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[发明专利]一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法-CN201410640940.7有效
发明人：胡合合 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法。本发明通过两步法形成多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的多晶氧化物薄膜层，克服了现有技术中需要在超高温退火，实现在现有的非晶氧化物薄膜晶体管阵列基板制备工艺制备多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板，不需要增加特殊设备和特殊工艺易于实现；同时不需要高温退火，也节降低了能耗。
一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]一种大体积高压氧化物单晶生长方法-CN201510068253.7在审
发明人：龙有文;杨俊叶;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种大体积高压氧化物单晶生长方法，所述大体积高压氧化物单晶生长方法包括常压下生长前驱体氧化物单晶；将所述前驱体氧化物单晶与氧源混合后进行高温高压固相反应改变化学组分和/或晶体结构，从而获得大体积目标氧化物单晶体，其中所述前驱体氧化物单晶和所述目标氧化物单晶均为过渡金属氧化物。本发明提出的大体积高压氧化物单晶生长方法克服了传统高温高压单晶生长尺寸过小的缺点。
一种体积高压氧化物生长方法

[发明专利]一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法-CN201410674269.8在审
发明人：吴伟豪;欧东尼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G05F3/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法，该系统包括：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，第一电压位准与第二电压位准相异，且第一电压位准低于电源电压，其中当P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，第一电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体，而当P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，第二电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体本发明还提供了一种抑制负偏压高温不稳定性的方法。藉此，本发明能够抑制金属氧化物半导体晶体管中的负偏压高温不稳定性，进而改善与提升电路效能。
一种抑制偏压高温不稳定性动态基体系统方法

[发明专利]一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法-CN200910151528.8无效
发明人：吴伟豪;欧东尼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明是有关于一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法，该系统包括：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，第一电压位准与第二电压位准相异，且第一电压位准低于电源电压，其中当P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，第一电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体，而当P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，第二电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体本发明还提供了一种抑制负偏压高温不稳定性的方法。藉此，本发明能够抑制金属氧化物半导体晶体管中的负偏压高温不稳定性，进而改善与提升电路效能。
一种抑制偏压高温不稳定性动态基体系统方法

[发明专利]氧化物高温超导体及其制备方法-CN02817489.5有效
发明人：森达雷桑·阿西娜拉亚南;伊原英雄 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2002-09-05 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了在介电常数低的晶体基质上形成结晶完整度高、结晶取向性优良的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体，以及制备这样的氧化物高温超导体的方法。在制造在晶体基质上形成有含有Ba作为其构成元素的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体的过程中，在蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质上形成由CeO₃组成的、用于减少蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层，在由CeO₃制成的第一缓冲层上形成由其中的Ba被Sr取代的所述氧化物高温超导材料组成的第二缓冲层，以便在第二缓冲层上形成氧化物高温超导体薄膜这样，即便用于减少蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层容易与氧化物高温超导体薄膜中的Ba发生界面反应，第二缓冲层也能防止该界面反应，由此能够外延生长出结晶完整度和结晶取向性均优良的氧化物高温超导体薄膜
氧化物高温超导体及其制备方法

[发明专利]复合氧化物材料和使用该材料的废气净化催化剂-CN201380061285.3有效
发明人：三浦真秀;森川彰;田边稔贵;熊谷直树;小西佳惠 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供高温下的稳定性更加优异的废气净化催化剂用储氧材料。根据本发明，提供一种复合氧化物材料，其特征在于，包含氧化铈-氧化锆复合氧化物的具有烧绿石结构的晶体粒子、和存在于所述粒子表面的氧化镧-氧化锆复合氧化物的具有烧绿石结构的晶体，该氧化镧-氧化锆复合氧化物的晶体的至少一部分在该氧化铈-氧化锆复合氧化物的晶体粒子表面固溶。本发明的复合氧化物材料中，氧化铈-氧化锆复合氧化物的烧绿石结构稳定化，抑制了与向萤石型结构的相变相伴的储氧能力的降低。
复合氧化物材料使用废气净化催化剂

