导电玻璃表面设置单层单晶石墨烯薄膜，单层单晶石墨烯膜薄开设石墨烯沟道，石墨烯沟道上设置碲化钨薄膜形成顶栅，并使石墨烯与碲化钨形成石墨烯/碲化钨异质结构。其制备方法为：在金属箔表面制备单层单晶石墨烯材料，将金属箔刻蚀去除获得单层单晶石墨烯薄膜，将单层单晶石墨烯薄膜转移至导电玻璃表面，将单层单晶石墨烯薄膜刻出石墨烯沟道，将碲化钨薄膜转至使碲化钨薄膜搭接在石墨烯沟道上
石墨碲化钨异质结构生物传感器制备方法应用

[发明专利]一种纳米钨针尖制备方法-CN202310927421.8在审
发明人：阴生毅;郭家美;孙万众;张永清;高向阳 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01Q60/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米钨针尖制备方法，该方法包括：配制电化学腐蚀溶液，将单晶钨丝浸入电化学腐蚀溶液中进行电化学腐蚀；引入视频显微镜观察并记录单晶钨丝的电化学腐蚀过程；观察视频显微镜的图像，在单晶钨丝形成钨针尖时切断电源；取出钨针尖，将钨针尖置于富氧环境中进行高温富氧处理，得到纳米钨针尖。通过电化学腐蚀和高温富氧处理相结合制备纳米钨针尖，可获得表面充分净化及尺寸符合要求的单晶钨针尖，解决了目前采用常规方法难以获得尖端曲率半径50nm以下且表面光滑的纳米钨针尖的问题。
一种纳米针尖制备方法

[发明专利]一种单晶多孔方形片状氮化钨纳米粒子的合成方法及应用-CN202110265599.1有效
发明人：席广成;李俊芳;刘大民;李亚辉 -专利权人：中国检验检疫科学研究院
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料合成领域，尤其涉及一种单晶多孔方形片状氮化钨纳米粒子的合成方法。本发明的方法包括如下步骤：1)以钨酸钠二水合物、草酸钠和盐酸的饱和水溶液为原料进行水热反应，得到水合氧化钨；反应过程中所述钨酸钠二水合物、草酸钠、水和盐酸的饱和水溶液的质量比为0.3～0.4：0.1～0.15：25～35：1；水热反应的温度为100～130℃；2)将步骤1)得到的水合氧化钨进行氮化处理，得到单晶多孔方形片状氮化钨纳米粒子。本发明采用水热法制备单晶多孔氮化钨，操作简便，所制得的单晶多孔方形片状氮化钨形貌规则、可控，具有良好的重复性和稳定性。
一种多孔方形片状氮化纳米粒子合成方法应用

[发明专利]一种发射针、电子源及其制备方法-CN202310589864.0在审
发明人：郝占海;陆梁 -专利权人：大束科技（北京）有限责任公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J1/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种发射针、电子源及其制备方法，所述发射针包括针本体和固定在所述针本体上的低逸出功材料团块，所述针本体由单晶钨制成，所述低逸出功材料团块由氧化钇制成。本发明的有益效果：本发明采用在单晶钨上涂敷氧化钇来降低单晶钨的逸出功；采用本发明烧结氧化钇后的电子源安装到发射电子枪中，加热到1700‑1800K温度的时候，在电子枪的电场作用下，在单晶钨的发射尖端可以稳定的发射电子束，单晶钨的逸出功大大降低。
一种发射电子及其制备方法

[发明专利]一种具有优良韧性的喷涂粉-CN201110170732.1有效
发明人：朱明生;丁立平 -专利权人：奥美合金材料科技(北京)有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有优良韧性的热喷涂粉，原料包含铸造碳化钨、单晶碳化钨以及粘结金属。其中包括重量比为0-93％的铸造碳化钨，重量比为3-96％单晶碳化钨，重量比为4-30％的粘结金属，其余为普通碳化钨。本发明的优异效果在于：铸造碳化钨具有较高的硬度，使得本发明的喷涂粉具有较高的硬度；单晶碳化钨因为是单一晶体，使得喷涂粉具有较好的韧性。两种原料的配比，使得该喷涂粉在硬度提升的同时，韧性还有大幅提升。
一种具有优良韧性喷涂

