专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种圆柱面FP谐振腔天线-CN202210389537.6在审
  • 谢鹏;赵搏欣;赵晓林;冯国强 - 中国人民解放军空军工程大学
  • 2022-04-13 - 2022-08-23 - H01Q1/38
  • 一种圆柱面FP谐振腔天线,包括:表面,表面包括上层介质板、第一支撑层、中层介质板、第二支撑层及下层介质板;上层介质板上设置辐射贴片,下层介质板上设置接收贴片,中层介质板上设置具有耦合缝隙的金属地板,一个辐射贴片、一个接收贴片和两者间的耦合缝隙构成一个表面单元,沿第一方向排列的表面单元的透射相位相同,沿第二方向排列的表面单元的透射相位不同;设置于表面下方的馈源,馈源包括上层馈源介质板本发明实现了设计,并通过透射相位调整改善了设计对天线辐射特性的影响。
  • 一种圆柱面fp谐振腔天线
  • [发明专利]一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板-CN202010254643.4有效
  • 卢增祥 - 亿信科技发展有限公司
  • 2020-04-02 - 2023-05-26 - H01L27/15
  • 本发明实施例提供一种微米发光二极管器件及其制作方法、显示面板,微米发光二极管器件包括:多个发光单元,发光单元包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层;电极层,呈网格状,电极层的网格围绕形成多个第一开口,第一开口暴露出发光单元;多个驱动电极,驱动电极位于第二半导体层远离多量子阱层一侧;至少一个层,位于发光单元的发光显示侧;每一层包括多个单元,第一开口暴露出超单元,单元与发光单元一一对应,单元设置有多个凹陷结构或者多个凸起结构,用于改变出光光线的光强分布特性,本发明以实现超高的发光亮度和出射光线的小角度出射,提升了光利用率。
  • 一种微米发光二极管器件及其制作方法显示面板
  • [发明专利]一种疏水分微织激光制备方法-CN202310661954.6在审
  • 丁丛;乔支照;朴钟宇;侯文涛;周振宇;冯诗晴 - 浙江工业大学
  • 2023-06-06 - 2023-10-03 - B23K26/352
  • 本发明属于分微织制备技术领域,具体公开了一种疏水分微织激光制备方法。首先,通过matlab编程生成具有一定长度一定间距的peano分微织,经过数次迭代,获得peano分微织构图案;其次,对金属或合金表面进行预处理;而后,采用激光加工技术在表面制备peano分微织;最后,采用全氟癸基三乙氧基硅烷对peano分微织表面进行低表面能修饰,最终获得疏水金属或合金表面。本发明提供的peano分微织构图案具有等长等间距、分布均匀、可控性高的特点,该分微织表面接触角达到150°以上,具有良好的疏水性能,可用于太阳能与建筑工程、生物医疗等领域。
  • 一种疏水分形微织构激光制备方法
  • [发明专利]基于计算成像技术的分辨率窗口成像系统及方法-CN202310841270.4有效
  • 王超;王博识;鲁宏;付强 - 长春理工大学
  • 2023-07-11 - 2023-09-15 - G06T3/40
  • 基于计算成像技术的分辨率窗口成像系统及方法。属于计算成像技术领域,具体涉及像差校正及图像重建技术领域。其解决了现有的窗口像差校正手段在硬件方面不够简洁,轻量化程度不高且基于窗口的光学成像系统成像分辨率低的问题。分辨率窗口成像系统包括窗口像差校正和分辨率图像重建两部分,窗口像差校正部分包括窗口、像差校正板、成像透镜和探测器,分辨率图像重建部分使用分辨率图像重建设备,分辨率图像重建设备中存储有分辨率图像重建方法分辨率图像重建方法可以应用于图像重建技术领域、图像像差消除技术领域;分辨率窗口成像系统可以应用在窗口像差校正技术领域。
  • 基于计算成像技术分辨率窗口系统方法
  • [发明专利]一种太赫兹广角宽带透镜及制备方法-CN202211489741.1在审
  • 俞叶峰;唐星;肖亦可;丁继根 - 南京理工大学
  • 2022-11-25 - 2023-03-28 - G02B3/00
  • 本发明公开了一种太赫兹广角宽带透镜及制备方法,所述透镜包括基底以及基底上的单元,其中基底上均匀设置多个单元;单元包括圆柱形结构、圆环形结构、方柱形结构、十字结构、方环形结构五种;通过改变五种单元的占比,获得单元在中心频率处的相位、色散相位和透过率。设计方法为:首先构建“相位‑色散”单元库;然后基于修正后的二次非球面相位剖面公式、群时延公式和单元仿真透射率,选取合适的单元进行透镜的布阵。本发明制备的透镜具有平面化、偏振不敏感、能够实现在大视场范围和宽带内实现汇聚、焦距稳定的优点。
  • 一种赫兹广角宽带透镜制备方法
  • [发明专利]P-S频段的超宽带吸波表面及低散射系统-CN202011366776.7在审
  • 李思佳;曹祥玉;杨欢欢;李桐;丛丽丽;韩博文 - 中国人民解放军空军工程大学
  • 2020-11-27 - 2021-03-05 - H01Q17/00
  • 提出一种P‑S频段的超宽带吸波表面单元,其由顶层、中间层、底层三层介质板,两个空气层,顶层介质板上表面的“回”字形开口金属环及集总电阻,中间介质层上表面的“口”字型开口金属环及集总电阻,底层介质板上表面的再由上述超宽带吸波表面单元构成P‑S频段的超宽带吸波表面及低散射系统。表面通过介质损耗、介质损耗和结构谐振损耗能够实现0.5GHz‑2.5GHz范围的90%吸波率效果,在P‑S波段的相对带宽达到133.3%;以超宽带表面为基础,建立的低散射系统,与相同状态的金属系统相比较所提出的P‑S频段的超宽带吸波表面及低散射系统,在实际工程中具有重要的价值。
  • 频段宽带吸波超构表面散射系统

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