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[发明专利]硒化锡纳米粒子复合物及其对肿瘤相关巨噬细胞的应用-CN202111343687.5有效
发明人：陈填烽;凌嘉宝;黄狄娜;李海伟;陈义康;曹文强 -专利权人：广东暨创硒源纳米研究院有限公司
申请日： 2021-11-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： A61K9/51 文献下载
摘要：本专利公开了硒化锡纳米粒子复合物及其对肿瘤相关巨噬细胞的应用，方法包括步骤制备硒化锡粉末，将NaOH和SnCl2·H2O溶解在去离子水中，搅拌后添加硒后超声溶解，转入高压釜，进行密封加热；冷却至室温，洗涤干燥得到硒化锡粉末；(2)剥离二维硒化锡，将所述硒化锡粉末加入N‑甲基吡咯烷酮溶液，采用超声波进行剥离二维硒化锡；(3)二维硒化锡的表面修饰，将剥离后的二维硒化锡中加入NH2‑PEG‑COOH搅拌，再加入EDC和NHS搅拌后，加入碳酸酐酶抑制剂4‑(2‑氨基乙基)苯磺酰胺，得到硒化锡纳米粒子复合物
硒化锡纳米粒子复合物及其肿瘤相关巨噬细胞应用

[发明专利]基于二维硒化锡纳米片的表面增强拉曼基底及制备方法-CN201611034101.6有效
发明人：刘玫;石颖 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维硒化锡纳米片的表面增强拉曼基底及制备方法，表面增强拉曼基底为由下向上依次包括硅层、二氧化硅层及硒化锡层；其中，所述硒化锡层为单层硒化锡纳米片和/或少层硒化锡纳米片。方法为从块状SnSe₂材料上剥离一定厚度SnSe₂纳米片，将所述SnSe₂纳米片转移至衬底材料的二氧化硅层上，所述衬底材料为含有二氧化硅层的硅基片表面增强拉曼基底具有拉曼增强效果明显、可重复率高、成本低等优点，其制备方法简单、易于控制。
基于二维硒化锡纳米表面增强基底制备方法

[发明专利]一种二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料及其制备方法和应用-CN201610628577.6有效
发明人：张治安;李军明;陈晓彬;赖延清;张凯;李劼 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料及其制备方法和应用，本发明将硒粉溶于惰性气体饱和的硼氢化钠溶液中，得到含硒粉溶液；按照制备二硒化锡所需的硒锡摩尔比将含硒粉溶液和锡源水溶液混合，得到混合溶液，向混合溶液中加入聚乙烯亚胺，充分搅拌后进行水热反应；反应得到的产物经过滤、洗涤、干燥后得到二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料。得到的二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料中，聚乙烯亚胺均匀包覆在二硒化锡六方纳米片上；作为钠离子电池负极材料具有优良的电化学性能，且其制备方法简单，成本低廉，具有广阔的工业化应用前景。
聚乙烯亚胺硒化复合材料硒粉制备方法和应用制备硼氢化钠溶液电化学性能工业化应用混合溶液中六方纳米片钠离子电池水溶液混合惰性气体负极材料混合溶液均匀包覆摩尔比热反应锡源洗涤饱和

[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的硒化方法-CN201710202998.7在审
发明人：袁晓杰;张军;彭峰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜的硒化方法，涉及半导体光电材料技术领域；该方法包括如下步骤)以乙二硫醇和乙二胺混合液为溶剂，溶解硒粉制备硒溶胶；控制硒粉在硒溶胶的质量浓度为0.15～0.18g/mL；2)通过旋涂‐烘烤的方法在铜锌锡硫前驱薄膜的上表面制备硒薄膜；3)在直接快速退火工艺中实现铜锌锡硫前驱薄膜的硒化，制备出达到铜锌锡硫硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒铜锌锡硫硒薄膜。对比一般使用外部硒源快速硒化的工艺，本发明能促进硒化过程中硒源向铜锌锡硫薄膜的内部扩散，减少薄膜硒化过程中使用硒粉的量，能制备出达到铜锌锡硫硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒铜锌锡硫硒薄膜。
一种铜锌锡硫薄膜方法

