“高硅硅锰”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3484829个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种ER50-6E系列低碳钢冶炼脱氧工艺-CN201810283412.9在审
发明人：汤群伟;李宁宁;于瑞波 -专利权人：潍坊特钢集团有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种ER50‑6E系列低碳钢冶炼脱氧工艺，且特征在于：转炉出钢过程中，全程钢包底吹氩，开始加入高硅硅锰与硅铁两种铁合金，不再使用其它复合脱氧剂。
脱氧低碳钢硅铝钡硅铁冶炼复合脱氧剂硅铁合金元素合金转炉出钢铁合金底吹氩硅钙钡合金化钢包高硅硅锰全程生产

[发明专利]湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺-CN201810355625.8在审
发明人：吉鑫;阮文娟;宫龙飞 -专利权人：苏州协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺。包括以下步骤：判断湿法黑硅硅片不良品的绒面结构是否合格，若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构合格，则采用步骤A；若湿法黑硅硅片不良品的绒面结构不合格，则采用步骤B；其中，步骤A包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱洗、纯水漂洗以及酸洗，以除去湿法黑硅硅片不良品表面的脏污，得到再处理之后的湿法黑硅硅片。其中，步骤B包括如下步骤：将湿法黑硅硅片不良品依次经碱抛光、金属沉积、金属诱导催化、金属祛除、扩孔、碱洗以及酸洗，得到再处理之后的湿法黑硅硅片。经过本发明的湿法黑硅硅片不良品的再处理工艺处理之后的湿法黑硅硅片减重较少，能够避免影响黑硅硅片后续使用。
硅片黑硅湿法不良品再处理绒面结构碱洗酸洗纯水漂洗工艺处理金属沉积金属诱导抛光减重扩孔脏污催化金属

[发明专利]用于锰铁生产的全热装生产线及生产工艺-CN201910540533.1有效
发明人：闫旻昊;霍志荣 -专利权人：宁夏森源重工设备有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C22B4/08 文献下载
摘要：本发明包括原料储存装置、锰矿焙烧装置、石灰焙烧装置、富锰渣冶炼装置、高硅硅锰合金冶炼装置、精炼电炉、摇包装置和水淬池，原料储存装置包括锰矿仓、煤粉仓、石灰石仓、硅石仓和焦炭仓，锰矿焙烧装置包括第一回转窑和第一配料机本发明通过设有石灰焙烧装置，能够保证石灰的活性，冶炼过程中，大量的石灰加入到炉内，缩短了石灰的成渣时间，大大减少电炉熔炼时间，提高电炉的热效率，同时通过预热和热装的方式组成全热式的生产线，解决了现有的锰铁生产线效率低和能耗高的问题
用于锰铁生产全热装生产线生产工艺

[实用新型]用于锰铁生产的全热装生产线-CN201920938841.5有效
发明人：闫旻昊;霍志荣 -专利权人：宁夏森源重工设备有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C22B4/08 文献下载
摘要：本实用新型包括原料储存装置、锰矿焙烧装置、石灰焙烧装置、富锰渣冶炼装置、高硅硅锰合金冶炼装置、精炼电炉、摇包装置和水淬池，原料储存装置包括锰矿仓、煤粉仓、石灰石仓、硅石仓和焦炭仓，锰矿焙烧装置包括第一回转窑和第一配料机本实用新型通过设有石灰焙烧装置，能够保证石灰的活性，冶炼过程中，大量的石灰加入到炉内，缩短了石灰的成渣时间，大大减少电炉熔炼时间，提高电炉的热效率，同时通过预热和热装的方式组成全热式的生产线，解决了现有的锰铁生产线效率低和能耗高的问题
用于锰铁生产全热装生产线

[发明专利]一种黑硅硅片表面纳米微结构的修正方法-CN201310738572.5有效
发明人：邹帅;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2013-12-28 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅硅片表面纳米微结构的修正方法，将清洗后的黑硅硅片扩散后，在扩散炉内，在干氧和大氮或者通入湿氧和大氮气氛中，于550℃～750℃退火氧化处理30～60min；然后清洗除去PSG，即完成黑硅硅片表面纳米微结构的修正修正后的黑硅硅片表面尖锐的纳米微结构变得圆钝，表面反射率上升1%～5%，结深为0.3～0.6微米；具有低的表面复合速率、高的开路电压，由其制备的黑硅太阳电池的光电转换效率提升了0.2%以上。
一种硅片表面纳米微结构修正方法

[发明专利]一种太阳能电池用N型多晶硅及其生产方法-CN201710044868.5有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司;张乐年
申请日： 2017-01-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本太阳能电池用N型多晶硅硅锭或者N型多晶硅硅片，表面上距离为L的两点之间的检测电阻率为检测值R，在N型多晶硅硅锭或者N型多晶硅硅片表面上任意两处检测值R的差值小于或者等于3％；本太阳能电池用N型多晶硅的生产方法包括备料本纸杯具有较高的强度和较好的防烫效果，本太阳能电池用N型多晶硅硅片或N型多晶硅硅锭的电阻率差值小，加工成的太阳能电池片可以集中分布在高光电转换效率的范围内，具有更高的光电转换效率。
一种太阳能电池多晶及其生产方法