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN99102772.8无效
发明人：横山宏明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-02 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在分配给双极型晶体管的第一有源区和分配给场效应晶体管的第二有源区上制造双MOS电路,因为高温热处理破坏了场效应晶体管的源/漏区的杂质面,在所述双极型晶体管形成后制造场效应晶体管,为隔开发射区和发射极,在淀积一厚硅氧化物层前用阻蚀层覆盖部分场氧化物层,即使从第二有源区之间的场氧化物层去除厚硅氧化物层,阻蚀层防止场氧化物层接触蚀刻剂,并且场氧化物层保持原始厚度,由此不让寄生MOS晶体管导通。
集成电路及其制造方法

[发明专利]一种氧化锆复合物纳米晶体材料的制备方法-CN200610067105.4有效
发明人：胡泽华 -专利权人：欧洲海赛有限公司
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锆复合物纳米晶体材料的制备方法。其包括水解成核、共沉复合、偶联处理及煅烧粉碎等步骤。利用本发明提供的氧化锆复合物纳米晶体材料的制备方法制成的氧化锆－镧或稀土氧化物的复合物纳米晶体粒径小于5纳米，并形成氧化锆－镧或稀土氧化物的真正固溶体，从而保证了氧化锆－镧或稀土氧化物复合物具有的晶相稳定性及热稳定性，即使在1050℃高温下经10小时烧结老化，其晶体粒径仍保持在20纳米以下，并且保持其固溶体特性。另外，由于氧化锆－氧化铈复合物纳米晶体中加入有铈元素，当其作为汽车尾气催化剂使用时具有必不可少的储氧性能及耐高温性能。
一种氧化锆复合物纳米晶体材料制备方法

[发明专利]印刷电路嵌入式电容器-CN200480037296.9无效
发明人：罗伯特·T·克罗斯韦尔;格雷戈里·J·杜恩;罗伯特·B·伦普科夫斯基;阿伦·V·通加雷;约维察·萨维奇 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01G4/20 文献下载
摘要：嵌入到印刷电路结构中的多个电容器之一包括：第一电极(415)，覆盖在印刷电路结构的第一衬底层(505)之上；晶体化介电氧化物核(405)，覆盖在第一电极之上；第二电极(615)，覆盖在晶体化介电氧化物核之上；以及高温抗氧化剂层(220)，位于晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个之间，并且同晶体化介电氧化物核与第一和第二电极中至少一个相接触。所述晶体化介电氧化物核的厚度小于1微米，电容密度大于1000pF/mm²。多个电容器中每个的材料和厚度都相同。晶体化介电氧化物核可与多个电容器中所有其他电容器的晶体化介电氧化物核相隔离。
印刷电路嵌入式电容器

[发明专利]基于流场温度测量的测温探头及测温系统-CN202110954477.3在审
发明人：吴锋;张雁;钱伟中;张志宏;杨彩琼;张世雅 -专利权人：中国航发四川燃气涡轮研究院;电子科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明公开了基于流场温度测量的测温探头及测温系统，属于测温技术领域，包括导热套管、荧光温敏材料层和耐高温氧化物晶体光纤，荧光温敏材料层设于导热套管内，耐高温氧化物晶体光纤与荧光温敏材料层接触；所述导热套管的导热率大于本发明采用耐高温氧化物晶体光纤，抗干扰能力强，且耐高温，能够适应强电场、强磁场的航空发动机宽跨度测温环境；采用导热率高的导热套管快速响应温度场的变化，实现对流场温度变化的追踪，进而实现复杂气流场温度高频响应，满足温度畸变高温升率等航空发动机特种试验温度测量需求。
基于温度测量测温探头系统

