专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种monoblock介质滤波器-CN202222753461.9有效
  • 周陈欢;李崇胜;谢振雄 - 南京以太通信技术有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-03-28 - H01P1/20
  • 本实用新型涉及电子器件技术领域,具体公开了一种monoblock介质滤波器,包括介质基体、信号输入端口、信号输出端口、介质谐振器和金属薄膜,信号输入端口设置于介质基体的一侧,七个介质谐振器分别设置于介质基体的内部,每片金属薄膜分别设置于介质基体的一侧,且每片金属薄膜分别与对应的介质谐振器接触,七个介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器、第二介质谐振器、第三介质谐振器、第四介质谐振器、第五介质谐振器、第六介质谐振器和第七介质谐振器以上结构的设置,在介质基体上开设不同形状与位置的干扰孔位,可以将介质基体的不同谐振模式错开,并将其谐振推远,从而达到解决谐波近、远端抑制差的问题。
  • 一种monoblock介质滤波器
  • [实用新型]一种流体用泵集成端盖-CN201320365713.9有效
  • 熊旭 - 熊旭
  • 2013-06-25 - 2013-12-04 - F04B53/00
  • 一种流体用泵集成端盖,包括泵罩导流盖、密封圈、端盖基体、滑锁、集成驱动泵、泵出流道、上罩盖、滑锁销及滑锁轨道;其中,端盖基体上部安装有上罩盖,端盖基体上部两侧分别设置有待滤介质入口和滤后介质出口,滤后介质出口通过连接螺母与外部设备紧固,端盖基体前端设置有滑锁轨道,滑锁轨道上安装有滑锁和滑锁销,端盖基体内部设置有滤后介质入口和滤前介质入口,滤后介质入口与泵出流道连接,泵出流道与滤后介质出口连接,集成驱动泵设置在滤后介质入口处,泵罩导流盖嵌套在滤后介质入口上,并与泵出流道连接;密封圈安装在端盖基体上,滤前介质入口与待滤介质入口连接。本实用新型中端盖基体与过滤装置通过滑锁固定,拆卸便捷,安装简单。
  • 一种流体集成
  • [实用新型]一种片式电容器-CN202120901919.3有效
  • 张继华 - 张继华
  • 2021-04-28 - 2021-10-22 - H01G4/005
  • 本实用新型涉及一种片式电容器,包括介质基体层,所述介质基体层的上表面覆盖有第一电极层,下表面覆盖有第二电极层,所述第一电极层与介质基体层之间设置有第一增粘层,第二电极层与介质基体层之间设置有第二增粘层。通过设置第一增粘层和第二增粘层,可增强第一电极层和第二电极层与介质基体层之间的膜基结合力,防止电容器在使用的过程中第一电极层和第二电极层逐渐脱离介质基体层,保证电容器的稳定性和可靠性。
  • 一种电容器
  • [实用新型]熔渣粒化装置-CN202223230458.5有效
  • 张玉栋;蔡端星;葛书成;董会国;胡元祥;肖宇 - 中冶赛迪上海工程技术有限公司
  • 2022-12-01 - 2023-04-07 - C21B3/06
  • 本实用新型属于冶金技术领域,提供一种熔渣粒化装置,包括:固定基体和用于承接熔渣的转动基体,所述转动基体可沿自身轴线转动地设置于所述固定基体上,所述转动基体上设置有用于接收压力冷却介质的驱动部,且所述固定基体与转动基体之间设有容纳压力冷却介质的容纳腔,所述驱动部设置在转动基体朝向容纳腔的一侧。本实用新型利用压力冷却介质驱动转动基体旋转,同时冷却转动基体,使设备在合理温度下稳定可靠地工作,提高设备效率,降低运维成本。
  • 熔渣粒化装
  • [发明专利]微波介质陶瓷及其表面金属化工艺-CN202211425206.X在审
  • 李月;陆正武 - 大富科技(安徽)股份有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-03-07 - C04B41/90
  • 本申请属于陶瓷技术领域,尤其涉及一种微波介质陶瓷及其表面金属化工艺。微波介质陶瓷的表面金属化工艺包括步骤:获取洁净的微波介质陶瓷基体,对微波介质陶瓷基体的表面进行热腐蚀处理,得到热腐蚀的陶瓷基体;采用磁控溅射技术在热腐蚀的陶瓷基体的表面制备贱金属镀层;在贱金属镀层背离陶瓷基体的表面制备铜层;在铜层背离贱金属层的表面制备银层;对银层进行钝化处理,得到表面金属化的微波介质陶瓷。本申请微波介质陶瓷的表面金属化工艺,通过不同工艺设置不同的膜层,在微波介质陶瓷基体表面形成附着力及导电性良好的多膜层结构的复合金属层,可有效发挥各金属的性能优势,使表面金属化的微波介质陶瓷具有优异的介质电性能
  • 微波介质陶瓷及其表面金属化工艺
  • [实用新型]全息成像音箱-CN202023230744.2有效
  • 罗柏林;张晔;梁德敏 - 北京元隆雅图文化传播股份有限公司
  • 2020-12-28 - 2021-07-09 - H04R1/02
