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[实用新型]一种低温沉积磁控溅射镀膜装置-CN201620666812.4有效
发明人：朱文廓;朱刚劲;朱刚毅 -专利权人：广东腾胜真空技术工程有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低温沉积磁控溅射镀膜装置，包括磁控靶和辅助电极，磁控靶设于基材的一侧或两侧，磁控靶的一侧或两侧设置辅助电极。其方法是在基材一侧设置磁控靶，在磁控靶外侧设置辅助电极，磁控靶对基材进行溅射镀膜时，通过辅助电极实施正偏压，利用异性相吸的原理，将溅射过程中产生的电子吸附到辅助电极表面，减少电子对基材表面的轰击，降低基材的温升
一种低温沉积磁控溅射镀膜装置

[发明专利]高温物料流率测量装置及其测量方法-CN201910941174.0在审
发明人：刘贤东;张扬;杨海瑞;张海;吕俊复;张缦;岳光溪 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G01F1/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温物料流率测量装置及其测量方法，该装置包括靶片、靶杆、应变传感器和采控装置等。靶杆选用空心杆状结构，靶片和应变传感器分别设置在靶杆两端。靶杆和靶片伸入待测高温物料通道，并将靶杆的另一端与其壁面固定连接。高温物料对靶片形成冲击使得靶片产生变形；通过应变传感器检测并将形变量信号传递到采控装置，得到靶杆在高温物料冲击力F作用下的形变量ε，通过公式
高温物料靶杆靶片应变传感器采控装置公式计算形变量传感器测量空心杆状结构流率测量装置高温环境机械传动信号传递扰动片形成壁面对靶流率伸入受力冲击力变形检测

[发明专利]一种利用非平衡磁控溅射技术制备Fe-Si薄膜的方法-CN201910152980.X有效
发明人：章嵩;魏耕;涂溶;王传彬;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高
一种利用平衡磁控溅射技术制备 fe si 薄膜方法

[发明专利]磁控源和磁控溅射设备-CN201110343552.9有效
发明人：李杨超;刘旭 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控源及具有该磁控源的磁控溅射设备。磁控源包括：靶材；位于靶材上方的磁控管；和与所述磁控管相连以控制所述磁控管在所述靶材上方移动的扫描机构，其中扫描机构包括：驱动器、驱动轴和主动齿轮、连杆、从动轴和从动齿轮、凸轮、导轨、滚轮、和弹性件。根据本发明实施例的磁控源，通过调整驱动轴与从动轴之间的距离，在磁控管绕凸轮运动时可以调整磁控管在靶材外围和中心处的扫描速度，从而可以提高靶材外圈的刻蚀深度，可以降低薄膜沉积时颗粒产生，提高薄膜均匀性和靶材利用率此外，根据本发明实施例的磁控源具有结构稳定、传动平稳、操作简单的优点，因此增加了其实用性。
磁控源磁控溅射设备

[发明专利]一种用胃肠镜检查麻醉靶控智能化方法与系统-CN202310577194.0在审
发明人：张加强;谭熠;杨长壮;卞汉道 -专利权人：深圳市威浩康医疗器械有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A61M5/142 文献下载
摘要：本发明提供了一种用胃肠镜检查麻醉靶控智能化方法与系统，其方法包括：S1：监测患者的脑电信号，并基于脑电信号获得患者的监测数据；S2：基于监测数据确定出患者的伤害敏感指数和脑电意识指数，基于伤害敏感指数和脑电意识指数计算出患者对目标麻醉药的抑制程度；S3：基于抑制程度确定出患者的镇静深度临界点和镇痛深度临界点，基于镇静深度临界点确定出失去知觉临界点；S4：基于实时镇静深度和实时镇痛深度以及失去知觉临界点，实时调节注射泵的泵速；用以基于计算出患者对目标麻醉药的抑制程度，并结合镇静深度和镇痛深度临界点，准确确定出失去知觉临界点，实现了对注射泵速的智能化调节，提高了靶控输注的适应性和灵活性。
一种胃肠检查麻醉智能化方法系统

[实用新型]一种真空镀膜设备-CN202120018467.4有效
发明人：闫志强 -专利权人：张家口柔电表面技术有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种真空镀膜设备，涉及真空镀膜相关技术领域；包括镀膜箱和操作屏，镀膜箱前端下部设置有进出门，镀膜箱内部装配有磁控靶、放置台和供电器，磁控靶底部设置有对准头；放置台包括安装座、镀膜限位箱和镀膜板；镀膜箱一侧设置有放气阀，另一侧连接有第一连接管，第一连接管下部的右端连接有第二连接管，第一连接管的下端固定连接有扩散泵，且扩散泵的下端内部设置有加热丝，并且加热丝的下端通过电性连接有加热器，加热丝的右侧贯穿连接有第三连接管，且第三连接管和第二连接管的右侧均连接有第四连接管，第四连接管的右端固定连接有机械泵。
一种真空镀膜设备

[发明专利]平面磁控阴极-CN201410629538.9在审
发明人：薛辉;任俊春;金海涛 -专利权人：芜湖真空科技有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面磁控阴极，该平面磁控阴极包括：核体，所述核体上嵌有磁体，所述磁体上设置有一个通道；铜板，所述铜板密封所述通道；靶材，所述靶材由多个靶块拼接形成，且固接于所述铜板。本发明的平面磁控阴极可以防止热膨胀。
平面阴极

[发明专利]磁控溅射装置-CN202011442580.1在审
发明人：李育智 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁控溅射装置，包括设置于腔室内的靶材以及与所述靶材相对设置的待溅射基板；所述靶材为柔性氧化物靶材。在所述腔室中还设置有磁控组件和转动件，其中所述磁控组件用于产生磁场；所述转动件用于带动所述靶材运动。由于在溅射时，所述转动件能够带动所述靶材移动，从而提高氧化物薄膜的成膜均匀性和靶材的利用率。
磁控溅射装置

