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[发明专利]具有非晶质炭膜的网版印刷用孔版及其制造方法-CN201180026554.3有效
发明人：涩泽邦彦;佐藤刚;木津克夫 -专利权人：太阳化学工业株式会社
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： B41N1/24 文献下载
摘要：本发明提供具有DLC膜等非晶质炭膜、且在该非晶质炭膜上的至少一部分固定性良好地设置有疏水·疏油层的网版印刷用孔版。具有：固定于框体(12)的筛网(16)，填充于筛网(16)且形成有印刷图案开口部(18)的乳剂层(14)，形成于印刷图案开口部(18)的内壁(22)的表面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一种元素的非晶质炭膜层，设置于该非晶质炭膜层上的至少一部分的含有氟的硅烷偶联剂薄膜层(20)。
具有非晶质炭膜印刷用孔版及其制造方法

[发明专利]含氢非晶质硬质碳被覆构件及其制造方法-CN201180006495.3有效
发明人：辻胜启 -专利权人：株式会社理研
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：在获得表面比较平滑的含氢非晶质碳被膜构件中，在含氢非晶质碳被膜中同样地分散非晶质的碳微粒，从而在维持平滑的表面与被膜整体硬度的同时提高耐缺失性。具体而言，通过将由电弧放电从电弧式蒸发源的碳阴极放出的微粒取入被膜中，从而在含氢非晶质碳被膜中同样地分散非晶质的碳微粒。
含氢非晶质硬质被覆构件及其制造方法

[发明专利]锂离子电池、负极材料及负极材料加工方法-CN201711467928.0在审
发明人：刘金峰;马磊;吴琪;刘尚;郝国明;梁光;张龙波 -专利权人：石家庄尚太科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池负极材料的加工方法，通过先将非晶质炭前驱体进行粗碎处理得到非晶质炭前驱体粗粉，再将粗粉依次进行干燥、粉碎、整形处理，之后将整形后的非晶质炭前驱体细粉在惰性气体保护下加入改性剂进行改性处理，得到改性后非晶质炭进行石墨化处理，最终制得锂离子电池负极材料，充电快，电容量大，电化学性能优异；数据显示，本发明加工方法制得的锂离子电池负极材料的首次放电比容量在340mAh/g以上，45℃高温循环寿命大于
非晶质锂离子电池负极材料炭前驱体负极材料加工粗粉首次放电比容量惰性气体保护高温循环寿命电化学性能石墨化处理锂离子电池改性处理数据显示整形处理电容量改性剂整形粗碎改性细粉充电

[发明专利]一种新型金属掩膜版的制造方法-CN202310452929.7在审
发明人：蔡宗宏;倪惠敏 -专利权人：黄石全洋光电科技有限公司;全洋（上海）材料科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及金属掩膜版技术领域，提出了一种新型金属掩膜版的制造方法，利用熔炼或粉末冶金合成的方式来制备非晶质合金靶胚，将金属靶胚利用焊合方式制成非晶质合金靶材后，放入PVD设备中，并在金属掩膜版表面沉积非晶质合金膜层，在沉积了非晶质合金膜层之后，利用含非晶质合金镀膜膜层的金属掩膜版，放在PECVD设备进行SiOx、SiNx、SiNOx等生产工艺，在SiOx、SiNx、SiNOx等镀膜沉积后，PECVD设备系统利用NF3、SF6、Cl2等气体进行等离子体清洗，利用等离子体清洗工艺来完成系统及金属掩膜版附着薄膜的清洗，使得附着有非晶质合金膜层镀膜保护层的金属掩膜版在腐蚀性的等离子体清洗工艺中，具有一定的耐腐蚀性。
一种新型金属掩膜版制造方法

[发明专利]非晶质硅膜的形成方法-CN201710201313.7有效
发明人：崔暎喆 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶质硅膜的形成方法，并且包括如下步骤：沉积步骤，在腔室内的基板上沉积非晶质硅膜；后处理步骤，为了改善所述非晶质硅膜的蚀刻速率或者表面粗糙度，利用等离子体激活后处理气体，在所述非晶质硅膜上部表面部执行后处理
非晶质硅膜形成方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板-CN201710267543.3有效
发明人：杨昕 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板，其中，所述低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层；其中，所述膜质参数包括折射率参数和/或导热系数参数；对所述多层具有不同膜质参数的非晶硅层进行脱氢处理；以及对脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理，形成低温多晶硅薄膜。本发明实施例通过沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层，不同膜质参数的非晶硅折射率、导热系数不同，有利于在晶化过程中形成大尺寸晶粒，使得有源层低温多晶硅的晶界较少，可减小薄膜晶体管导通时的漏电流，提高薄膜晶体管的电性能
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管显示面板