[发明专利]一种二硒化锡薄膜的制备方法-CN201810175981.1有效
发明人：王巍;杨春雷;李伟民;钟国华;李文杰;冯叶;童君;隋帆 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束的形式喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。本发明利用了分子束外延工艺对生长产物可控的特点，实现了可控地制备出如片状等特定形貌结构的二硒化锡薄膜。且相对于化学气相沉积法，本发明利用分子束外延工艺的制备方法的操作更简单，制备二硒化锡薄膜所需的时长相对较短，有利于二硒化锡薄膜的生产。
一种二硒化锡薄膜制备方法

[发明专利]由碳包覆的二氧化锡和二硒化锡复合材料及制备方法-CN202011410425.1有效
发明人：李权;李静;高云智;温慧颖;李伟华;晁广召 -专利权人：上海汉行科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种由碳包覆的二氧化锡和二硒化锡复合材料及制备方法，复合材料由碳、二氧化锡、二硒化锡组成，二氧化锡和二硒化锡紧密的生长在一起并且相互之间分布均匀，碳层均匀的包覆在二氧化锡和二硒化锡混合颗粒的表面制备方法，含有锡酸钾和葡萄糖的水溶液进行水热反应，水浴产物粉碎后，煅烧，煅烧产物和硒粉混合均匀再煅烧。该复合材料作为钠离子/锂离子电池的负极材料，具有极其优异的循环和倍率性能。
碳包覆氧化二硒化锡复合材料制备方法

[发明专利]一种硒化锡基热电材料及其制备方法-CN201911279764.8在审
发明人：廖磊;黄维刚;秦霸;蔡芳共;张勤勇 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化锡基热电材料及其制备方法，硒化锡基热电材料包括以下组分：二氧化硒、抗坏血酸、氯化亚锡、酒石酸或柠檬酸；二氧化硒、抗坏血酸、氯化亚锡、酒石酸或柠檬酸摩尔比为1:1～5:1～3:8～10本发明还提供了硒化锡基热电材料的制备方法。本发明采用水热法制备硒化锡基热电材料，制备过程简单易重复，不使用有毒物质，有效解决了制备时间长、成本较高和污染环境的问题，制得纯度较高的硒化锡基热电材料。
一种硒化锡基热电材料及其制备方法

[发明专利]一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法-CN201710496489.X有效
发明人：葛万银;张荔;朱建锋;殷立雄 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法，以二氯化锡为锡源，硒粉为硒源，将二氯化锡和螯合剂溶解在水中，得到溶液A；将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中，获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应，即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法，通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段，完成硒化亚锡纳米晶的生长，最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶，反应温度为室温，操作简单，反应时间短，容易控制；本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶，具有较为尖锐的纳米尖端，获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。
一种室温水溶液生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法

[发明专利]一种硒化锡-双网络水凝胶及其制备方法和应用-CN202310121698.1在审
发明人：陈雯雯;蔡晓清;李峰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08L33/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化锡‑双网络水凝胶及其制备方法和应用，所述硒化锡‑双网络水凝胶包括双网络水凝胶基质以及包裹在所述双网络水凝胶基质中的硒化锡和阳离子盐类化合物；所述双网络水凝胶基质包括相互交联的第一网络聚合物和第二网络聚合物本发明中，所述硒化锡‑双网络水凝胶采用双网络结构，同时掺入硒化锡，使得所述硒化锡‑双网络水凝胶具有稳定的机械性能，可逆拉伸性以及抗疲劳性好，能够保持稳定的电子传感性能，具有良好的导电性和压电离子传感性能，并且不需要借助外界电力设备，可实现自供电传感。
一种硒化锡网络凝胶及其制备方法应用

[发明专利]一种提高用于太阳能电池的铜锌锡硫薄膜质量的方法-CN201410638475.3有效
发明人：陈永生;符凯亮;张利伟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于一种提高用于太阳能电池的铜锌锡硫薄膜质量的方法，包括以下步骤，硒化：在500-550℃下，采用固态硒源((硒粉或硒块))对铜锌锡硫薄膜进行硒化，硒化时间为20-40min，然后冷却至室温；硫化：将硒化后的铜锌锡硫薄膜在500-550℃下、固态硫源（硫粉或硫块）下硫化，硫化时间为20-40min，然后冷却至室温；二次硒化：在500-550℃下，采用固态硒源对硫化后的铜锌锡硫薄膜进行二次硒化，硒化时间为10-20min，然后冷却至室温；二次硫化：将二次硒化后的铜锌锡硫薄膜在500-550℃下、固态硫源下二次硫化，硫化时间为5-13min，然后冷却至室温。
一种提高用于太阳能电池铜锌锡硫薄膜质量方法

