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[发明专利]单晶炉漏硅检测方法、设备及存储介质-CN201911309443.8有效
发明人：徐战军;冉瑞应;金雪;李博一;李侨;周锐 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G01M3/32 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶炉漏硅检测方法、设备及存储介质，涉及太阳能光伏领域，能够及时检测单晶炉是否漏硅，提高单晶炉的安全性，降低事故风险。具体技术方案为：获取同一时刻单晶炉坩埚内硅液液面的理论高度值和实际高度值；计算硅液液面的理论高度值和实际高度值的差值；在差值大于预设阈值时，确定单晶炉发生漏硅。本发明用于漏硅检测。
单晶炉漏硅检测方法设备存储介质

[实用新型]一种单晶炉漏硅检测装置-CN201921788099.0有效
发明人：杜婷婷;冉瑞应;徐战军;邓浩;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶炉漏硅检测装置，包括单晶炉炉体、设置在所述单晶炉炉体内部的坩埚，以及设置在所述单晶炉炉体底部的石墨毡、石墨板和CO检测单元，所述石墨毡位于所述单晶炉炉体内底部端面，所述石墨板铺设于所述石墨毡的上表面，所述CO检测单元穿过所述石墨板和所述石墨毡并贯穿所述单晶炉炉体底部设置。本申请提供的单晶炉漏硅检测装置，结构较单一、成本低，通过设置CO检测单元可及时地实现单晶硅炉内坩埚漏硅检测和预警。
一种单晶炉漏硅检测装置

[发明专利]一种单晶炉漏硅后快速引流装置-CN202011641329.8在审
发明人：马腾飞;汪奇;龙昭钦;宋丽平 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。本申请公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，排气管道接竖直通道，竖直通道下面接溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽内，不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水泄漏瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，且可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。
一种单晶炉漏硅后快速引流装置

[实用新型]一种单晶炉漏硅后快速引流装置-CN202023348164.3有效
发明人：马腾飞;汪奇;龙昭钦;宋丽平 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。本申请公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，排气管道接竖直通道，竖直通道下面接溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽内，不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水泄漏瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，且可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。
一种单晶炉漏硅后快速引流装置

[实用新型]一种单晶炉热场石墨电极及单晶炉-CN201420256095.9有效
发明人：白剑铭 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉热场石墨电极及单晶炉，单晶炉热场石墨电极包括石墨电极本体，所述石墨电极本体的上部在外圆周设有径向凸起的硅液遮挡部(6)；所述硅液遮挡部(6)具有向下方倾斜的硅液导流斜面(7)；所述硅液遮挡部(6)呈锥台形，其锥底直径大于石墨电极本体的直径，其锥面形成所述硅液导流斜面(7)。该石墨电极在发生漏硅事故后，可防止硅液流到炉底压片上，从而保护了单晶炉炉底，防止了爆炸事故的发生，保证了单晶炉的安全运行。本实用新型还公开了设有所述石墨电极的单晶炉。
一种单晶炉热场石墨电极单晶炉

[发明专利]单晶硅制备装置及其控制方法-CN202310218030.9有效
发明人：曹建伟;朱亮;叶钢飞;高宇;王小飞;李玉刚 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶硅制备装置，包括：晶体生长炉；坩埚；加热机构；升降机构；晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当坩埚发生漏硅时，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板。本申请在炉底板间设计有防漏保护机构，可以在坩埚发生漏硅时由防漏保护机构承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将炉底板熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。
单晶硅制备装置及其控制方法

[实用新型]单晶炉防漏装置-CN201120226056.0有效
发明人：韩曙波 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉防漏装置，包括防漏箱体和安装件，防漏箱体通过安装件悬挂在单晶炉的真空管道和管道波纹管下方。在发生漏硅时，承接漏出的硅料，有效的保护了单晶炉内的其它设备的正常运行。
单晶炉防漏装置

[实用新型]一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置-CN201822187657.X有效
发明人：高建芳;梁宇飞;张红霞;郝勇;樊国庆;李娜 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置，设置在直拉单晶炉底部，包括防漏容器和排气管，所示防漏容器为环绕直拉单晶炉大轴护套设置的槽状物，所示排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道，排气出口管道末端贯穿直拉单晶炉底，排气进口管道顶端排气入口连通直拉单晶炉内腔，排气进口管道倾斜向下。本实用新型的有益效果是：将炉内挥发物的混合气体排出，减少挥发物在炉膛排气管口的聚集与沉积；排气进口管道倾斜向下，排气入口处避免形成气体对流，涡流，能够快速顺畅的将气体排出；底部设有防漏容器，当发生漏硅现象时，可将溢出的硅液固定在防漏容器中，避免漏硅沿排气管道流出造成事故。
直拉单晶炉防漏容器排气进口挥发物排气管道装置直拉硅单晶炉本实用新型排气出口倾斜向下排气管防漏排出炉膛涡流排气入口连通管道顶端管道末端混合气体排气管道排气管口气体对流槽状物入口处大轴硅液护套炉内内腔沉积排气溢出流出环绕贯穿

[实用新型]防漏硅装置及单晶炉-CN202222581251.6有效
发明人：宋丽平;龙小娇;陈铭;龙昭钦 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防漏硅装置及单晶炉，所述单晶炉包括炉体和位于所述炉体内的坩埚，所述防漏硅装置包括护盘和支撑固毡，护盘包括第一底壁和第一侧壁，第一底壁和第一侧壁围成第一腔体，护盘用于设置于单晶炉的炉体底部，护盘设置于坩埚的下方，支撑固毡设置于第一腔体内，支撑固毡与护盘的第一底壁接触的一侧具有第二腔体，第一腔体用于盛放坩埚泄露后的硅液。该单晶炉支撑固毡支撑起炉底上部热场，第二腔体留出可盛放硅液的空间，当漏硅的硅液量较多时，硅液可流至炉底护盘，极大程度保护炉底板及炉体外部波纹管等部件，降低了发生爆炸的可能性，极大地提高了单晶炉热场的安全性
防漏装置单晶炉