[发明专利]基于氧化物薄膜晶体管的像素结构、探测器及其制备方法-CN202011589422.9在审
发明人：李桂锋;金利波 -专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氧化物薄膜晶体管的像素结构、X射线探测器及其制备方法，像素结构包括：基板、氧化物薄膜晶体管、可见光传感器及辅助保护结构，辅助保护结构设置在氧化物薄膜晶体管上方与氧化物薄膜晶体管之间通过隔离层相隔开本发明通过引入辅助保护结构设计一种新型像素结构，可以有效保护薄膜晶体管器件，减少光电传感器成膜和高温制程等劣化薄膜晶体管的漏电流，减少后续制程对薄膜晶体管电性影响，可以有效改善可见光传感器制备中氢原子对氧化物薄膜晶体管的影响，实现氧化物薄膜晶体管低的漏电流和器件电性均匀性，扩大面板的工艺窗口和提升传感器工作可靠性。
基于氧化物薄膜晶体管像素结构探测器及其制备方法

[发明专利]热处理结晶化半导体氧化物的转印技术-CN202110822047.6在审
发明人：吴正科 -专利权人：吴正科
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种高温热处理并退火的结晶化半导体金属氧化物薄膜晶体管的低温转印技术方法。首先采用印刷工艺在转移板上印刷半导体金属氧化物图案。第二步将印有半导体金属氧化物图案的耐高温转移板放入加热退火炉中进行热处理，IGZO氧化物控制在600度左右。第三步，将涂胶的绝缘薄膜，如PET薄膜，和退火降温后的结晶化半导体金属氧化物图案贴合，转印到事先印好行扫描线和第一晶体管T1栅极导电图案的薄膜上，这个转印过程是颠倒逆反的，使原本涂胶薄膜在半导体金属氧化物图案上方，转印到在半导体金属氧化物下方。涂胶薄膜成为T1栅极的导电层和结晶化氧化物半导体层之间的绝缘层。
热处理结晶半导体氧化物技术

[发明专利]制造金属氧化物粉末或半导体氧化物粉末,氧化物粉末,固体的方法及其应用-CN03810549.7无效
发明人：伯纳德·塞罗尔;米歇尔·赛罗尔 -专利权人： W.C.贺利氏两合有限公司
申请日： 2003-05-07 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C01B13/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有很高导电率的毫微米(纳米)结构混合氧化物的制造方法，例如铟－锡－氧化物，还涉及氧化物粉末，固体以及该固体作为溅射靶的应用。该氧化物是当液体合金在炽热等离子体中被溅射时由合成反应所形成的。合成反应在极高温度下开始，随后是一种受控制的热状态，从而产生晶体机构，该晶体结构没有任何缺陷并且具有高的电荷迁移率。
制造金属氧化物粉末半导体固体方法及其应用

[发明专利]垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法-CN200910197889.6无效
发明人：黄小卫 -专利权人：上海元亮光电科技有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，涉及晶体生长新工艺，在泡生法的基础上，结合提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法的优点，包括提拉结构，在所述的提拉结构下与炉盖和炉膛相连通过创造一个可调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉，生产出大尺寸高温氧化物晶体。有益效果是利用最低的能耗和最低的成本制造出多种高品质高温氧化物晶体材料。
垂直温度梯度泡生法生长尺寸高温氧化物晶体方法

[发明专利]顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法-CN200910196349.6无效
发明人：黄小卫 -专利权人：上海元亮光电科技有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，涉及晶体生长新工艺，将泡生法、提拉法(CZ)、热交换法(HEM)、温梯法(TGT)和坩埚下降法结合在一起，创造一个可调节温度梯度和温场中心的特殊高温真空晶体炉、升温化料、洗籽晶、实时温场调节、提拉法下种、多次“缩径工艺”、提拉法“放肩工艺”、泡生法“等径工艺”、HEM热交换结合TGT技术等径生长(控径技术为CZ称重)、CZ法收尾&脱坩埚、退火，生产出大尺寸高温氧化物晶体有益效果是利用最低的能耗和最低的成本制造出多种高品质高温氧化物晶体材料制品。
顶部籽晶温度梯度生长尺寸高温氧化物晶体方法

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