专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]研磨方法及装置-CN201010546465.9无效
  • 梁金娥;李文明;张冠夫 - 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
  • 2010-11-16 - 2012-05-23 - B24B37/00
  • 本发明涉及一种研磨方法及装置,该方法包括如下步骤:对晶圆介质进行介质化学机械研磨;检测介质化学机械研磨的研磨效果;根据所述研磨效果确定对所述晶圆介质进行钨化学机械研磨的研磨菜单。本发明根据介质化学机械研磨的研磨效果确定相适应的钨化学机械研磨的研磨菜单,对介质化学机械研磨进行辅助,很大的程度上保持并提高介质化学机械研磨的研磨效果,既解决化学汽相淀积淀积薄层区域分布不均匀,前值幅度大,边缘厚的问题,又保持和提高了晶圆介质的平坦度,从而大大提高了半导体产品的的性能和制造良率。
  • 研磨方法装置
  • [发明专利]化学设备-CN201980043734.9在审
  • 彼得·施塔尔;于尔根·克拉夫特 - 爱尔铃克铃尔股份公司
  • 2019-06-28 - 2021-02-09 - C25B9/77
  • 为了提供如下的电化学设备,该电化学设备包括:由沿堆叠方向相继的多个电化学单元构成的堆垛,电化学单元分别包括电化学活性的膜电极装置、双极板和密封系统;沿堆叠方向延伸通过多个电化学单元的至少一个介质通道;和至少一个流场,来自介质通道的介质可以通过该流场横向于堆叠方向地从介质通道流向其他介质通道,其中,密封系统包括在至少一个流场周围延伸的流场密封装置和在介质通道周围延伸的至少一个介质通道密封装置,从而使在该电化学设备中,密封系统具有高的机械稳定性并且在电化学设备装配时能够精确地定位,所提出的是,将流场密封装置固定在膜电极装置上,并且将至少一个介质通道密封装置固定在双极板上。
  • 电化学设备
  • [发明专利]车载移动供热系统、车辆以及供热方法-CN202211215915.5在审
  • 肖刚;祝培旺;柴丰圆 - 浙江大学
  • 2022-09-30 - 2022-12-23 - F28D20/00
  • 本发明涉及储能领域,具体提供一种车载移动供热系统、车辆以及供热方法,该车载移动供热系统包括储存有热化学储热介质的储热罐、加热装置以及换热装置,加热装置用于将储热罐的温度维持在热化学储热介质的反应温度以上,换热装置将热化学储热介质与储热流体换热。车载移动供热系统还包括热化学储热介质出口和储热流体出口,热化学储热介质出口用于输出与储热流体换热后的热化学储热介质,储热流体出口用于输出与热化学储热介质换热后的储热流体。该车载移动供热系统通过简单的系统结构,解决了现有的移动供热系统热源温度较低,高温热源无法移动,无法将其供给用户,且能够供给的储热介质类型较单一的问题。
  • 车载移动供热系统车辆以及方法
  • [发明专利]一种等离子体降解化学战剂的方法及其应用-CN202310037511.X在审
  • 周云正;汤敏;周瑾;薛智诚;何志鹏 - 上海人召健康科技有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-05-30 - C02F1/72
  • 本发明涉及饮水消毒技术领域,尤其涉及一种等离子体降解化学战剂的方法及其应用。所述方法包括:将负载有锰氧化物的二氧化钛载体置于化学战剂介质中作为反应介质,设置DBD等离子体产生装置指向反应介质,DBD等离子体产生装置通过电场将等离子体驱向反应介质,以反应介质激发产生的单线态氧、超氧阴离子,或反应介质化学战剂介质共同激发产生的单线态氧、超氧阴离子和羟基自由基对化学战剂介质中的化学战剂进行降解。本发明通过DBD等离子体技术结合金属氧化物催化剂实现了对化学战剂的有效降解洗消,能够更加有效彻底地去除化学战队对气体环境和液体环境造成的污染,具有高效、彻底的优点。
  • 一种等离子体降解化学战剂方法及其应用
  • [发明专利]半导体金属连线制作工艺中改善介质层膜厚均一性的方法-CN200910057519.2无效
  • 邓镭;方精训;程晓华 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2009-06-30 - 2011-01-05 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种半导体金属连线制作工艺中改善介质层膜厚均一性的方法,在制作金属连线之后,淀积第一介质层,然后在所述第一介质层上淀积一层阻挡层,再在所述阻挡层上淀积第二介质层,所述第二介质层的最低处要高于所述阻挡层的最高处,之后进行化学机械抛光,所述阻挡层在后面进行的化学机械抛光中对所述第二介质层具有高选择比,使得化学机械抛光后的表面停留在所述阻挡层的最高处。本发明使化学机械抛光在研磨介质层的时候能够停在该阻挡层上,以有效消除因耗材和工艺参数的变化引起的化学机械抛光工艺波动,同时在一定程度上了克服化学机械抛光自身特性的限制,改善了介质化学机械抛光后硅片面内和硅片之间的膜厚均一性
  • 半导体金属连线制作工艺改善介质层膜厚均一方法

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