“单晶炉用主”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4638407个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极-CN201620266947.1有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极，包括从外向内嵌套设置的主电极体、副电极体和通冷却水的电极水套，主电极体和副电极体之间绝缘。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极解决了现有技术存在的设备改造成本高、拉晶功耗高的问题。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极将主电极、底电极集成在一个金属电极上，将原4个电极减少至2个电极，避免了增加金属电极会带走热场中热量的情况，可以节约拉晶功耗8％左右，而且其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用，利用单晶炉炉底原电极孔、配套电缆、水管即可安装，兼容性强。
一种直拉单晶炉用嵌套金属电极

[发明专利]一种氮气拉晶用管路及掺氮单晶拉制工艺-CN201910079775.5在审
发明人：张全顺;高润飞;武志军;裘孝顺;张文霞;高树良;徐强;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮气拉晶用管路，包括氩气控制管路和氮气控制管路，氩气控制管路分别与单晶炉的副室和主室连接，氮气控制管路分别与单晶炉的副室和主室连接，氩气控制管路设有氩气进气管道，氮气控制管路设有氮气进气管道本发明的有益效果是氮气拉晶用管路结构更加简单，便于安装，同时，采用该结构的管路结构，将氩气与氮气分开，能够分别控制氮气和氩气的输入，该管路还具有流量计，能够时时控制氮气和氩气的输入流量，进而控制单晶炉内氩气和氮气的体积占比，保证单晶炉的炉压，保证拉制单晶的质量。
氩气氮气单晶炉氮气控制控制管路拉晶管路结构副室主室流量计氮气进气管道便于安装单晶拉制进气管道输入流量拉制掺氮单晶炉压保证

[实用新型]一种氮气拉晶用管路-CN201920143873.6有效
发明人：张全顺;高润飞;武志军;裘孝顺;张文霞;高树良;徐强;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮气拉晶用管路，包括氩气控制管路和氮气控制管路，氩气控制管路分别与单晶炉的副室和主室连接，氮气控制管路分别与单晶炉的副室和主室连接，氩气控制管路设有氩气进气管道，氮气控制管路设有氮气进气管道本实用新型的有益效果是氮气拉晶用管路结构更加简单，便于安装，同时，采用该结构的管路结构，将氩气与氮气分开，能够分别控制氮气和氩气的输入，该管路还具有流量计，能够时时控制氮气和氩气的输入流量，进而控制单晶炉内氩气和氮气的体积占比，保证单晶炉的炉压，保证拉制单晶的质量。
氩气氮气单晶炉氮气控制控制管路本实用新型管路结构副室拉晶主室流量计氮气进气管道便于安装进气管道输入流量拉制单晶炉压保证

[实用新型]一种单晶硅生长炉-CN200820168764.1无效
发明人：李国迪;谈志俊;蒋明霞 -专利权人：浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之间设有翻盖阀门，其特征在于：所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。该单晶硅生长炉可以在保持单晶炉处于高温状态时重复加料，完成多根单晶棒生产，既节省了与单晶炉配套的石英坩锅用量、又节约了能耗。
一种单晶硅生长

[发明专利]新型单晶炉-CN202011384456.4有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种新型单晶炉，其包括主炉室和副炉室，副炉室与主炉室连通，其中，该新型单晶炉还包括料室，料室上设置有加料口，料室通过加料口与主炉室连通。料室中设置有加料机构，加料机构可伸缩地穿设在加料口中，用于穿过加料口并向主炉室内的坩埚中加料。本申请提供的新型单晶炉，通过设置料室，实现了在旋出单晶棒的过程中进行加料操作，有效缩短了旋出单晶棒和加料操作共同消耗的时间，提升了生产效率。
新型单晶炉

[实用新型]一种单晶炉气动单元用氮气安保系统-CN201520609217.2有效
发明人：张明亮;高林玉;司鹏辉;刘要普 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：一种单晶炉气动单元用氮气安保系统，包括向单晶炉供应压缩空气的气动单元和氮气备用单元，气动单元通过压缩空气管道向单晶炉炉台备用气点供应压缩空气，且在压缩空气管道上依次设置主阀门和常开气动阀以控制压缩空气的通断，氮气备用单元包括向单晶炉炉台备用气点供应氮气的氮气总管道、向常开气动阀供应氮气的支管路和安装在压缩空气管道上的电接点压力表。本实用新型将稳定的氮气作为备用气源，当气动单元出现异常情况时，气动装置自动动作，不间断的将氮气切入单晶炉用压空系统，从而保证单晶炉的正常生产，能最大限度降低因压空系统出现异常对单晶炉造成的影响。
一种单晶炉气动单元氮气安保系统

[发明专利]一种单晶炉及用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺-CN202010330003.7在审
发明人：吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉，包括炉盖和主炉室，还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置，所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方；所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置本发明还提出一种用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺。本发明通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度，实现熔硅液面温度监控自动调整，以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定，为后续成功引晶奠定基础，监控区域设置合理，监控温度精准且易于控制，实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯度的一致性
一种单晶炉进行直拉单晶稳温工艺

[发明专利]一种锗单晶制备用单晶炉及工艺-CN202211371694.0在审
发明人：唐安泰;唐安雄;李光洪;高丽;李艳;梁小刚 -专利权人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种锗单晶制备用单晶炉及工艺。提供一种使得副炉体能够自动进行转动，便于将锗单晶取出的锗单晶制备用单晶炉及工艺。一种锗单晶制备用单晶炉及工艺，包括有：底座和支撑座，底座前部上侧连接有支撑座；主炉体，支撑座上部连接有主炉体；副炉体，主炉体上部滑动式连接有副炉体；连接座，主炉体上前部连接有连接座；气缸，连接座前部连接有气缸；进料阀门，气缸伸缩杆上连接有进料阀门，进料阀门与连接座和主炉体滑动式连接。
一种锗单晶制备用单晶炉工艺

