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[发明专利]光电计算单元、光电计算阵列及光电计算方法-CN201811398206.9有效
发明人：闫锋;潘红兵;马浩文;石东海;李张南;王宇宣;王晨曦;陈轩;岳涛;朱棣;罗元勇;王子豪;娄胜 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：一种光电计算单元、光电计算阵列及光电计算方法，所述光电计算单元包括一个半导体多功能区结构，所述半导体多功能区结构，包括至少一个载流子控制区，至少一个耦合区，以及至少一个光生载流子收集区和读出区。
光电计算单元阵列计算方法

[发明专利]一种PIN光电器件及其制造方法-CN202010804416.4有效
发明人：孙德瑞 -专利权人：今上半导体（信阳）有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明将叉指状的P型区和N型区的支部部分设置为没有拐角的圆滑结构，防止载流子的聚集，保证载流子在结处的分离效率，提高光生电流；并且，本发明还将汇流电极对应的设置于P型区和N型区之下，以此来减少P型区和N型区的上表面载流子的聚集，保证载流子的传输速率。
一种 pin 光电器件及其制造方法

[实用新型]一种基于前面场结构的空间电池外延片-CN202020535360.2有效
发明人：万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：常规晶格匹配的三结电池缺点是光生载流子的收集效率较低，光电转化效率只能达到30％左右。本实用新型优点在于：通过在前面场层和发射区层之间形成的导带阶和浓度梯度，形成内建电场，从而增加对光生载流子少子的反射，以及对光生载流子多子的吸引，从而提高电池发射区层对光生载流子的收集效率，提升电池的整体光电转化效率
一种基于前面结构空间电池外延

[发明专利]光放大和电放大组合控制的高功率重频固态开关及方法-CN202210754299.4有效
发明人：王凌云;袁建强;刘宏伟;谢卫平;栾崇彪;姜苹;李洪涛 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种光放大和电放大组合控制的高功率重频固态开关及方法，开关包括光脉冲单元、光放大器件、光耦合器件和光电半导体结构；光电半导体结构为以光电效应材料为基底，在光电效应材料上制作多层掺杂结构；光脉冲单元用于向光放大器件输出光脉冲信号；光放大器件用于将光脉冲信号放大；光耦合器件用于将放大后的光脉冲信号整形扩散成阵列光脉冲信号输出至光电半导体结构；光电效应材料在光脉冲信号照射下产生光生载流子，光生载流子在多层掺杂结构中进行光致线性模式放大和
放大组合控制功率固态开关方法

[发明专利]碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法-CN200910198964.0无效
发明人：陆卫;马法君;李志锋;陈效双;李宁;陈路;何力;陈平平;李天信 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带，导致探测光子被大量吸收，使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度，造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形，其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化，体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。
碲镉汞材料光学激活能级载流子弛豫时间检测方法

[发明专利]一种超长TiO₂纳米线阵列薄膜光阳极的制备方法-CN201510010665.5在审
发明人：于清江;李海亮;于翠玲;黄跃武;王金忠;国凤云;高世勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种超长TiO₂纳米线阵列薄膜光阳极的制备方法，属于染料敏化太阳能电池领域。为了解决现有的染料敏化太阳能电池TiO₂纳米晶光阳极光生载流子复合损失高的问题，本发明通过一次溶剂热合成反应，以乙醇、盐酸和TiCl₄的混合溶液为前驱体，在FTO将TiO₂纳米线阵列薄膜光阳极直接应用在染料敏化太阳能电池上，在其一维结构中，电子传输速率快，光生载流子复合损失小，有利于染料敏化太阳能电池性能的提高。
一种超长 tio sub 纳米阵列薄膜阳极制备方法

[发明专利]一种复合薄膜光阳极及其制备方法-CN201710081473.2有效
发明人：胡耀荣;黄建宁;胡冠华;江学祥;谢致薇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合薄膜光阳极及其制备方法，包括将WO₃溶胶旋涂在基底上制备WO₃凝胶薄膜；在WO₃凝胶薄膜上滴上Ni(NO_{3上述光阳极具有呈阶梯状分布的能带位置，有利于光生载流子的分离和迁移，能增大复合薄膜与反应液的接触面积，缩短光生载流子的传输距离，且相对于单一的WO₃薄膜、NiWO₄}
一种复合薄膜阳极及其制备方法

