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[发明专利]高频晶体管-CN202110911159.9在审
发明人：中村光利;西堀一弥;增田敬太 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的高频晶体管具备第一绝缘膜、第一半导体层、控制电极以及第二绝缘膜。所述第一半导体层设置于第一绝缘膜上，在沿着第一绝缘膜的上表面的第一方向上延伸。
高频晶体管

[发明专利]高频晶体管-CN201510208919.4有效
发明人：潘光燃;文燕;高振杰;马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提出了一种高频晶体管，包括：多个并行的发射区窗口；多个并行的发射极金属，多个所述发射极金属中的每个所述发射极金属均覆盖在多个所述发射区窗口中的每个所述发射区窗口的上方，其中，多个所述发射极金属中的第一个发射极金属和最后一个发射极金属独立于其他发射极金属通过本发明的技术方案，可以确保线宽相同的相互平行的高频晶体管的发射区窗口在复制到晶圆后，多发射极高频晶体管内部不同位置的发射极可以产生一致的高频特性，以避免使多发射极高频晶体管产生较大噪音。
高频晶体管

[实用新型]高频晶体管-CN202121728286.7有效
发明人：易琼红;左勇强;凌慢慢;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高频晶体管，包括表面保护阻挡层、背面金属上层、背面金属中层、背面金属下层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型基区、重掺杂第一导电类型发射区、发射区金属层、
高频晶体管

[发明专利]高频功率放大电路-CN201710365712.7有效
发明人：应忠于;连增水 -专利权人：公安海警学院
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极，用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本发明提供的高频功率放大电路减少了失真，且增大了输出功率。
高频功率放大电路

[实用新型]高频功率放大电路-CN201720580069.5有效
发明人：应忠于;连增水 -专利权人：公安海警学院
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极，用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本实用新型提供的高频功率放大电路减少了失真，且增大了输出功率。
高频功率放大电路

[发明专利]一种无线通信系统-CN201710365711.2有效
发明人：应忠于;连增水 -专利权人：公安海警学院
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：一种无线通信系统，其包括高频功率放大电路，所述高频功率放大电路包括高频放大器，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于根据控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本发明提供的无线通信系统减小了对输入的高频信号扭曲，且增大了输出功率。
一种无线通信系统

[实用新型]一种无线通信系统-CN201720580070.8有效
发明人：应忠于;连增水 -专利权人：公安海警学院
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：一种无线通信系统，其包括高频功率放大电路，所述高频功率放大电路包括高频放大器，所述高频放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于根据控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本实用新型提供的无线通信系统减小了对输入的高频信号扭曲，且增大了输出功率。
一种无线通信系统

[实用新型]一种高频大功率晶体管测试用线路连接插拔装置-CN201922359503.9有效
发明人：惠好鹏;冯欢欢;韦东;赵辉;毛阿妮 -专利权人：西安电子工程研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频大功率晶体管测试用线路连接插拔装置，包括上面板基座、下面板基座、3个高频功率晶体管测试插孔、上下面板支撑柱、7个与测试设备连接的测试柱，3个高频功率晶体管测试插孔位于上面板基座、下面板基座之间，上面板基座、下面板基座之间使用上下面板支撑柱支撑，被测晶体管的三个管脚插入3个高频功率晶体管测试插孔再和与测试设备连接的测试柱连接，使用该装置完成待检测超高频功率晶体管与检测设备之间的线路进行插拔式连接，既能满足高频功率晶体管频率要求，又能满足功率测试要求，拔出后不会改变高频功率晶体管的出厂状态。
一种高频大功率晶体管测试线路连接装置

[发明专利]高频放大电路及半导体设备-CN201910115753.X在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：实施方式涉及高频放大电路及半导体设备。高频放大电路具备：第1晶体管，将来自对应的高频开关的上述高频输入信号放大且源极接地；第2晶体管，共源共栅地连接至上述第1晶体管，将以上述第1晶体管放大的信号进一步放大而生成输出信号且栅极接地；第1电感，连接至上述第1晶体管的源极和第1基准电位节点之间；第2电感，连接至上述第2晶体管的漏极和第2基准电位之间；非线性补偿电路，连接至上述第1晶体管和上述第2晶体管的连接节点，补偿对于上述高频输入信号的上述输出信号的非线性
晶体管高频放大电路高频输入信号电感输出信号放大非线性补偿电路基准电位节点半导体设备晶体管放大高频开关共源共栅基准电位连接节点源极接地栅极接地地连接漏极源极

