专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种富N,S双孔径结构碳载体、其制备方法及应用-CN201810113001.5有效
  • 游才印;张静;徐红;李立晗 - 西安理工大学
  • 2018-02-05 - 2021-02-12 - H01M4/36
  • 本发明提供一种富N,S双孔径结构碳载体、其制备方法及应用,属于储能电池正极材料技术领域。所述富N,S双孔径结构碳载体具有分级结构,所述孔径为30~60nm,微孔孔径为1.5~3nm。所述富N,S双孔径结构碳包覆大载量硫碳复合材料,由上述的的富N,S双孔径结构碳载体与硫融硫扩散制备而成。本申请提供的碳载体,具有较高的体积和比表面积,可以包覆高质量分数的活性物质,且活性物质不在碳表面堆叠团聚,大的体积更有利于应用过程中电解液的浸润;微孔交联的双孔径结构,具有更好的分散和吸附作用,
  • 一种孔径结构载体制备方法应用
  • [发明专利]采用注入的自对准图案化-CN201210102555.8有效
  • 解子颜 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2012-04-09 - 2013-07-03 - H01L21/31
  • 一种制造半导体器件的多个部件的方法包括在硅层上方提供电层,以及蚀刻电层和硅层从而在电层和硅层中形成多个第一,其中将多个第一中的邻近孔径分开第一间距。该方法进一步包括在电层中蚀刻多个第二,多个第二中的每个孔径都具有比所述多个第一中的相应孔径更大的宽度并且以所述多个第一中的相应孔径为中心;将多个掺杂剂注入到通过电层中的多个第二对准的硅层中
  • 采用注入对准图案
  • [发明专利]一种采用有序炭识别水相中超滤膜污染物的方法-CN201410272029.5有效
  • 吕斯濠;梁志辉;曾燕艳;范洪波;刘啸天;彭敏 - 东莞理工学院
  • 2014-06-18 - 2014-10-22 - G01N33/18
  • 本发明公开一种采用有序炭识别水相中超滤膜污染物的方法,大致过程为:选择一水样分成若干份待测水样,采用不同孔径的有序炭分别对水样进行吸附处理,再将吸附处理后的水样进行超滤膜过滤,记录对应的超滤膜的通量;通过对不同孔径有序炭吸附前后的水样进行分析,确定不同孔径有序炭吸附去除的对应污染物;将经过不同孔径有序炭吸附处理后水样的膜通量大小进行排序,从而识别出水样所含污染物对超滤膜的污染程度;该方法利用有序孔径均一且在2-50nm内可调的特点,通过有序孔径与水样中超滤膜污染物分子的精确匹配,选择性吸附膜污染物,并对应吸附处理后水样的膜通量,从而识别水样中的超滤膜污染物。
  • 一种采用有序介孔炭识别相中超滤膜污染物方法

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