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[发明专利]使用光栅耦合器的单侧图案化的光学目镜-CN202080043479.0有效
发明人： K·罗;V·辛格;N-W·皮;杨书强;F·Y·徐 -专利权人：奇跃公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：目镜包括基板和在基板的单侧上图案化的耦入光栅。第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上并且具有第一光栅图案。第一光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。第二光栅耦合器邻近第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上。第二光栅耦合器具有不同于第一光栅图案的第二光栅图案。第二光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。
使用光栅耦合器图案光学目镜

[发明专利]使用光栅耦合器的单侧图案化的光学目镜-CN202310086465.2在审
发明人： K·罗;V·辛格;N-W·皮;杨书强;F·Y·徐 -专利权人：奇跃公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用光栅耦合器的单侧图案化的光学目镜。目镜包括基板和在基板的单侧上图案化的耦入光栅。第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上并且具有第一光栅图案。第一光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。第二光栅耦合器邻近第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上。第二光栅耦合器具有不同于第一光栅图案的第二光栅图案。第二光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。
使用光栅耦合器图案光学目镜

[发明专利]一种偏振复用高衍射效率波导显示器件-CN202110814156.3有效
发明人：张宇宁;张李萱;翁一士;顾雨晨 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏振复用高衍射效率波导显示器件，包括入耦合装置、出耦合装置以及双层波导。入耦合装置和出耦合装置位于双层波导的内侧；入耦合装置由层叠设置的左旋圆偏光入耦合光栅和右旋圆偏光入耦合光栅构成，出耦合装置为左旋圆偏光出耦合光栅或者由层叠设置的左旋圆偏光出耦合光栅与右旋圆偏光出耦合光栅构成其中，左旋偏光入耦合光栅与右旋圆偏光入耦合光栅的形状大小相同，且光栅周期相同；左旋圆偏光出耦合光栅与右旋圆偏光出耦合光栅的形状大小相同，且光栅周期相同。本发明运用偏振复用双层光栅波导结构，相较于传统的结构具有空间利用率高、衍射效率高的特点，应用于近眼显示时可实现高衍射效率的图像传输。
一种偏振复用高衍射效率波导显示器件

[发明专利]光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法-CN201210261727.6在审
发明人：仇超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法。根据本发明的光栅耦合器制造方法包括：有源区及光波导层制作过程，用于在制作光栅耦合器光波导层的同时形成MOS晶体管的有源区；多晶硅处理过程，用于在形成光栅耦合器的多晶硅覆盖层同时制造MOS晶体管的多晶硅栅极；以及光栅制造过程，用于制造光栅耦合器的光栅。根据本发明的光栅耦合器制造方法可有效地同时制造光栅耦合器以及CMOS电路，或者同时制造光栅耦合器以及MOS电路；并且，由于形成了具有多晶硅覆盖的光栅耦合器，提高了光栅耦合器的耦合效率。
光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置

[发明专利]光栅耦合器及其制作方法、光学相控阵装置-CN201910091962.5在审
发明人：侯昌韬;马丁昽 -专利权人：深圳市速腾聚创科技有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光栅耦合器及其制作方法、光学相控阵装置。该光栅耦合器包括硅基底；硅氧化物层，形成于所述硅基底上；及光栅层，形成于所述硅氧化物层上；其中，所述光栅层包括同层设置的光波导、耦合光栅及反射光栅，所述光波导、反射光栅分别设置于所述光栅层的两端，所述耦合光栅设置于所述光波导和所述反射光栅之间；所述耦合光栅区用于接收所述激光并将所述激光引导至所述光波导，所述反射光栅用于将未被所述耦合光栅引导至所述光波导的激光反射回所述耦合光栅。本申请的光栅耦合器可与CMOS工艺兼容，同时还拥有相对较高的稳定性和相对较小的体积。
光栅耦合器及其制作方法光学相控阵装置

