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[发明专利]高阶负型光阻剥膜槽-CN201811043114.9在审
发明人：王彦智 -专利权人：王彦智
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阶负型光阻剥膜槽，包括用于盛装剥膜液的主槽体，主槽体内设有用于固定待剥膜的基板的挂架和能够使剥膜液产生涡流的摇摆机构；主槽体的上端设有循环槽以及底部设有循环管道，该循环管道从主槽体的外部连通至循环槽，循环管道上设有用于使膜渣和溶液分离的系统马达和用于过滤分离后的溶液的过滤器。该高阶负型光阻剥膜槽通过摇摆机构形成的涡流将光刻胶干膜溶解，使干膜细小化，不仅浸泡时间短，剥膜速度快，产能高，而且对高纵横比/高深宽比的剥膜制程，于基板底部不留干膜，产品良率大大提高。
高阶负型光阻剥膜槽

[实用新型]高阶负型光阻剥膜槽-CN201821463125.8有效
发明人：王彦智 -专利权人：王彦智
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高阶负型光阻剥膜槽，包括用于盛装剥膜液的主槽体，主槽体内设有用于固定待剥膜的基板的挂架和能够使剥膜液产生涡流的摇摆机构；主槽体的上端设有循环槽以及底部设有循环管道，该循环管道从主槽体的外部连通至循环槽，循环管道上设有用于使膜渣和溶液分离的系统马达和用于过滤分离后的溶液的过滤器。该高阶负型光阻剥膜槽通过摇摆机构形成的涡流将光刻胶干膜溶解，使干膜细小化，不仅浸泡时间短，剥膜速度快，产能高，而且对高纵横比/高深宽比的剥膜制程，于基板底部不留干膜，产品良率大大提高。
剥膜负型光阻循环管道主槽体干膜高阶涡流摇摆机构剥膜液循环槽基板过滤器本实用新型产品良率高深宽比高纵横比溶液分离外部连通光刻胶上端产能挂架膜渣制程主槽马达浸泡溶解盛装体内

[发明专利]一种Top com结构的a-Si转IGZO的阵列基板的制造方法-CN202211069732.7在审
发明人：陈伟;陈鑫 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种Topcom结构的a‑Si转IGZO的阵列基板的制造方法，包括：依序在Glass上形成GE、PEITO、GI、SEIGZO；采用DC光罩，干蚀刻出DC孔，便于SD与PE搭接；在IGZO及GI层上涂上一层负型光阻PR；用SD的光罩对负型光阻PR进行曝光；显影掉未被光照到的负型光阻PR；采用PVD方式在负型PR及IGZO上沉积一层SD；在SD上涂一层正型光阻PR，并用SD的原有光罩进行曝光；显影掉被光照到的正型光阻PR；采用湿蚀刻方式，蚀刻掉未被光阻PR保护的金属层；进行剥膜制程，去掉正型和负型光阻，形成SD；沉积一层CH；形成公共电极层UCITO。
一种 top com 结构 si igzo 阵列制造方法

[发明专利]一种提升电容的半导体阵列基板的制造方法-CN202310348225.5在审
发明人：陈伟;卢盼 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种提升电容的半导体阵列基板的制造方法，包括：依序在玻璃基板上沉积一层SiOx缓冲层；采用公共电极层光罩，搭配负型光阻，进行曝光显影制程；对显影后的位置进行干蚀刻，蚀刻掉未被光阻覆盖位置的SiOx；剥膜掉负型光阻
一种提升电容半导体阵列制造方法

