专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低温制备PZT薄膜的方法-CN202310824620.6在审
  • 韩瑜 - 聚合电光(杭州)科技有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-09-29 - C01G25/00
  • 本发明公开了一种低温制备PZT薄膜的方法,属于功能材料技术领域。所述低温制备PZT薄膜的方法的步骤包括:(1)将铅源、燃料和氧化剂混合于溶剂中,加热反应后得到铅前驱体溶液;将锆源、燃料和氧化剂混合于溶剂中,加热反应后得到锆前驱体溶液;将钛源、燃料和氧化剂混合于溶剂中,加热反应后得到钛前驱体溶液;(2)将所述锆前驱体溶液,钛前驱体溶液,铅前驱体溶液按先后顺序混合均匀,得到PZT溶液,再经热解,退火,制得PZT薄膜。本发明提供的制备方法步骤简单,成本低廉,能够实现PZT薄膜的低温制备,且制得的PZT薄膜性能优异。
  • 一种低温制备pzt薄膜方法
  • [发明专利]一种含氟、锆废酸制备氟锆酸钾的方法-CN202310746624.7在审
  • 孙阳平;刘澈;翟建宇;杨光普 - 国核宝钛锆业股份公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-29 - C01G25/00
  • 本申请属于材料制备的技术领域,具体提出了一种含氟、锆废酸制备氟锆酸钾的方法,其特征在于,包括:将含氟、锆废酸液放入反应槽中,检测其体积和氢离子浓度;根据氟、锆废酸液的体积和氢离子浓度,计算氢氧化钾实际使用量;将片状氢氧化钾装入带有网孔的料框内;利用所述料框在所述含氟、锆废酸液中搅拌,得到初级混合液;将初级混合液过滤,得到固体氟锆酸钾。本申请提出的含氟、锆废酸制备氟锆酸钾的方法制备的氟锆酸钾成本较低,并充分回收了含氟、锆废酸,减少了环境污染,降低了生产成本,提高了经济效益。
  • 一种锆废酸制备氟锆酸钾方法
  • [发明专利]一种通过高压剪切制备ZrS2-CN202310925546.7在审
  • 武晓鑫;王颖健;贾洪声;张俊凯;刘艳清;郎集会;刘洋;马艳章 - 吉林师范大学
  • 2023-07-26 - 2023-09-29 - C01G25/00
  • 本发明公开了一种通过高压剪切制备ZrS2单斜结构P21/m相的方法,属于半导体材料的合成与制备领域。ZrS2常温常压条件下为三方结构的P3m1相,常温常压条件下称取适量的P3m1相ZrS2,放入双面顶旋转液压机砧面的中心位置,对原始样品进行加压,达到目标压力后将加压砧面旋转一定角度,对原始样品施加压力的同时施加剪切应力,卸压后取出后的样品即为单斜结构P21/m相的ZrS2。本发明对样品进行高压高剪切处理,可以在保持组分不变的情况下,制备出ZrS2单斜结构P21/m相,在室温下即可进行,而且不添加任何外加助剂,工艺简单,易于操作。
  • 一种通过高压剪切制备zrsbasesub
  • [发明专利]烧绿石/缺陷萤石锆酸盐-CN202211525827.5在审
  • A·森古普塔;M·纳亚克;S·库马;V·拉朱·S - 通用电气公司
  • 2022-11-30 - 2023-08-18 - C01G25/00
  • 提供一种组合物,其包含具有缺陷萤石结构或烧绿石结构的稀土掺杂的锆/铪氧化物。所述稀土掺杂的锆/铪氧化物具有下式:(Ln1aLn2aLn3aLn4aLn5b)2M2O7,其中,Ln1、Ln2、Ln3、Ln4和Ln5中的每一个是不同稀土元素,使得Ln1和M具有1.35~1.45的第一原子半径比,Ln2和M具有1.35~1.45的第二原子半径比,Ln3和M具有1.46~1.78的第三原子半径比,Ln4和M具有1.46~1.78的第四原子半径比;a为0.2或0.25;在a为0.2时b为0.2,在a为0.25时b为0;以及M是Zr、Hf或其混合物。还提供形成包含该组合物的涂层的方法以及所获得的涂层部件。
  • 烧绿石缺陷萤石锆酸盐
  • [发明专利]一种可控热膨胀材料MNF6-CN202310346261.8在审
  • 高其龙;张森;乔永强;史新伟 - 郑州大学
  • 2023-04-03 - 2023-07-18 - C01G25/00
  • 本发明属于热膨胀材料领域,公开一种可控热膨胀材料MNF6及其制备方法。其分子式为MNF6,具有对称晶体结构,室温下MNF6的晶体结构为立方相,空间群为Fm‑3m。制备步骤如下:将M源和N源按照摩尔比M∶N=1∶1混合,在密封条件下将M源和N源加热搅拌完全溶于氢氟酸溶液中,获得混合液,随后蒸发结晶得到前驱体;将前驱体粉末直接或压制成片后置于铜管或坩埚中,并在前驱体的上表面覆盖一层NH4F或NH4HF2粉末;将铜管或坩埚放入马弗炉中,CaTiF6的前驱体于200~400℃烧结1~6h,其它物质的前驱体于700~900℃烧结1~6h,冷却至室温,得可控热膨胀材料MNF6。本发明的热膨胀材料为单一相,不存在相变引起的材料性能受损问题,热膨胀区间为室温到400℃,跨过了室温的约束。
  • 一种可控热膨胀材料mnfbasesub

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