[发明专利]一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法-CN201610509852.2有效
发明人：陈为为;张玉平;陈超;王鲁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C10/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法，属于硅钢表面处理技术领域。分别将作为阳极的硅钢片以及作为阴极的硅电极浸入数控电火花成型机的工作液槽的工作液中，阴极以及阳极分别与脉冲电源连接；打开电源后调节峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔，工作30～180s后关闭电源，从工作液中取出阳极并吹干，得到所述高硅硅钢片本发明所述方法生产效率高、成本低、安全环保且易实现规模化生产；所制备的高硅硅钢片中硅含量可达8～11wt％，具有很低的铁损和磁致伸缩系数。
一种利用电火花技术制备硅钢片方法

[发明专利]具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法-CN201010541492.7有效
发明人：陈哲艮 -专利权人：陈哲艮
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结；晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结本发明的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时，改善电池光电性能的一致性与稳定性。
具有同质异质结硅基双结太阳电池及其制备方法

[实用新型]具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池-CN201020603831.5有效
发明人：陈哲艮 -专利权人：陈哲艮
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结；晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米晶膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结本实用新型的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时，改善电池光电性能的一致性与稳定性。
具有同质异质结硅基双结太阳电池

[发明专利]一种等离子体刻蚀后的单晶体硅硅片的检测方法-CN201110359693.X无效
发明人：孙伟;贺建华 -专利权人：浚鑫科技股份有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的检测方法，用于确定等离子体刻蚀后的单晶硅硅片是否合格。本发明实施例方法包括：将等离子体刻蚀后的单晶硅硅片置于绝缘电阻测试仪中，开启绝缘电阻测试仪；读取绝缘电阻测试仪显示的单晶硅硅片的电阻值；根据单晶硅硅片的电阻值判断单晶硅硅片是否合格。本发明实施例中的方法能够有效的提高等离子体刻蚀后的单晶硅硅片的电阻值测量的准确率。
一种等离子体刻蚀单晶体硅片检测方法

[发明专利]一种高导热铝合金及其制备方法-CN201610720040.2在审
发明人：马鸿斌 -专利权人：马鸿斌
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热铝合金及其制备方法，按重量百分比由以下组分组成：硅硅9～9.5％％；镁0.35～0.55％；铁0.35‑0.55％；锰0.35‑0.5％；铜≤0.005％；硼0.01～0.02％；本发明与现有技术相比的优点是：本发明的铝钛合金具有流动性好、机械性能优异、导热系数高、耐腐蚀性良好、且机械加工性能好及原材料成本低等优点，可广泛用于电子、电气、通讯、机电行业；可有效保证发热器件的散热工作性能
一种导热铝合金及其制备方法

[发明专利]一种耐冲击细径自保护堆焊药芯焊丝-CN201110454433.0无效
发明人：胡为峰;蒋旻 -专利权人：北京赛亿科技股份有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B23K35/368 文献下载
摘要：其特征在于，所述的药芯成分质量百分含量范围如下：高碳铬铁：10～50%，钼铁：1～4%；高硅硅铁：1~4%；金属锰：8～14%；钒铁：25～35%；硼铁：2～6%；铌铁：5～8%；铝粉：2～5%；金红石
一种冲击径自保护焊药焊丝

[发明专利]一种高效铸锭的诱导长晶工艺-CN201310467019.2有效
发明人：李鹏廷;王峰;任世强;熊华江;谭毅;姜大川;黄佳琪;邵伟;刘燕 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：包括装料抽真空、加热熔化、诱导长晶、退火冷却，装料时，首先在方形石英坩埚底部平铺一层半圆柱状的单晶硅硅料，单晶硅硅料的矩形平面紧贴坩埚底上表面，且相邻单晶硅硅料紧密排布；方形石英坩埚内壁贴壁放置平滑的方形多晶硅硅料，贴满整个坩埚内壁，且保证方形多晶硅硅料之间没有间隙；在其余位置填充多晶硅碎料，最后上层放置方形多晶硅硅料；在熔化过程中，保证方形石英坩埚底部单晶硅硅料的温度低于1380℃。采用该工艺方法，通过半圆柱形单晶硅硅料诱导晶体长晶从而实现高效铸锭，使光电转换效率提高0.1%，节约生产成本5%以上。
一种高效铸锭诱导工艺

[发明专利]半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法-CN202210189426.0在审
发明人：张良;张景;周锡伟;周肃;龚道仁;徐晓华 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：半导体衬底层的处理方法包括提供单晶硅硅片的步骤、对所述单晶硅硅片的表面喷淋扩散液的步骤和对单晶硅硅片进行退火处理的步骤，还包括：在对单晶硅硅片的表面喷淋扩散液之前，对所述单晶硅硅片进行表面氧化处理，所述表面氧化处理用于增加所述单晶硅硅片的表面对所述扩散液的亲液性，以增加所述单晶硅硅片退火处理的均匀性。
半导体衬底处理方法太阳能电池制备

[发明专利]一种连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置-CN201710300501.5有效
发明人：龙琼;路坊海;罗咏梅;罗勋;李杨;凌敏;周登凤;黄芳;伍玉娇 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C25D15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置，包括制备改性铁‑硅颗粒，将其加入到镀铁电镀液中，对电解区施加强度为0.001～0.2T的磁场，采用纯铁薄带或低硅硅钢薄带为阴极，以纯铁片或低硅钢板为阳极，利用复合镀方法，在阴极薄带上镀覆一层硅含量大于10wt%的复合镀层；最后，将阴极薄带干燥后放入带保护气体的电炉中进行连续热处理扩散处理，得到平均硅含量为6.5Wt％且分布均匀的高硅硅钢薄带。
一种连续制备硅钢方法装置