专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于图中图卷积网络的高光谱图像分类方法-CN202111509923.6在审
  • 贾森;江树国;邓琳 - 深圳大学
  • 2021-12-10 - 2022-02-08 - G06V20/13
  • 本发明公开了基于图中图卷积网络的高光谱图像分类方法,所述方法包括:获取目标光谱图像,将所述目标光谱图像分割成若干超像素块;确定若干所述超像素块分别对应的局部结构和所述目标光谱图像对应的全局结构;根据所述若干所述局部结构和所述全局结构本发明通过确定每一超像素块的局部结构保留了超像素内极优的同质信息,并将其与目标光谱图像的全局结构一起综合判定目标光谱图像的图像类别,提高了分类的准确性。
  • 基于图卷网络光谱图像分类方法
  • [发明专利]陶瓷基超材料及其制造方法-CN201510126267.X有效
  • 不公告发明人 - 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
  • 2015-03-20 - 2019-10-22 - C04B41/51
  • 本发明的陶瓷基超材料的制造方法,其特点是,包括以下步骤:用流延法制得柔性有机薄膜,该有机薄膜对于其上丝网印刷的金属微结构案浆料有附着性;在流延片载带上的所述有机薄膜上用丝网印刷的方法印制金属微结构案,然后干燥所述有机薄膜使金属微结构案的导体浆料不粘于手指;将所述流延片载带上携带所述金属微结构案的所述有机薄膜贴附在陶瓷壳体表面,使所述金属微结构案粘结于陶瓷壳体表面,并撕除流延片载体,有机薄膜的强度足以至此不会裂开;排胶并烧结转印有所述金属微结构案的陶瓷壳体,所述有机薄膜能在所述排胶过程中挥发。
  • 陶瓷材料及其制造方法
  • [发明专利]图像处理装置和图像处理方法-CN200510105727.7有效
  • 加藤进一;伊藤直树;饭沼修 - 佳能株式会社
  • 2005-09-27 - 2006-04-05 - H04N1/41
  • 为了解决该课题,本发明的将多个图像数据作为结构像数据,从而生成缩小排版图像数据的图像处理方法包括以下的步骤。即,对分别使用个别的压缩参数所压缩的多个上述结构像数据进行解码的步骤(步骤S1008);根据多个上述结构像数据的各压缩参数,抽取用于压缩多个该结构像数据的公共的压缩参数(步骤S1007),并分配的步骤;使用所分配的上述公共的压缩参数,对多个上述结构像数据进行再压缩的步骤(步骤S1009);以及将进行了再压缩的多个上述结构像数据作为同一页面的图像数据结合(步骤S1010)、输出(步骤S1012)的步骤
  • 图像处理装置方法
  • [发明专利]应用程序的测试方法、装置、电子设备及计算机介质-CN202010754760.7有效
  • 蔡天勤;张钊;杨萍 - 抖音视界有限公司
  • 2020-07-30 - 2023-04-07 - G06F11/36
  • 本公开提供了一种应用程序的测试方法、装置、电子设备及计算机介质,该方法包括:获取针对待测试应用程序的测试指令,获取当前页面的相关信息,以及应用程序的树状结构,基于当前页面的相关信息和树状结构,将当前页面对应的当前节点添加至当前页面对应的父节点之后,得到新的树状结构;确定当前节点的节点价值;基于当前节点的节点价值和新的树状结构,确定目标节点;基于目标节点,对目标节点的目标页面动作进行测试,得到当前页面对应的测试结果。在本公开的方案中,通过树状结构表征相关信息,可以不存在局部死循环的问题,且考虑到了树状结构中各节点对目标节点的影响,使得对目标节点的目标页面动作的测试结果更加准确。
  • 应用程序测试方法装置电子设备计算机介质
  • [发明专利]金刚石结构形的构建方法-CN202111614451.0在审
  • 曾凡初;魏浩胤;苗建国;彭国令 - 长沙新材料产业研究院有限公司
  • 2021-12-27 - 2022-02-08 - C30B25/04
  • 本发明提供了一种金刚石结构形的构建方法,包括以下步骤:在金刚石衬底表面制作胶层结构形;所述胶层结构形表面沉积金属掩膜结构,去除胶层结构,形成了仅有金属掩膜结构的金刚石衬底,未覆盖金属掩膜的部分构成待生长图形;所述金属掩膜结构未覆盖的金刚石衬底表面同质外延生长金刚石;去除所述金属掩膜结构,得到金刚石结构形。本发明在金刚石衬底表面形成垂直度好的金属结构,从而以所述金属掩膜结构为模板生长(加法)得到的金刚石结构形,既节约了材料成本,也节约了金刚石生长及金刚石刻蚀等金刚石加工工艺成本,并得到高质量的结构形。当金属掩膜结构为金属沟槽时,能够得到较好的垂直度的金刚石微纳沟槽,沟槽的倾角为90°。
  • 金刚石结构图形构建方法
  • [发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构-CN202111447165.X在审
  • 王晓光;李辉辉;张强;汪珊;吴敏敏 - 长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
  • 2021-11-30 - 2023-06-02 - H01L21/308
  • 本申请实施例属于半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本申请实施例用以解决相关技术中阵列区和外围区基底上的配合结构需要分开制作,生产效率较低的问题。制作方法包括:提供衬底,衬底包括阵列区和外围区;在衬底上形成覆盖阵列区和外围区的第一掩膜层,第一掩膜层具有正对阵列区的第一器件结构案、以及正对外围区的第二器件结构案。通过该半导体结构制作方法,先在衬底上形成具有第一器件结构案和第二器件结构案的第一掩膜层,以第一器件结构案和第二器件结构案为掩膜对衬底进行刻蚀,以便在衬底上同时形成外围区结构和阵列区结构,简化了工艺流程
  • 半导体结构制作方法

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