[发明专利]熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法-CN202010181843.1在审
发明人：吴燕庆;宋健;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明属于二维材料领域，公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法，该方法是利用预先设定的温度条件，在小反应室处于预先设定的温度条件下时，卤化物能够熔融与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，载气气流则能够携带硒源材料产生的气态硒元素与中间产物产生的气态钨元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层二硒化钨单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进，使用卤化物与钨源材料混合参与反应，利用卤化物熔融盐与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，能够有效控制化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶，可控性好且能够制得较大尺寸的多层二硒化钨单晶
熔融辅助化学沉积生长多层二硒化钨单晶方法

[发明专利]一种毫米量级硫化钨单晶的生长方法-CN202011269161.2在审
发明人：兰飞飞;张嵩;王再恩;董增印;王健;李强;程红娟;李佳起;杨丹丹 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种毫米量级硫化钨单晶的生长方法,采用半封闭方式，在生长开始前引入极少量的NaCl颗粒，采用的NaCl颗粒能够在相对较低的温度下（约800℃）形成含有W的化合物，进而能够在CVD生长温度下有效的提升WS2生长过程中W源的过饱和度，进而实现单晶尺寸的扩大。通过采用这种方法能够将WS2单晶尺寸扩大至1.5mm，而常规生长方法获得的WS2单晶尺寸通常仅为数十微米。显著提高成核过程中钨源的过饱和度，使得成核生长过程中衬底表面钨源供应充足，保证生长的顺利进行，能够显著增大硫化钨单晶的晶畴尺寸，利于毫米量级硫化钨单晶的生长。
一种毫米量级硫化钨单晶生长方法

[发明专利]一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法-CN202111175709.1有效
发明人：周文政;区丽敏;农盛恒;黄甜甜;黄海富;梁先庆;刘海镇;蓝志强;黄丹;郭进 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法，具体包括以下步骤：(1)将镍钴锰三元前驱体与锂源混合，煅烧，球磨，得到单晶富镍三元正极材料；(2)将单晶富镍三元正极材料与钨源混合，煅烧，冷却，即得钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料。本发明是通过调控钨源的用量以实现对单晶富镍三元正极材料的单独包覆、单独掺杂以及既包覆又掺杂的任意调控，有效增强了单晶富镍三元正极材料的结构稳定性，降低了材料的极化，提高了锂离子扩散动力学，因而同时提高了电池的循环稳定性和倍率性能
一种钨包覆掺杂单晶富镍三元正极材料制备方法

[发明专利]一种单晶边皮破碎设备-CN202211587097.1在审
发明人：沈天星;沈卫东 -专利权人：江苏众鑫磁电有限公司
申请日： 2022-12-11 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B02C1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶边皮破碎设备，包括工作台以及放置在工作台上进行破碎的单晶硅片皮，工作台的内部安装有连接板，连接板的内部开设有多个贯穿孔，且贯穿孔的内部设置有用于对单晶硅片皮进行破碎的冲击机构，冲击机构包括活动设置有贯穿孔内部的多个钨棒；工作台的外部活动设置有盖板，盖板的外部对称安装有内螺纹套筒，内螺纹套筒的内部设置有对单晶硅片皮进行定位的限位机构，在破碎过程经过破碎的单晶硅片皮能够保持在盖板的内部，便于后需要进行收集，通过液压伸缩杆驱动钨棒向上运动，钨棒通过贯穿孔对单晶硅片皮进行冲击破碎，并且钨棒呈阵列分布，从而能够对单晶硅片皮的底部进行均匀破碎。
一种单晶边皮破碎设备

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