[实用新型]光栅耦合器及光学相控阵装置-CN201920173813.9有效
发明人：侯昌韬;马丁昽 -专利权人：深圳市速腾聚创科技有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光栅耦合器及光学相控阵装置。该光栅耦合器包括硅基底；硅氧化物层，形成于所述硅基底上；及光栅层，形成于所述硅氧化物层上；其中，所述光栅层包括同层设置的光波导、耦合光栅及反射光栅，所述光波导、反射光栅分别设置于所述光栅层的两端，所述耦合光栅设置于所述光波导和所述反射光栅之间；所述耦合光栅区用于接收所述激光并将所述激光引导至所述光波导，所述反射光栅用于将未被所述耦合光栅引导至所述光波导的激光反射回所述耦合光栅。本申请的光栅耦合器可与CMOS工艺兼容，同时还拥有相对较高的稳定性和相对较小的体积。
耦合光栅光波导光栅耦合器反射光栅光栅层光学相控阵硅氧化物层硅基本实用新型激光反射激光引导同层设置兼容激光申请

[发明专利]全息波导、增强现实显示系统及显示方法-CN201610564655.0在审
发明人：张梦华;郑昱;韩昕彦 -专利权人：北京灵犀微光科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G02B27/44 文献下载
摘要：本发明提供一种全息波导、增强现实显示系统及显示方法，全息波导包括至少一第一波导传输模块，内部设有n层第一耦合输入光栅和n层第一耦合输出光栅；至少一第二波导传输模块，内部设有m层第二耦合输入光栅和m层第二耦合输出光栅；不同方向入射光入射到不同层的第一耦合输入光栅后发生衍射，每层第一耦合输入光栅的衍射光入射到同层第一耦合输出光栅发生衍射后入射到第二耦合输入光栅上，第二耦合输入光栅的衍射光入射到同层的第二耦合输出光栅发生衍射输出扩展光束；不同导传输模块沿不同方向扩展入射光束，同层输入、输出光栅具有相同的光栅常数，不同层的耦合输入、输出光栅具有不同的光栅常数。
全息波导增强现实显示系统方法

[发明专利]光栅耦合器及其制备方法-CN202011143700.8在审
发明人：肖志雄;冯俊波;胡志朋;邵斯竹;吴月;朱兴国;郭进 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅耦合器及其制备方法，本发明的光栅耦合器的制备方法包括如下步骤：提供SOI衬底，所述SOI衬底自下而上包括硅衬底层、二氧化硅中间层以及硅顶层；刻蚀所述硅顶层形成第一耦合光栅；在所述硅顶层上形成Poly‑Si层；刻蚀所述Poly‑Si层形成第二耦合光栅；所述第二耦合光栅与所述第一耦合光栅错位堆叠。本发明的光栅耦合器通过在硅顶层上形成Poly‑Si层减小光栅耦合器的插入损耗，再通过第二耦合光栅与所述第一耦合光栅偏移设计，进一步减小插入损耗，并且偏移设计可以提高光栅制备工艺的容差。
光栅耦合器及其制备方法

[发明专利]一种硅光芯片探测器响应度测试装置和方法-CN201910905072.3有效
发明人：周扬;华士跃 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光芯片探测器响应度测试装置和方法，所述装置包括：光栅校准结构、耦合器校准结构以及响应度测试结构；所述光栅校准结构包括直波导、以及连接在所述直波导两端的2个光栅耦合端口，其中一个光栅耦合端口作为光栅输入端，另一个光栅耦合端口作为光栅输出端；所述耦合器校准结构包括校准耦合器、以及与所述校准耦合器通过波导相连的4个光栅耦合端口；所述响应度测试结构包括测试耦合器、与所述测试耦合器通过波导相连的两个光栅耦合端口，以及与所述测试耦合器通过波导相连的待测硅光探测器PD。采用对称结构，使得探测器测试的光栅输入端口与光栅输出端口在不移动探针、芯片、耦合光纤的情况下就可以互换。
一种芯片探测器响应测试装置方法

[发明专利]一种闪耀亚波长光栅耦合器-CN202211225703.5在审
发明人：程振洲;郭荣翔;刘铁根 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开一种闪耀亚波长光栅耦合器，设置在光波导层上，所述光栅耦合器包括若干个光栅周期，每个光栅周期由亚波长光栅结构区域、平面波导区域组成；亚波长光栅结构区域内等间距的排列设置有若干个闪耀光栅孔，所述闪耀光栅孔均为连通光波导层顶部与底部的通孔，每个闪耀光栅孔内从顶部到底部设置有阶梯状结构；光波导层上设有耦合波导区域。本发明可以提升光栅耦合器的方向性。该光栅耦合器可以与切趾和聚焦等光栅结构耦合，进一步提升光栅耦合器的光场耦合效率，降低反射，减小器件尺寸，为实现高性能、低成本的波导光场耦合封装技术开辟了一条新的途径。
一种闪耀波长光栅耦合器

