专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图形与代码的转换方法及装置-CN201810443960.3有效
  • 苟永椋;赵勋;伍印;周浩 - 成都我有科技有限责任公司
  • 2018-05-10 - 2021-12-28 - G06F8/40
  • 本申请提供一种图形与代码的转换方法及装置,所述方法包括:获取待处理代码;针对每个代码行,在检测到该代码行中包括其中一个预设函数函数名时,将该代码行对应的预设函数作为目标函数;当目标函数为主函数或变量列表函数时,根据该目标函数函数名生成对应的图形结构;当目标函数不为主函数或变量列表函数时,确定该目标函数的范围,根据该目标函数函数名及范围生成对应的图形结构,并根据该目标函数的前一函数确定该目标函数的图形结构的显示位置;针对每个生成的图形结构,根据该图形结构的显示位置,在一图形显示界面上显示图形结构
  • 图形代码转换方法装置
  • [发明专利]实现函数跳转的方法、装置及计算机存储介质-CN201910465987.7有效
  • 胡雷斌;温从洋;王辉;马剑 - 华为技术有限公司
  • 2019-05-30 - 2022-08-09 - G06F9/448
  • 本申请提供了实现函数跳转的方法、装置和计算机可读存储介质,该方法包括:当第一函数被调用时,在存储有多个函数的地址的第一数据结构中查找第一函数的地址;若查找到第一函数的地址,说明存在用于替换第一函数的补丁函数;根据第一函数的地址在第二数据结构中查找第一函数的补丁函数的地址,第二数据结构中存储有多个函数与多个函数的补丁函数的对应关系;根据第一函数的补丁函数的地址,从第一函数跳转到第一函数的补丁函数,执行第一函数的补丁函数以响应对第一函数的调用本申请通过一个结构体存储多个旧函数的地址,缩短了热补丁机制中函数跳转阶段所消耗的时间。
  • 实现函数跳转方法装置计算机存储介质
  • [发明专利]SQL函数生成方法及装置-CN202010585018.8有效
  • 马金秀;陈玮;罗丹;谢朝杰 - 中国银行股份有限公司
  • 2020-06-24 - 2023-07-21 - G06F8/30
  • 本发明公开了一种SQL函数生成方法及装置,该方法包括:根据目标数据库表的表名生成SQL函数名称;根据目标数据库表的字段的结构体确定SQL函数输入参数;根据目标数据库表的数据结构及对目标数据库表的操作类型确定SQL函数语句;根据预先配置的函数返回规则确定SQL函数返回方法;在满足生成SQL函数的触发条件时,根据SQL函数名称、SQL函数输入参数、SQL函数语句及SQL函数返回方法生成SQL函数。本发明能够基于目标数据库表的表名、字段的结构体以及数据结构分别确定SQL函数名称、函数输入参数及函数语句等,基于SQL函数名称、SQL函数语句等自动生成SQL函数,能够提高生成SQL函数的效率。
  • sql函数生成方法装置
  • [发明专利]一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统-CN202111014636.8有效
  • 杨连乔;张驰;简毛亮;张建华 - 上海大学
  • 2021-08-31 - 2022-06-10 - G06F17/13
  • 本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括:对待分析半导体器件进行寿命循环试验;对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试,得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线;根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数;待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数;积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数,微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数;根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析,得到待分析半导体器件的寿命分析结果本发明可以实现半导体内部结构的分析,从而指导半导体性能的优化。
  • 一种基于结构函数半导体器件寿命分析方法系统
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011009963.X在审
  • 黄竞加;廖伟明 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-09-23 - 2021-08-17 - H01L27/108