[发明专利]一种水热法合成硒化锡微米晶粉体的方法-CN201710937042.1有效
发明人：张荔;葛万银;焦思怡;李景雷;叶晓慧;常哲;徐美美 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种水热法合成硒化锡微米晶粉体的方法，将酒石酸溶于蒸馏水中，再加入二氯化锡，搅拌至溶液澄清透明，制成溶液A，再将二氧化硒、氢氧化钠和硼氢化钠依次加入蒸馏水中，制成溶液B，将A缓慢加入B中，在水热反应釜中180℃下反应6‑24小时，然后离心、洗涤、干燥得硒化锡黑色粉末，本发明的整个工艺过程中的原料及产生的溶液易处理且无污染，制备成本低，操作过程简单，可重复性高，可以制备出高纯度的硒化锡粉体，为硒化锡材料中各种有趣的光电等性能研究提供了前期重要的物质支持
一种水热法合成硒化锡微米晶粉体方法

[发明专利]一种水热法合成硒化锡微米晶的方法-CN201710546614.3有效
发明人：张荔;葛万银;叶晓慧 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种水热法合成硒化锡微米晶的方法，将氢氧化钠溶液逐滴地加入二氯化锡溶液中，搅拌直到溶液颜色由浑浊变为澄清透明，制成溶液A，再将二氧化硒和硼氢化钠依次加入蒸馏水中，制成溶液B，将A加入B中，在水热反应釜中180℃下反应12‑24小时，然后离心、洗涤、干燥得片状硒化锡黑色粉末；本发明的整个工艺过程中的原料及产生的溶液易处理且无污染，制备成本低，操作过程简单，可重复性高，可以制备出高纯度的片状硒化锡微米晶粉体，为硒化锡材料中各种有趣的光电等性能研究提供了前期重要的物质支持。
硒化微米晶水热法合成制备蒸馏水搅拌直到溶液氢氧化钠溶液水热反应釜操作过程澄清透明二氯化锡二氧化硒工艺过程黑色粉末可重复性硼氢化钠物质支持性能研究高纯度锡材料粉体浑浊洗涤

[发明专利]纳米二硒化锡/石墨烯复合材料、其制备方法及应用-CN201510775894.6在审
发明人：杜乘风;李建荣;黄小荥 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米二硒化锡/石墨烯复合材料，其特征在于，石墨烯表面生长有平均粒径为3nm～10nm的二硒化锡颗粒。纳米二硒化锡与石墨烯之间结合强度高，二硒化锡纳米颗粒具有良好的结晶结构，石墨烯片层无序堆叠构成三维骨架，提供了纳米级的孔道以及良好的电荷传输网络，用作电池负极材料，具有较高的充放电性能和稳定性。本申请还公开了纳米二硒化锡/石墨烯复合材料的制备方法，在合成过程中使用离子液体，通过改善金属硫属纳米结构与碳材料之间的结合强度，实现了碳材料与二硒化锡的有效复合，获得高性能的锂离子电池和钠离子电池负极材料
纳米二硒化锡石墨复合材料制备方法应用

[发明专利]一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法-CN201911345170.2有效
发明人：周建新;徐廉鹏;何哲 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域，该光电器件结构自下而上依次为厚度为衬底层、绝缘层、二硒化锡层、二硒化钨层、石墨烯层；二硒化锡层和石墨烯层两端分别连接金属电极
一种基于石墨二硒化钨二硒化锡叠层结构光电器件及其制备方法

[发明专利]一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法-CN202110442127.9有效
发明人：李煜;晏雨发;郑博方;曾海飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法，其中，硒化铟光电探测器包括基底、设置在所述基底上的n型硒化铟膜层、设置在所述n型硒化铟膜层上的p型硒化亚锡纳米晶，以及设置在所述基底上且与所述n型硒化铟膜层两端分别连接的第一电极和第二电极。本发明通过在不改变硒化铟膜层的微观结构前提下，在其表面修饰p型硒化亚锡纳米晶构成局域的异质结，在光照下，异质结可使所述n型硒化铟膜层与p型硒化亚锡纳米晶的界面处产生大量的电子与空穴，而光生电子空穴会在硒化亚锡纳米晶与硒化铟膜层构成的异质结处迅速分离
一种利用硒化亚锡纳米进行表面修饰硒化铟光电探测器及其制备方法

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