  • 全息成像音箱,包括:基体模块、基架单元和成像介质单元;基体模块设置于基架单元,基体模块包括外壳、全息成像单元、音响单元和透光面板,全息成像单元和音响单元设置在外壳内,透光面板安装于外壳的上端面,成像介质单元位于基体模块的上方且与基体模块连接,透光面板位于全息成像单元和成像介质单元之间,成像介质单元用于接收全息成像单元投影的图像。全息成像音箱能够通过基架单元给予基体模块稳定的支撑,还能够使得基体模块在更多的使用环境被稳定放置,配合全息成像单元与成像介质单元,能够给使用者带来更好的使用体验,满足使用者的需求。
  • 全息成像音箱
  • [实用新型]一种圆形隧道式LED固化光源-CN202120042715.9有效
  • 王万宇;朱耀祥;朱志斌 - 深圳市永成光电子股份有限公司
  • 2021-01-08 - 2021-11-19 - B05D3/06
  • 本实用新型涉及LED技术领域,公开了一种圆形隧道式LED固化光源,包括散热基体,所述散热基体内侧设有半圆柱透镜,所述半圆柱透镜内侧设有圆弧玻璃,所述散热基体的两端设有端盖,所述散热基体包括圆弧状的外壳与圆弧状的基体,所述外壳与基体形成封闭的散热介质层,所述散热介质层内间隔设有多个散热介质通槽,所述散热介质通槽内灌充有散热介质。所述基体的内侧间隔均匀设有若干隔离板,所述隔离板之间形成“U”形槽,所述“U”形槽的径向朝向圆弧状的基体的圆心方向,所述“U”形槽的内底面设有基板,所述基板上设有LED灯珠。
  • 一种圆形隧道led固化光源
  • [实用新型]用于轴向刀塔的带有冷却介质通道的刀座-CN202023259113.3有效
  • 何吉;孙东周;卜军磊 - 杭州希恩希拓斯精密机械有限公司
  • 2020-12-29 - 2022-01-14 - B23Q3/00
  • 本实用新型公开了用于轴向刀塔的带有冷却介质通道的刀座,包括刀座基体基体法兰,刀座基体上设有用于安装切削工具的安装孔,安装孔横向设置,安装孔的开口设于刀座基体的一个侧面上;基体法兰配置于刀座基体底部相对设置的两侧,并且基体法兰的长度方向与安装孔的轴线平行设置;刀座基体基体法兰的内部配置有连通的冷却管路,冷却管路与安装孔连通,并且冷却管路包括至少一个配置于基体法兰外表面上的开口。本实用新型采用内部集成冷却介质的通道,无需外接水管,冷却介质密封可靠,不会造成泄漏影响冷却介质压力和流量。刀具在刀塔上轴向设置,刀具间的干涉小,并且能够提高刀具对切削力的承受能力。
  • 用于轴向带有冷却介质通道
  • [发明专利]金属至电介质的粘附促进-CN201210253260.0有效
  • K·奇特汉姆 - 罗门哈斯电子材料有限公司
  • 2012-05-14 - 2013-02-06 - C23C18/31
  • 提供了一种方法,所述方法包括:提供电介质基体;通过邻近电介质基体表面施加包括一种或多种可固化胺化合物和一种或多种可固化环氧化物的溶液处理电介质基体表面,与溶液中的一种或多种可固化环氧化物相比,溶液中包含的一种或多种可固化胺化合物的量超过一种或多种可固化环氧化物;干燥邻近电介质基体的处理表面的溶液;在电介质基体处理表面上化学镀镀覆金属层;和加热金属镀覆的电介质基体以固化一种或多种胺化合物和一种或多种环氧化合物。
  • 金属电介质粘附促进
  • [发明专利]多层穿心电容器-CN03138682.2有效
  • 富樫正明 - TDK株式会社
  • 2003-06-11 - 2004-01-21 - H01G4/35
  • 该多层穿心电容器具有:第1内部导体,配置在电介质基体内;中间内部导体,配置在电介质基体内,经陶瓷层层叠在第1内部导体上;第2内部导体,配置在电介质基体内,经陶瓷层层叠在中间内部导体上;第1端子电极,形成于电介质基体的外侧面,连接于第1内部导体;第2端子电极,形成于电介质基体的外侧面,连接于第2内部导体;和中间端子电极,形成于电介质基体的外侧面,连接于中间内部导体。
  • 多层电容器
  • [发明专利]功率半导体器件及其应用-CN202210258377.1在审
  • 陈昭铭;夏经华;张安平 - 松山湖材料实验室;东莞理工学院
  • 2022-03-16 - 2022-07-29 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种功率半导体器件及其应用,功率半导体器件包括:基体基体内设有第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区,栅氧介质层包绕栅电极区,源区位于第一金属区与栅氧介质层之间且源区的侧壁分别与第一金属区和栅氧介质层接触,第一金属区、源区、栅氧介质层与栅电极区的表面与基体的一侧表面平齐,基体和源区具有同一导电类型,基体的材料的功函数小于第一金属区的材料的功函数;绝缘介质层,绝缘介质层设置在栅氧介质层、栅电极区以及源区上上述功率半导体器件结构中,第一金属区与基体间形成了肖特基体二极管,避免了双极退化现象,还可以耗尽栅电极区的漂移区,使半导体器件成为常闭型器件,减少半导体器件的漏电流。
  • 功率半导体器件及其应用

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