[发明专利]一种从单晶炉中取出单晶棒的方法-CN201110134324.0无效
发明人：牛小群 -专利权人：浙江星宇能源科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从单晶炉中取出单晶棒的方法，该方法是通过提拉头将拉好的单晶棒升至副炉室、观察室及炉盖以上后，再将提拉头及单晶棒随副炉室、观察室、炉盖一起向侧边移至主炉室外，并对准在侧边的主炉室的地下开有的槽孔，然后降下单晶棒，把单晶棒放入槽孔至炉盖以下部位，即可取出单晶棒。采用本发明，可以通过增加直拉单晶棒的有效行程，将每炉的硅料加满，并一次性制成单晶棒，达到提高生产效率，降低生产成本的目的。
一种单晶炉中取出单晶棒方法

[实用新型]单晶炉用温度过渡环-CN201220533280.9有效
发明人：梁仁和;李宗仁;赵婷玮 -专利权人：北京京仪世纪电子股份有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉用热系统，具体是在单晶炉热系统结构中加入了一个温度过渡环，它在整个热系统中放置于保温盖上部，厚度为10mm，温度过渡环的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗视线的情况下，内径越小越好，高度越高越好，但内径不能小于保温盖的内口径，高度不能高于硅单晶炉主室的上沿高度，通过加入温度过渡环，可以使处于保温盖以外的单晶棒的温度更加缓慢的下降，减小由于温度变化太大给单晶棒带来的热应力，提高单晶棒的质量和成品率
单晶炉用温度过渡

[实用新型]单晶炉双加热系统-CN201420055640.8有效
发明人：李长营;陆荣;张留军 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉双加热系统，所述单晶炉双加热系统包括沿所述单晶炉炉壁设置的环形的主加热器，所述单晶炉双加热系统还包括设置在所述单晶炉炉底的底部加热器。本实用新型可进一步降低单晶炉中单晶棒头部的含氧量。
单晶炉双加热系统

[实用新型]单晶炉用外部化料装置-CN201820666475.8有效
发明人：蒋国庆 -专利权人：蒋国庆
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉用外部化料装置，单晶炉包括外部加料器、主炉室坩埚和立柱，它包括化料器、升降驱动装置和旋臂，化料器的上端与外部加料器相连通，以便将外部加料器中的硅料加入化料器中，所述化料器的下端与主炉室坩埚相连通，以便熔化后的硅料进入主炉室坩埚中；化料器连接在升降驱动装置上，以便在不继续加料时，通过升降驱动装置驱动化料器上升至不干涉主炉室坩埚上升的位置；所述旋臂铰接在立柱上，所述升降驱动装置连接在旋臂上。本实用新型与外部加料器配合可以使得单晶炉实现连续拉晶，选用合适的主炉室坩埚可以实现连续拉制五至六根晶棒，且拆卸方便，可减少冷却、拆炉、装炉的时间，提高了生产效率，也减少了热量的流失。
化料器主炉室坩埚升降驱动装置单晶炉加料器外部旋臂本实用新型化料装置硅料立柱熔化拆卸方便生产效率加料拉制上端拆炉铰接晶棒拉晶下端装炉冷却驱动干涉配合

[发明专利]一种分体式直拉单晶炉泄压方法-CN202210577422.X在审
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分体式直拉单晶炉泄压方法，属于光伏技术领域。本发明提出的方法为：首先，利用连接件将泄压门与主炉腔体扣合锁紧；泄压门安装在分体式直拉单晶炉的主炉腔体上，通过连接件与主炉腔体扣合锁紧后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉；然后，通过分体式直拉单晶炉进行直拉法制备单晶；之后，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，主炉腔体中的压力增高，泄压门受压力作用向外打开，高温气体流出，使得主炉腔体中的压力迅速降低。本发明通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当炉体发生爆炸，泄压门可以迅速打开泄压，从而避免了炉盖脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉泄压方法

[实用新型]一种分体式直拉单晶炉装置-CN202221273246.2有效
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分体式直拉单晶炉装置，属于光伏技术领域。本实用新型提出的装置包括：炉盖、炉体底座、坩埚、主炉腔体、泄压门以及连接件；其中，主炉腔体与炉盖和炉体底座连接，泄压门安装在主炉腔体上，可以活动打开，通过连接件，泄压门与主炉腔体扣合后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉，坩埚安装在分体式直拉单晶炉内。本实用新型通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，炉内压力会迅速升高，泄压门受到压力作用向外打开，高温气流从泄压门处流出，使得炉内压力迅速降低，从而避免了炉盖受压力作用脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉装置

[实用新型]单晶炉快速冷却装置-CN201320303095.5有效
发明人：周锐;李侨;李定武 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：单晶炉快速冷却装置，包括冷却管及其驱动装置，冷却管设有冷却介质进口和冷却介质出口；在单晶炉运行过程中，将冷却管下降到单晶炉外部、保温层以下；在单晶炉拉晶结束后，冷却管在驱动装置的驱动下升高至单晶炉主室的高温区，通过冷却介质与炉内高温热场部件及环境之间进行热交换；冷却结束后，冷却管受驱动装置的驱动下降至单晶炉外部。本实用新型快速冷却单晶炉装置结构简单，使用方便，冷却效果好。本实用新型冷却方法简单易行，可及时对单晶炉主室进行强制冷却，与自然冷却相比，可以缩短2-4h（或30-40%）的停炉冷却时间，提高了单晶炉设备利用率及生产效率，降低了晶体生长成本。
单晶炉快速冷却装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条