专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蚀剂图案金属化工艺用组合-CN202080032980.7在审
  • 柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 - 日产化学株式会社
  • 2020-03-27 - 2021-12-10 - G03F7/20
  • 本发明的课题是提供一种组合以及使用该组合蚀剂图案的金属方法,其能够通过使蚀剂图案的蚀剂金属来改善蚀剂图案的粗糙度或塌陷,并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于蚀剂图案金属化工艺的组合以及使用该组合提供于蚀剂中渗透有前述组合成分的蚀剂图案的蚀剂图案金属方法,所述组合含有(A)成分:选自金属氧化(1)、水解性硅烷化合(2)、前述水解性硅烷化合的水解(3)、及前述水解性硅烷化合的水解缩合(4)中的至少一种;(B)成分:不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合;及(C)成分:水性溶剂。
  • 抗蚀剂图案金属化工艺组合
  • [发明专利]具有砜结构及胺结构的含硅蚀剂下层膜形成组合-CN201380032731.8有效
  • 菅野裕太;高濑显司;中岛诚;武田谕;若山浩之 - 日产化学工业株式会社
  • 2013-06-19 - 2017-06-16 - C07F7/18
  • 本发明提供光刻用蚀剂下层膜形成组合。解决手段是采用下述式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合。该光刻用蚀剂下层膜形成组合包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解及其水解缩合中的至少1种,且该硅烷包含式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合。还提供半导体装置的制造方法,其包含通过将蚀剂下层膜形成组合涂布在半导体基板上并进行烧成而形成蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布蚀剂用组合而形成蚀剂膜的工序、对上述蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案蚀剂膜的工序、按照图案蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案蚀剂膜及蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。
  • 具有结构含硅抗蚀剂下层形成组合

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