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包含基板、第一字线结构、第二字线结构、第三字线结构、以及第四字线结构。基板具有被隔离结构围绕的主动区。第一字线结构及第二字线结构设置在主动区中并彼此分离。第三字线结构及第四字线结构设置在隔离结构中,其中第三字线结构及第四字线结构分别包含底部功函数层、位于底部功函数层上的中间功函数层、以及位于中间功函数层上的顶部功函数层。中间功函数层具有功函数大于顶部功函数层的功函数及底部功函数层的功函数。本发明的半导体结构可实现较高的驱动电流与较低的阈值电压敏感度,且可以避免短通道效应。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]获得结构探测显微成像系统的最优结构探测函数的装置及方法-CN201910162043.2有效
  • 倪赫;邹丽敏;李博;尹哲;谭久彬 - 哈尔滨工业大学
  • 2019-03-04 - 2021-10-08 - G01N21/17
  • 获得结构探测显微成像系统的最优结构探测函数的装置及方法,涉及显微成像领域,为了解决现有结构探测显微成像系统中结构探测函数不是最优结构探测函数,从而成像分辨率低的问题。本发明的方法包括:步骤一、在空间光调制器的调制面上随机生成一个调制图像作为初始的结构探测函数;步骤二、获得重构的图像信息和各采样点光斑的光强分布信息;步骤三、根据重构的图像与标准样品逐点比较获得的总误差、各采样点光斑的光强分布信息调整结构探测函数,得到调整后的结构探测函数,然后更新空间光调制器的结构探测函数并返回步骤二,直至得到的结构探测函数为最优结构探测函数。适用于获得结构探测显微成像系统的最优结构探测函数
  • 获得结构探测显微成像系统最优函数装置方法
  • [发明专利]函数调用方法、装置、设备及计算机可读存储介质-CN202211442313.3在审
  • 范进前 - 深圳市汇川技术股份有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-03-21 - G06F9/448
  • 本申请公开了一种函数调用方法、装置、设备及计算机可读存储介质,属于PLC编程技术领域。所述函数调用方法包括以下步骤:将以C语言编写的目标函数封装为C语言结构体,所述C语言结构体中包含所述目标函数中的参数;将所述目标函数转换为外部函数;根据所述C语言结构体和IEC语言生成IEC结构体,所述IEC结构体中参数的数据类型与所述目标函数中参数的数据类型一致;根据所述IEC结构体配置预设的IEC库函数;通过所述IEC库函数调用所述外部函数,以使PLC控制器执行所述目标函数。本申请通过将C语言目标函数封装为结构体,实现了内存对齐、参数自动匹配和快速访问,避免了繁琐的人工匹配参数和接口管理流程。
  • 函数调用方法装置设备计算机可读存储介质
  • [发明专利]校正装置、校正系统、校正方法以及记录介质-CN202310263106.X在审
  • 吉元政嗣 - 株式会社理学
  • 2023-03-17 - 2023-09-19 - G01N23/20
  • 提供一种能够校正根据总散射数据算出的结构因子的校正装置、校正系统、校正方法以及记录介质。校正结构因子的校正装置具备:结构因子取得部,其取得结构因子;对分布函数算出部,其根据取得的结构因子算出对分布函数;校正函数创建部,其创建包含对分布函数的数据和将对分布函数的长距离侧的数据截断的截断函数并在规定范围内进行了傅立叶变换的第1校正函数和包含截断函数并在规定范围内进行了傅立叶变换的第2校正函数;校正量算出部,其算出包含第1校正函数、第2校正函数以及比例因子的校正量;结构因子校正部,其使用校正量来校正结构因子;以及R值算出部,其算出包含第1校正函数和第2校正函数并表示校正的精度的R值。
  • 校正装置系统方法以及记录介质
  • [发明专利]基于近似函数的构建曲面负泊松比设计方法及装置-CN202210087053.6在审
  • 李方义;张强;陈远文 - 广州大学
  • 2022-01-25 - 2022-04-29 - G06F30/27
  • 本说明书实施例提供了一种基于近似函数的构建曲面负泊松比设计方法及装置,所述方法包括:获取近似函数函数曲线结构,基于函数曲线结构构建负泊松比结构,基于近似函数构建优化目标和设计变量,基于优化目标和设计变量构建优化函数;通过遗传算法对优化函数进行计算,获取最优的优化目标和输入变量,基于最优的优化目标和输入变量对负泊松比结构进行优化。本发明通过近似函数曲面构建比传统负泊松比更加光滑的曲面,并通过遗传算法进行智能优化设计出负泊松比近似函数曲面在不同场合所需的最优结构
  • 基于近似函数构建曲面泊松比设计方法装置

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