[实用新型]一种高频大功率晶体管功率老化筛选装置-CN202122921452.1有效
发明人：惠好鹏;冯欢欢;张文博;王宁;张小玲;韩鑫;刘媛;杨意 -专利权人：西安电子工程研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高频大功率晶体管功率老化筛选装置，属于电子产品筛选与检测用装置。包括晶体管器件放置及散热装置、两路器件电压电流表、两路电源滤波器和两路老化电源；高频大功率晶体管固定在晶体管器件放置及散热装置上，高频大功率晶体管分为两路，每一路分别依次连接电压电流表、电源滤波器和老化电源本实用新型可及时对高频大功率晶体管进行筛选，提高了高频大功率晶体管筛选检测效率，成本控制，交付周期上都有了明显的提升。
一种高频大功率晶体管功率老化筛选装置

[发明专利]高频放大器及混频器-CN01804302.X有效
发明人：谷口英司;末松宪治;泽海千惠美;前田宪一;生岛贵之;上马弘敬;高木直 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-05-17 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：一种高频放大器，利用发射极接地的放大用双极型晶体管，对应输入双极型晶体管的高频信号的功率电平或输出的高频信号的功率电平，分别切换成恒流源和恒压源向双极型晶体管的基极端子施加直流偏压。以及一种混频器，采用该高频放大器中向放大用双极型晶体管的基极施加直流偏压的结构，向高频信号输入用双极型晶体管和本机振荡波输入用双极型晶体管中至少其中一个的基极施加直流偏压。
高频放大器混频器

[发明专利]基于源极跟随器的电压缓冲器-CN202310110254.8在审
发明人：陈晨;蔡敏卿;苗凯博;姚豫封;李承哲 -专利权人：集益威半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于源极跟随器的电压缓冲器，包括：第一至第四晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管的栅极分别连接一对差分输入信号，漏极均连接电源端，所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极相连，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极相连，所述第三晶体管和第四晶体管的源极连接地端；第五晶体管，其漏极和栅极相连并连接偏置电压，源极连接所述地端第一高频反馈路径，其连接于所述第三晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极之间；第二高频反馈路径，其连接于所述第四晶体管的栅极和所述第一晶体管的栅极之间本申请可以提升电压缓冲器在高频信号输入时候的线性度和总带宽。
基于跟随电压缓冲器

[发明专利]双极晶体管仿真方法-CN200910201833.3有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极晶体管仿真方法，采用Gummel-Poon模型对双极晶体管仿真，保持电阻模型参数对双极晶体管的各种直流特性的拟合，同时考虑双极晶体管基区电阻对其高频特性的较大影响，在确定Gummel-Poon双极晶体管模型中的三个与基区电阻相关的模型参数时，利用双极晶体管在不同工作状态下不同的高频特性，提取出三个与基区电阻相关的模型参数，从而保证了双极晶体管基区电阻模型参数在高频条件下的拟合精度，进而实现了对双极晶体管整体特性的高精度仿真
双极晶体管仿真方法

[发明专利]一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路-CN202110934402.9有效
发明人：金冬月;刘圆圆;张万荣;贾晓雪;潘永安;曹路明;雷鑫 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
一种具有高压增益模式高频横向双极晶体管电路

[发明专利]高频功率放大器-CN201210155265.X有效
发明人：渡边晋太郎;弥政和宏;前原宏昭;高相纯 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及高频功率放大器。获得一种能够同时进行阻抗匹配的切换和路径的切换，能够使电路设计的自由度提高的高频功率放大器。晶体管（Tr1）对从外部输入的高频信号进行放大。晶体管（Tr2）对晶体管（Tr1）的输出信号进行放大。晶体管（Tr3）与晶体管（Tr1）并联连接，并对从外部输入的高频信号进行放大。在晶体管（Tr1）的输出和晶体管（Tr2）的输入之间连接有切换元件（SW1）。在晶体管（Tr3）的输出和切换元件（SW1）之间连接有切换元件（SW2）。在晶体管（Tr1）的输出及切换元件（SW2）和晶体管（Tr2）的输出之间串联连接有切换元件（SW3、SW4）。在切换元件（SW3）和切换元件（SW4）之间连接有电容器（C1）。
高频功率放大器

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