[实用新型]一种下排气单晶炉排气帽-CN201120453394.8有效
发明人：刘彬国;何京辉;曹祥瑞 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种下排气单晶炉排气帽，属于单晶硅制备设备技术领域。将所述排气帽套在单晶炉的排气管道的上端口，对单晶炉排气管道起保护作用，在单晶炉出现漏硅时所述排气帽的上顶盖可以起到缓冲高温度硅液的作用，并把硅液导向其它部位，而不从排气管道的上端口进入，避免了高温度的硅液烫坏单晶炉排气管道而引发重大安全事故的问题
一种排气单晶炉

[实用新型]一种单晶炉漏硅检测装置-CN201821702084.3有效
发明人：武高峰;周锐;李侨;徐战军;赵会刚;张伟建;赵阳;刘永生;张永辉 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉漏硅检测装置，属于单晶硅制造技术领域。所述单晶炉漏硅检测装置包括温度判断装置、报警装置和至少一个温度感应器，至少一个所述温度感应器的信号输出端与温度判断装置的信号输入端信号连接，所述温度判断装置的信号输出端与报警装置的信号输入端信号连接，所述坩埚托杆穿过单晶炉的底板向外延伸的一端设置有一个温度感应器采用本实用新型所述技术方案，由于本申请中均将测温点设置于炉体腔体的外侧，不破坏炉体结构，也不改变炉体内热场结构，结构简单、使用方便，同时又能及时检测出硅液泄漏。
单晶炉温度判断装置温度感应器检测装置本实用新型信号输出端信号输入端报警装置信号连接底板单晶硅炉体结构热场结构一端设置坩埚托杆测温点炉体腔硅液泄漏体内穿过检测延伸申请制造

[实用新型]一种单晶炉硅液的防泄漏结构-CN202021879236.4有效
发明人：吴雄;张忠华;张俊;凌继贝 -专利权人：内蒙古豪安能源科技有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉硅液的防泄漏结构，包括加热箱、控制器、支撑脚、底板、石墨埚、加热器、防液漏警报装置和支撑柱，通过在单晶炉底部的加热箱内部设置了防液漏警报装置，防液漏警报装置设置于石墨埚底部的加热器底部，当石墨埚底部漏液时，通过防液漏警报装置的集液槽对硅液进行收集，且硅液进入至防液漏警报装置的警报启动机构内，通过警报启动机构启动蜂鸣器进行警报提示，且通过防液漏警报装置的储液罐对漏出的硅液进行收集，避免硅液低落
一种单晶炉硅液泄漏结构

[发明专利]一种单晶炉的二次加料装置及加料方法-CN201911283075.4在审
发明人：曹玲玲;杨明财;郭梅珍;史正斌;任长春;鲍守珍;王茜;蔡延国;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉的二次加料装置及加料方法,涉及单晶棒生产技术领域，包括化料炉和至少一个单晶炉，多个所述单晶炉均与化料炉之间连接有进料筒；所述化料炉内安装有具有倾倒功能的支撑架和安装在支撑架上的化料坩埚本发明使单晶炉内在制作单晶硅棒的同时能对硅料进行熔融，使单晶炉内的硅棒在制作完成后，向单晶炉内补充的硅料即为熔融状，使单晶炉完成加料后能马上进行单晶硅棒的制作，使单晶硅棒的生产效率大大提高。
一种单晶炉二次加料装置方法

[实用新型]一种新型移动式锗单晶炉检漏装置-CN201920657198.9有效
发明人：吕远芳 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01M3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型移动式锗单晶炉检漏装置，包括移动机构、检测机构和警报灯，环形检测加持器的内环尺寸与单晶炉炉体的直径相匹配，通过电机动力输出端的齿轮转动带动整个电驱主动位移件沿着限位杆的方向上下移动，从单晶炉的炉顶开始向炉底的方向移动，对整个单晶炉进行环形扫描式检测，硅敏感片环形设置，硅敏感片的移动轨迹形成筒型的检测面，实现漏硅蒸汽的全方位检测，无死角，硅敏感片与警报灯电性连接，当硅敏感片感应到泄漏的硅蒸汽时，触发硅敏感片的警报系统触发，警报灯闪烁提醒工作人员进行维修，工作人员只需进行单次操作即可实现单晶炉炉体的整体检测，减少工作人员的工作量，提高检测效率。
一种新型移动式锗单晶炉检漏装置

[发明专利]一种直拉法制备单晶硅的方法-CN201711175303.7在审
发明人：王会敏;张浩强;颜超;范晓甫;赵龙;张振国;霍永超;杜瑞豹;杨乐天 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种直拉法制备单晶硅的方法，单晶炉完成硅料熔化之后，单晶炉加热功率快速下降，温控器控制单晶炉的炉内温度稳定后，籽晶接触液面后引颈，引颈一定高度后，无位错开始放肩，放肩后长晶，单晶炉加热功率分步逐降，长晶达到目标直径后开始转肩。经过上述方法可以缩短单晶生长周期100min左右，提高引颈成功率40‑50％。并且此方法可以快速找到引颈温度，减少长晶位错，缩短单晶的生长周期并减少硅料与石英埚接触时间以减少硅料杂质的影响，提高了引颈成功率及单晶品质。
一种法制单晶硅方法

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