[发明专利]非晶质硬质碳被膜-CN200680048148.6有效
发明人：诸贯正树;松井崇;内海庆春;大原久典 -专利权人：株式会社理研;日本I·T·F株式会社
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种几乎不含有氢、实际上只包含碳的、与基质材料密合性优良的，高硬度且耐磨损性也优良的非晶质硬质碳被膜。所述非晶质硬质碳被膜由以下构成，即，在基质材料表面上形成的实际上只包含碳的第1非晶质硬碳层，和在第1非晶质硬质碳层表面上形成的实际上只包含碳的第2非晶质硬质碳层；从断面观看时，第1非晶质硬质碳层的透射型电子显微镜像比第2非晶质硬质碳层的透射型电子显微镜像明亮。
非晶质硬质碳被膜

[发明专利]非晶质硅膜的结晶方法-CN200410057765.5有效
发明人：柳明官;李镐年;朴宰徹;金亿洙;孙暻锡;李俊昊;权世烈 -专利权人：京东方显示器科技公司
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种在玻璃基板或塑料基板等非晶质基板上形成单晶Si膜的方法。其是在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源的照射而结晶的非晶质硅膜的结晶方法。其对像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，对所述多晶内的晶粒中的任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。本发明因为不必使非晶质硅膜的全部区域结晶，而仅将必要的部分通过单晶硅膜结晶，所以在提高像素部和外部电路部用的TFT特性的同时可确保均匀度。
非晶质硅膜结晶方法

[发明专利]钻针的表面镀膜方法与镀膜钻针-CN200810094602.2无效
发明人：林玉雪 -专利权人：林玉雪
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C16/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种钻针的表面镀膜方法与镀膜钻针，其中钻针的表面镀膜方法包括以下步骤：提供一钻针；清洁钻针的表面，并对钻针加热；在钻针的表面形成一附着膜；在附着膜的表面形成一混合膜；以及在混合膜的表面形成一非晶质类钻石膜利用该镀膜方法制作的镀膜钻针包含上述的钻针、附着膜、混合膜与非晶质类钻石膜。其中，混合膜的成分包括一非晶质类钻石材料与附着膜所含的成分，在混合膜中，越远离钻针处，非晶质类钻石材料的含量越高。
表面镀膜方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN200380108533.1有效
发明人：西和夫;高山彻;后藤裕吾 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2
半导体器件及其制作方法

[发明专利]光伏装置-CN201280029337.4有效
发明人：大钟章义;角村泰史 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏装置，其具备：半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面或背面的i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）上的p型非晶质层（12p）或n型非晶质层（16n），i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
装置

[发明专利]非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法-CN200680007481.2有效
发明人：岛根幸朗;井上一吉;松原雅人;田中信夫;笘井重和;矢野公规;松崎滋夫 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法。近年来，各种显示装置已被活跃地引入OA设备中，结果显示装置均具有用透明导电膜将显示元件夹入的结构。作为该透明导电膜，ITO膜现在已占了主流，但ITO膜由于在蚀刻中使用强酸，具有对配线产生损害的问题，进行了在低温下使ITO膜进行非晶成膜从而使其可以在弱酸下蚀刻的尝试，但存在在非晶状态下电阻增高等问题。本发明通过使用以下的非晶质透明导电膜作为非晶质透明导电膜等，解决了上述问题：在采用X射线散射测定求出的矢径分布函数(RDF)中，将原子间距离为0.30nm～0.36nm间的(RDF)的最大值记为A，将原子间距离为
非晶质透明导电制造方法

[发明专利]导电膜用原材料、导电膜层叠体、电子仪器及它们的制造方法-CN201280023895.X无效
发明人：吉冈和久;富田伦央;森野正行 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种能得到具有结晶性、且厚度和薄膜电阻处于良好的范围内的结晶性透明导电膜的导电膜用原材料。导电膜用原材料(1)包括透明基材(2)、第一非晶质层(4)和第二非晶质层(5)。这里，第一非晶质层(4)层叠在透明基材(2)上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成。第二非晶质层(5)层叠在第一非晶质层(4)上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成，且锡的以氧化物换算的含量与所述第一非晶质层(4)中的锡的以氧化物换算的含量不同。
导电原材料层叠电子仪器它们制造方法

[发明专利]自对准双重成像技术-CN202010324843.2在审
发明人：杨然富;张弛;邓娟娟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及自对准双重成像技术，涉及半导体制造技术，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成非晶半导体条形结构，并形成第一介质层，第一介质层覆盖在非晶半导体条形结构的顶部表面、侧面以及非晶半导体条形结构之间的硬掩膜层表面；对第一介质层进行全面刻蚀并形成由仅位于非晶半导体条形结构的侧面的第一介质层组成的侧墙；形成第二介质层，第二介质层覆盖非晶半导体条形结构、侧墙和硬掩膜层的顶部表面以及侧墙的侧面；进行以侧墙为停止层的平坦化工艺；以及去除侧墙并形成由第二介质层和非晶半导体条形结构组成的图形，而由侧墙形成沟渠，沟渠之间结构组成图形，而实现小沟渠大线宽的图案，且沟渠宽度可调。
对准双重成像技术

[发明专利]光伏装置-CN201280029397.6有效
发明人：矢野步;大钟章义 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。
装置

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