[实用新型]一种新型高靶材利用率的矩形磁控靶-CN202221195551.4有效
发明人：李春伟;姜雪松 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高靶材利用率的矩形磁控靶，属于溅射镀膜技术领域。一种新型高靶材利用率的矩形磁控靶，包括真空箱、伺服电机以及调节机构，所述真空箱内部上方设置有基片，所述真空箱内部下方设置有磁场箱，所述磁场箱设置在基片正下方，所述磁场箱内部上方设置有三个导磁块与两个靶材；本实用有效的解决了现有的矩形磁控靶磁场分布不均匀，使得靶材利用率较为低下，并且磁场都是固定的，不能够根据使用需求，对磁场的强度进行改变的问题。
一种新型高靶材利用率矩形磁控靶

[实用新型]大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶-CN95219498.8无效
发明人：郑世民;范毓殿;李云松 -专利权人：郑世民
申请日： 1995-01-24 - 公布日： 1996-11-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜机所用的大回路闭合溅射轨迹的柱状磁控靶。该柱状靶的靶材为圆管，靶材两端置有N极板和S极板，靶管内部的空腔为水冷通道，中间置有N极靴、N极片、S极靴、S极片和永磁体。本实用新型设计的柱状磁控靶采用平行靶材的轴向的磁路系统，使溅射区与靶管轴向平行且形成大回路闭合溅射轨道，使溅射区沿靶管轴向均匀刻蚀，提高靶材利用率和镀膜均匀性。
回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶

[实用新型]大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶-CN95200005.9无效
发明人：郑世民;范毓殿;李云松 -专利权人：郑世民
申请日： 1995-01-24 - 公布日： 1996-07-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜机所用的大回路闭合溅射轨迹的柱状磁控靶。该柱状靶的靶材为圆管，靶材两端置有N极板和S极板，靶管内部的空腔为水冷通道，中间置有N极靴、N极片、S极靴、S极片和永磁体。本实用新型设计的柱状磁控靶采用平行靶材的轴向的磁路系统，使溅射区与靶管轴向平行且形成大回路闭合溅射轨道。使溅射区沿靶管轴向均匀刻蚀，提高靶材利用率和镀膜均匀性。
回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶

[发明专利]用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法-CN201810226135.8有效
发明人：朱嘉琦;杨磊;杨振怀;陈学儒;郭帅;高岗;夏菲;代兵 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。
溅射磁控溅射系统沉积膜层修补磁控靶挡板组件真空室自吸式辉光磁控靶组件结构件表面挡板大型平面镀膜修复取下系统外界环境运动带动左右运动靶支杆抽真空挡板轴功能件结构件万向节镀膜膜层屏蔽起辉起皮永磁遮挡

[发明专利]基于阳极技术的DLC镀膜装置-CN201711132455.9有效
发明人：王向红;黄志宏;郎文昌;高斌 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阳极技术的DLC镀膜装置，包括真空腔、旋转工件架、旋转电弧靶、旋转磁控靶、进气系统、抽真空系统、加热系统和电源系统，所述真空腔接地，所述电源系统包括磁控溅射电源、电弧电源、偏压电源、第一接触器、第二接触器、第三接触器和第四接触器；偏压电源的阴极连接旋转工件架上工件，通过第一接触器连接偏压电源的阳极和旋转电弧靶，通过第二接触器连接偏压电源的阳极和旋转磁控靶；磁控溅射电源的阴极连接旋转磁控靶，通过第三接触器连接磁控溅射电源的阳极和旋转电弧靶；电弧电源的阴极连接旋转电弧靶，通过第四接触器连接电弧电源的阳极和旋转磁控靶。
接触器旋转磁控靶阳极偏压电源旋转电弧阴极磁控溅射电源电弧电源旋转工件架电源系统阳极技术真空腔抽真空系统加热系统进气系统接地上工件

[实用新型]一种地面靶标异常行为管控系统-CN202122115232.X有效
发明人：张振;侯改红;富谦 -专利权人：洛阳邦达科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H04W4/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种地面靶标异常行为管控系统，涉及军事训练领域，包括靶标管控系统，所述靶标管控系统连接端连接有无线通信模块和异常监控模块，所述无线通信模块连接端连接有固定靶、移动靶，起倒靶、地堡靶和机器人靶，所述异常监控模块连接端连接有位置监控单元、起伏监控单元，姿态监控单元和速度监控单元，所述位置监控单元具体为GPS定位器，所述位置监控单元用于检测各个靶标的位置信息，并将位置信息发送给靶标管控系统。本实用新型通过设置异常监控模块，异常监控模块可以实时监控各个靶标的情况，将信息通过无线通信模块发送给靶标管控系统，靶标管控系统发送到可视化显示模块上进行显示，方便工作人员进行观察。
一种地面靶标异常行为系统

[实用新型]新型磁铁自动往复磁控平面靶-CN202023320993.0有效
发明人：王伟平;王金泉;王菊姿 -专利权人：莱糸真空科技（常州）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了新型磁铁自动往复磁控平面靶，涉及磁铁技术领域，为解决现有的新型磁铁自动往复磁控平面靶使用时结构复杂，不方便进行安装的问题。所述平面靶座上方的外部安装有安装边板，所述平面靶座上方的内部安装有高效平面磁体安装座，所述高效平面磁体安装座两端的外部均安装有安装板块，所述安装边板下方的内部安装有固定块，所述高效平面磁体安装座的内部设置有磁控槽，所述磁控槽的内部安装有高效平面磁体。
新型磁铁自动往复平面