[发明专利]一种正偏压辅助光Fenton方法-CN202111373587.7有效
发明人：安永磊;董喆;刘璐;杜兴源;朱雪岩 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明属于水处理技术领域，具体为一种新型正偏压辅助光Fenton技术，包括步骤1：材料的制备，CC/TiO2/CuFe‑LDH材料的制备；步骤2：进行偏压辅助光Fenton反应降解硝基苯，其设计合理，半导体材料在正偏压的作用下，能带向上弯曲，带隙变窄，促进光生电子空穴分离，能延长载流子寿命；在正偏压的作用下，TiO2光照激发出的光生电子向CuFe‑LDH移动，光生电子促进Cu3+/Cu2+和Fe3+/Fe2+的循环；空穴产生的·OH用于降解污染物，能有效分离光生电子空穴同时提高对光生电子空穴的利用率。
一种偏压辅助 fenton 方法

[发明专利]一种MoS2-CN202011514881.0在审
发明人：曾惠源 -专利权人：广州市人则众汽车用品有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：/base:Sub>由于特殊的形貌有大的比表面积，在一定程度上突破了单层状的量子限域效应，其能带结构与BiVO4相匹配，将两者复合，形成异质结结构，通过异质结载流子传输机制，可加速光生电子‑空穴对的分离，避免了光生载流子的复合和重组，从而提高光催化降解有机污染物和还原重金属离子的能力，具有更高的光生载流子分离效率，具有更优异的吸附还原率和吸附降解率。
一种 mos base sub

[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板-CN202011243889.8在审
发明人：张锋 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本揭示实施例提供了一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板包括衬底基板、驱动电路层、以及指纹识别模组，指纹识别模组通过电极层与驱动电路层电连接，指纹识别模组被配置成用以接收光迅号并产生光生载流子，驱动电路层内的电容结构被配置成用以存储光生载流子
显示面板制备方法

[发明专利]图像传感器及相关手持装置-CN201880002300.X有效
发明人：赵维民 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及相关手持装置，所述图像传感器包括：衬底，被掺杂为具有第一导电类型，所述衬底具有正面和背面，所述背面为相对于所述正面的另一面；光收集区域，被配置在所述衬底中并邻接所述衬底的正面，并用于收集光生电荷载流子，其中，所述光收集区域被掺杂为具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及掩盖物，被配置在所述衬底的上方，所述掩盖物具有开口，光波可通过所述开口到达所述光收集区域并转化为所述光生电荷载流子。
图像传感器相关手持装置

[发明专利]一种黑磷烯修饰的氧化铁复合光电极的制备方法-CN202011484398.2有效
发明人：邓久军;邵珊;许晖 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明采用表面修饰的方法，将少量的黑磷烯负载于钛处理的氧化铁光电极上，一方面黑磷烯与氧化铁相匹配的能级结构十分有利于光生载流子的分离与传输；另一方面，黑磷烯表面所生成的磷氧基团可以有效地桥接黑磷烯与氧化铁纳米颗粒，并使两者的结合更加紧密，从而进一步促进光生载流子的分离与传输。
一种黑磷修饰氧化铁复合电极制备方法

[实用新型]紫外单光子探测器-CN202220053816.0有效
发明人：苏琳琳;郁智豪;杨成东 -专利权人：无锡学院
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：根据上述技术方案的紫外单光子探测器，通过增加i雪崩倍增层的厚度到1.5μm以上，增加光生载流子的加速和碰撞离化距离，改善光生载流子的雪崩倍增几率，提高器件的单光子探测性能。
紫外光子探测器

[实用新型]一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构-CN201920301296.9有效
发明人：方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构，该结构可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力。
载流子半导体材料辐射复合效率本实用新型超薄层结构光生载流子载流子隧穿太阳能电池分离能力空穴空间密度分布应力释放半极性黄绿光相分离铟镓氮探测器二维交叠穿透团聚

[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法-CN201510405716.4在审
发明人：何昭文;李曼曼;王奇峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的具有第二导电类型的光电二极管区，所述光电二极管区在光照下产生光生载流子；用于处理所述光生载流子的外围电路；位于所述光电二极管区内的端口，所述端口连接光电二极管区与所述外围电路；位于所述光电二极管区内的具有第二导电类型的载流子传输沟道，所述载流子传输沟道的掺杂浓度高于所述光电二极管区的掺杂浓度，所述载流子传输沟道与所述端口相连
一种 cmos 图像传感器及其制作方法