[发明专利]低温固化型OC负型光阻剂以及绝缘桥和保护层与OLED器件-CN201910833409.4有效
发明人：薛晖;运向军;李伟;任广辅;扈志;常爱芹 -专利权人：深圳市邦得凌触控显示技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温固化型OC负型光阻剂，由包括如下以重量份计的组分制成：低温固化聚合树脂5‑30份，甲基丙烯酸的共聚物树脂5‑30份，含有烯双键的低聚物交联剂5‑30份，光致自由基引发剂0.2‑2份，该负型光阻剂在制造柔性折叠显示屏或电容式触摸屏的结构层时，可以实现85‑150℃固化，具有耐酸碱、溶剂和剥膜液、铜蚀刻液侵蚀；耐氧气ICP干法蚀刻、耐25‑100℃金属镀膜；100℃/85％高湿环境下，本发明还提供由该负型光阻剂制作的绝缘桥和保护层以及其制备工艺及OLED器件。
低温固化 oc 负型光阻剂以及绝缘保护层 oled 器件

[发明专利]电镀电极的制作方法-CN200410049084.4无效
发明人：山野孝治 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在负型光阻层(120)表面贴上保护膜(130)，再沿负型光阻层(120)的外缘部在保护膜(130)表面形成遮光层(140，142)。然后用步进投影光刻装置，仅使用一种网线图案，对负型光阻层(120)的各个单位光刻区域进行光刻处理。在光刻处理，剥离掉贴在负型光阻层(120)上的保护膜(130)和遮光层(140，142)、进行显像处理、除去先前被遮光层(140，142)覆盖的负型光阻层(120)的部分，露出其下方的导电金属层(110
电镀电极制作方法

[发明专利]一种可增加像素电容的半导体阵列基板的制造方法-CN202310348233.X在审
发明人：陈伟;卢盼 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种可增加像素电容的半导体阵列基板的制造方法，包括：依序在玻璃基板上沉积一层SiOx缓冲层；采用公共电极层光罩，搭配负型光阻，进行曝光显影制程；对显影后的位置进行干蚀刻，蚀刻掉未被光阻覆盖位置的SiOx；剥膜掉负型光阻；依序图案化形成第一金属层、第一绝缘层、像素电极层，并进行图案化，随后进行制程晶化；在第一绝缘层上沉积一层IGZO有源层，并图案化；再沉积第二金属层、第二绝缘层，同步作为像素电容。
一种可增加像素电容半导体阵列制造方法

[发明专利]剥膜机及其辗压装置-CN201410409282.0有效
发明人：林英菘;赖金森 -专利权人：志圣工业股份有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： B32B38/10 文献下载
摘要：一种剥膜机及该剥膜机的辗压装置，该剥膜机包含一输送装置、一辗压装置及一剥离装置，输送装置可沿输送方向输送板件，辗压装置包括一驱动机构及一旋转辗压件，驱动机构可带动旋转辗压件沿辗压方向移动以经由板件的前端缘辗压至外表面上，使薄膜凹陷变形形成压痕，以破坏薄膜与光阻层间的黏着力，当旋转辗压件移离薄膜时，薄膜与光阻层间形成气室，气室的开口形成于前端缘与光阻层间，剥离装置包括一夹持吹气机构及一剥离机构，夹持吹气机构用以夹持前凸出部并可对开口吹气以使薄膜邻近前端缘的部位剥离光阻层，剥离机构用以衔接薄膜邻近前端缘的部位以将薄膜剥离光阻层。本发明的剥膜机及其辗压装置，剥膜方便快速，能降低光阻层及基板的受损。
剥膜机及其装置

[发明专利]一种BCE结构TFT的制作方法及结构-CN202010755484.6在审
发明人：阮桑桑 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCE结构TFT的制作方法及结构，在有源层上涂布负型光阻层，对负型光阻层曝光显影，保留有源层上的负型光阻层，光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，对正型光阻层曝光显影，去除部分正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本方法通过2次曝光显影，采用负型光阻在有源层上方沟道区留下光阻，保护有源层在源漏极金属层蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属层，再用正型光阻，并形成SD。在不增加光罩兼容现有工艺流程下，就能够保护有源层在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。
一种 bce 结构 tft 制作方法