[发明专利]光子部件-CN202110704836.X在审
发明人：马可·维塔利;丹尼洛·布龙齐 -专利权人：斯科雅有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：该部件包括：第一光栅耦合器，其具有第一和第二光栅耦合器输出，并通过光栅耦合器输入连接到干涉器件的第一输出，第二光栅耦合器，其具有第一和第二光栅耦合器输出，并通过光栅耦合器输入连接到干涉器件的第二输出，第一光电探测器，其连接到第一光栅耦合器的第一光栅耦合器输出，第二光电探测器，其连接到第二光栅耦合器的第一光栅耦合器输出，和控制器件，其连接到第一和第二光电探测器，并且基于两个光电探测器的光信号形成用于控制干涉器件的控制信号，其中第一和第二光栅耦合器布置在相同芯片级中，并且第二光栅耦合器输出形成超出芯片级的耦合路径。
光子部件

[实用新型]一种单眼大视场近眼显示光学系统及头戴式显示设备-CN201820261197.8有效
发明人：周旭东 -专利权人：成都理想境界科技有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单眼大视场近眼显示光学系统及头戴式显示设备，所述光学系统包括沿光路依次堆叠设置的第一单色平板光学波导、第二单色平板光学波导和第三单色平板光学波导，第一单色输入耦合光栅、第二单色输入耦合光栅和第三单色输入耦合光栅，第一单色输出耦合光栅、第二单色输出耦合光栅和第三单色输出耦合光栅，以及第一中继光栅、第二中继光栅和第三中继光栅；输入耦合光栅用于将与入射平板光学波导的图像单色光耦合到单色平板光学波导中，中继光栅将单色光传输至输出耦合光栅；输出耦合光栅将单色光耦出。
输出耦合光栅平板光学波导输入耦合光栅光栅中继大视场单色光头戴式显示设备显示光学系统单眼近眼本实用新型光能量损失传输通道堆叠设置光学系统光颜色耦合到光路拼接入射成像图像传输

[发明专利]一种波导光栅耦合器阵列-CN202011105074.3有效
发明人：关宝璐;张炜阳;黎豪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种波导光栅耦合器阵列，包括光栅层、波导层和氧化层；其中，波导层位于氧化层的上方，光栅层在波导层上刻蚀而成；光栅层的刻蚀深度相同，结构对称；光栅层通过将TE模式光栅耦合器中的TE光栅和TM模式单周期光栅耦合器中的TM光栅之间的差集部分刻蚀掉，交集部分刻蚀出一个刻蚀孔形成。本发明实施例通过刻蚀更小的光栅结构将针对TE模设计的光栅耦合器和TM模设计的光栅耦合器结合起来，满足在两个不同的周期内填充系数相同，进而满足波导层对TE、TM有效折射率相同，使用同一光栅结构实现垂直耦合到波导和从波导通过光栅耦合到外部的偏振无关，进而实现双向传输耦合的偏振无关，结构简单，制作方便。
一种波导光栅耦合器阵列

[发明专利]一种光栅入射参数反演模型结构和建立方法-CN202010486478.5有效
发明人：廖家莉;孙艳玲;马琳;鲁振中 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种光栅入射参数反演模型结构，包括：依次连接的输入层、隐含层和输出层，其中，所述光栅入射参数反演模型结构的输入参数为光栅耦合器参数，输出参数为光栅耦合效率；所述输入层的输入参数包括光栅耦合器的结构参数、光栅耦合器的光信号入射角度、入射波长和入射偏振态；所述输出层的输出参数包括Z正向光栅耦合效率、Z反向光栅耦合效率和光栅总耦合效率。本发明的光栅入射参数反演模型结构，可以获得光栅入射参数与光耦合效率之间较为精确的定量关系，能够为光信号和光学天线接收器的对准提供较为准确的入射角度信息。
一种光栅入射参数反演模型结构建立方法

[发明专利]一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件-CN202210089673.3在审
发明人：李彬;李志华;谢玲;杨妍;李东浩;唐波;张鹏;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
一种氮化光栅耦合器及其制备方法器件

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