专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有分布的Al2O3及制备方法-CN201010519425.5有效
  • 郭翠梨;张金利;彭翠娜;张晓芳 - 天津大学
  • 2010-10-26 - 2011-04-20 - C01F7/02
  • 本发明公开了一种具有分布的Al2O3及制备方法,所述Al2O3的小分布在3.4~3.8nm之间,大分布在9.8~24.5nm之间,比表面积为239~347m2/g,容为0.48~1.14cm3本发明的具有分布的Al2O3具有相对较大的容,在2~100nm的孔径范围内具有分布。本发明的方法反应条件温和,操作简便易行且灵活多变,且可对所合成的氧化铝材料分布结构调控。本发明所提供的具有分布的Al2O3可以作为催化剂、吸附剂、催化剂载体或者吸附剂载体。
  • 具有双介孔分布alsub制备方法
  • [发明专利]一种二氧化硅透明凝胶独石及其制备方法-CN201010150344.2无效
  • 王晓钟;畅通;陈德贵;谢克昌 - 太原理工大学
  • 2010-04-16 - 2010-08-25 - C01B33/14
  • 一种二氧化硅透明凝胶独石及其制备方法属无机多孔材料技术领域,具体涉及一种具有分布特征的大尺寸、无裂纹、透明二氧化硅凝胶独石及其快速制备方法。其特征在于所具有的孔径分布均在区域内,其具体特征在于:该发明的二氧化硅透明凝胶独石具有圆柱形初级与条虫状次级的结合,其N2吸附等温线均呈具有H1型滞后环特征的IV型曲线。该方法合成周期短,操作步骤简单,且易于控制,制得的含有表面活性剂的二氧化硅透明凝胶独石形状规则,尺寸可控,热稳定性和透明性良好,适于制作光学材料;脱除表面活性剂后得到的二氧化硅凝胶独石在催化
  • 一种双介孔二氧化硅透明凝胶及其制备方法
  • [发明专利]一种富N,S孔径结构碳载体、其制备方法及应用-CN201810113001.5有效
  • 游才印;张静;徐红;李立晗 - 西安理工大学
  • 2018-02-05 - 2021-02-12 - H01M4/36
  • 本发明提供一种富N,S孔径结构碳载体、其制备方法及应用,属于储能电池正极材料技术领域。所述富N,S孔径结构碳载体具有分级结构,所述孔径为30~60nm,微孔孔径为1.5~3nm。所述富N,S孔径结构碳包覆大载量硫碳复合材料,由上述的的富N,S孔径结构碳载体与硫融硫扩散制备而成。本申请提供的碳载体,具有较高的体积和比表面积,可以包覆高质量分数的活性物质,且活性物质不在碳表面堆叠团聚,大的体积更有利于应用过程中电解液的浸润;微孔交联的孔径结构,具有更好的分散和吸附作用,
  • 一种孔径结构载体制备方法应用
  • [发明专利]一种有序碳石墨烯材料或有序碳材料的制备方法-CN202210367307.X在审
  • 董安钢;杨于驰;肖静雨;杨东;倪冉;李同涛 - 复旦大学
  • 2022-04-08 - 2022-06-14 - C01B32/184
  • 本发明涉及一种有序碳石墨烯材料或有序碳材料的制备方法,本发明利用单分散的胶体纳米颗粒共组装形成的二元超晶体,结合配体交联‑碳化技术,将颗粒表面固有的有机配体分子转化成三维贯通的碳包覆层。以碳包覆的二元超晶体为模板,通过酸刻蚀移除纳米晶颗粒模板后,获得具有高度有序结构的碳;在此基础上,结合石墨化处理制备有序的石墨烯材料。通过调控不同拓扑结构的二元超晶体以及控制配体交联‑碳化的反应温度,可以制备出新型碳材料,其拓扑结构包括NaCl、CsCl、CuAu、AlB2、MgZn碳材料具有良好的导电性,同时也具备有序材料的特点,展现出超高的比表面积、体积以及优异的传质特性,可被广泛应用在电层电容器、锂离子电池等储能器件中。
  • 一种有序双介孔碳石墨材料制备方法
  • [发明专利]具有镶嵌结构的半导体器件及其形成方法-CN200810225758.X有效
  • 孙武;沈满华;王新鹏 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2008-11-11 - 2010-06-16 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种具有镶嵌结构的半导体器件的形成方法,包括步骤:提供衬底;在所述衬底上形成第一质层;在所述第一质层上形成通图形;形成通开口;检测所述通开口底部残留的所述第一质层的剩余厚度;在所述第一质层上和所述通开口内形成第二质层;在所述第二质层上形成沟槽图形;形成沟槽;去除所述第二质层;根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件;进行第三刻蚀,以去除所述通开口底部残留的所述第一质层;形成双镶嵌结构。本发明还公开了相应的一种具有镶嵌结构的半导体器件。本发明的具有镶嵌结构的半导体器件及其形成方法,在无刻蚀停止层下形成了高质量的镶嵌结构,有效降低了镶嵌结构的k值。
  • 具有镶嵌结构半导体器件及其形成方法

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