[发明专利]一种准直膜、一种减干涉准直膜及其制备方法、一种贴合型准直膜及一种图像识别模组-CN202011527309.8有效
发明人：唐海江;夏寅;高斌基;付坤;刘建凯;王小凯;李刚;张彦 -专利权人：宁波激智科技股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02B27/30 文献下载
摘要：本发明属于图像识别领域，尤其涉及一种准直膜、一种减干涉准直膜及其制备方法、一种贴合型准直膜及一种图像识别模组。为了解决传统准直片中两层准直光阑对位难的问题，本发明提供一种准直膜、一种减干涉准直膜及其制备方法、一种贴合型准直膜及一种图像识别模组。所述准直膜依次包括准直透镜层、柔性基体层和一层准直孔层；所述准直透镜层包含微透镜阵列；所述准直孔层包含遮光介质；所述遮光介质为单层的黑色负型光阻。所述黑色负型光阻包含透明负型光阻，透明负型光阻为聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶‑双叠氮体系中的一种。本发明提供的图像识别模组的识别准确率高，可应用于手机(OLED屏)等消费类电子产品的指纹解锁等。
一种准直膜干涉及其制备方法贴合型准直膜图像识别模组

[发明专利]负型光阻混合物及光阻图案形成方法-CN202010187210.1有效
发明人：高攀 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。
负型光阻混合物图案形成方法

[发明专利]一种Com Metal当机造成后制程膜剥的改善方法-CN202310681662.9在审
发明人：郑晓辉;谢杰;邓元魁;朱华庚 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种ComMetal当机造成后制程膜剥的改善方法，涉及显示生产技术领域，所述方法包括：ComMetal拔膜，用于将当机导致的异常CM膜层拔除；Organic清洗，用于将有机光阻表面清洗干净；烘烤Organic层，使其吸收的水份充分蒸发；Organic层烘烤后清洗，将表面异物清洗干净；形成ComMetal膜层；图案化形成ComMetal光阻；通过显影进行Com Metal线路蚀刻；去除ComMetal光阻，完成重工流程。本发明提供的一种ComMetal当机造成后制程膜剥的改善方法通过将CM当机片在重工流程中加入OC烘烤制程，改善后制程膜剥异常。
一种 com metal 当机造成后制程膜剥改善方法

[发明专利]一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法-CN202210640391.8在审
发明人：陈伟;潜垚 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括：依序在玻璃基板上形成金属栅极、栅极绝缘层；栅极绝缘层上沉积有源层；在有源层上表面涂布一层第一正型光阻，进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；Pattern出有源层SE；继续涂布一层第二正型光阻，进行DC制程曝光显影；显影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔；进行光阻剥膜制程
一种 esl bce 架构 tft 器件制造工艺方法

[发明专利]金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜-CN201711396854.6在审
发明人：蔡丰豪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
负性光阻正性光阻光掩膜金属层制作金属基板完全分离制作过程光阻介体良率去除

[发明专利]一种大功率白光LED荧光粉涂覆方法-CN201110173524.7有效
发明人：刘沛;郭伦春;夏鼎智;陈建昌 -专利权人：深圳市九洲光电科技有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体照明技术领域，具体涉及大功率白光LED封装技术，特别是荧光粉涂覆工艺包括配置基于酚醛树脂的耐高温负型光阻剂、配制基于光阻剂的荧光粉胶：荧光粉胶涂覆、曝光显影坚膜。按照本发明所提供的大功率白光LED荧光粉涂覆方法，以有机成分酚醛树脂为成膜剂、光致产酸剂为感光剂、乳酸乙酯或乙二醇醚等为溶剂制成耐热负型光阻剂，再将此光阻剂与荧光粉及硅胶/环氧树脂按一定比例混合均匀，制成基于酚醛树脂负型光阻剂的荧光粉胶再通过涂覆、曝光、显影、坚膜等工艺过程在LED芯片表面形成厚度均匀一致的荧光粉层，从而改善LED出光均匀度，减小LED空间光色差，同时可使器件不受封装后续工艺高温的影响。
一种大功率白光 led 荧光粉方法

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