专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种抗爬电高能离子模块-CN202210251497.9在审
  • 陈玉明 - 嘉兴本泰环保科技有限公司
  • 2022-03-15 - 2022-05-17 - H01T23/00
  • 本发明公开了一种抗爬电高能离子模块,属于离子净化器技术领域,旨在提供一种抗爬电且能自动消除凝露的高能离子模块,包括基座、安装板、离子管、隔离组件,隔离组件包括隔离管头、密封垫、隔离座及隔离垫片,隔离管头与离子管连接,隔离座插接于安装板上,且隔离座和隔离垫片分别置于安装板两侧,密封垫置于隔离管头和隔离座之间,隔离管头、隔离座及隔离垫片连接并固定于安装板上,隔离管头、隔离座及隔离垫片均由陶瓷构成。
  • 一种抗爬电高能离子模块
  • [发明专利]离子阱质谱仪的离子隔离方法、系统及介质-CN202111573135.3在审
  • 薛兵;孙露露;路同山;胡波;唐朝阳;王玉涵;罗勇;李飞;陈延龙 - 上海裕达实业有限公司
  • 2021-12-21 - 2022-04-22 - H01J49/02
  • 本发明提供一种离子阱质谱仪的离子隔离方法、系统及介质,涉及质量分析技术领域,包括:离子引入步骤:打开离子阱的离子门,将质谱仪的后端盖置于预设电位,捕捉离子离子囚禁步骤:关闭离子门,捕捉的离子稳定在离子阱中心区域;离子隔离步骤:根据正电压所占DDS数量和/或隔离时间,获取母离子质荷比m/z、隔离质量数范围以及母离子隔离效率值中的任一种或任多种;隔离冷却步骤:将离子置于预设值处,根据预设隔离冷却时间对离子进行冷却;离子清空步骤:在离子阱电极上施加预设占空比,完成离子清空。本发明硬件要求低,通过调节数字矩形波主射频的占空比,就可在离子阱中产生等效的“四极直流”,无需额外高精度高稳定性的硬件直流电路。
  • 离子质谱仪隔离方法系统介质
  • [实用新型]一种抗爬电高能离子模块-CN202220563735.5有效
  • 陈玉明 - 嘉兴本泰环保科技有限公司
  • 2022-03-15 - 2022-08-16 - H01T23/00
  • 本实用新型公开了一种抗爬电高能离子模块,属于离子净化器技术领域,旨在提供一种抗爬电且能自动消除凝露的高能离子模块,包括基座、安装板、离子管、隔离组件,隔离组件包括隔离管头、密封垫、隔离座及隔离垫片,隔离管头与离子管连接,隔离座插接于安装板上,且隔离座和隔离垫片分别置于安装板两侧,密封垫置于隔离管头和隔离座之间,隔离管头、隔离座及隔离垫片连接并固定于安装板上,隔离管头、隔离座及隔离垫片均由陶瓷构成。
  • 一种抗爬电高能离子模块
  • [发明专利]一种用厚膜介质作为隔离的场致发射显示结构-CN201210082091.9有效
  • 张永爱;郭太良;周雄图;叶芸;胡利勤;曾祥耀 - 福州大学
  • 2012-03-27 - 2012-07-25 - H01J29/02
  • 本发明提供了一种用厚膜介质作为隔离的场致发射显示结构及其制作方法,场致发射显示结构由阴极基板和阳极基板组成,所述的阴极基板和阳极基板之间设有厚膜介质隔离隔离设置于阴极基板的玻璃基底上,隔离与玻璃基底牢固粘在一起成一整体隔离在水平方向和竖直方向上均匀间隔排列,在水平和竖直方向上相邻隔离之间的距离均为10-50mm。所述的场致发射显示结构有二极结构、三极结构和多极结构。本发明可以实现场致发射显示结构所用的隔离图形化,避免了制作隔离时的复杂安装工艺,解决了隔离放置存在对位不准的问题,并且使原来分立的隔离装配问题得到了解决,降低工艺难度,增加器件性能的稳定性。
  • 一种用厚膜介质作为隔离发射显示结构
  • [发明专利]电感耦合等离子体装置及半导体薄膜设备-CN202210002453.2有效
  • 余先炜;田才忠;林保璋 - 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
  • 2022-01-05 - 2022-04-08 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种电感耦合等离子体装置及半导体薄膜设备,该电感耦合等离子体装置包括:等离子体装置本体和隔离盖板,隔离盖板盖设于等离子体装置本体上;隔离盖板包括:隔离盖板本体;凸起结构,设置于隔离盖板本体朝向电感耦合等离子体装置腔室内的内侧面上;凸起结构与隔离盖板本体同轴设置,以使得隔离盖板中心的厚度大于隔离盖板边缘的厚度。本发明通过在电感耦合等离子体装置的隔离盖板朝向腔室内侧的一面增加凸起结构,在不改变电感耦合等离子体装置的天线等装置的情况下,改变电感耦合等离子体装置腔室内的电场强度分布,进而通过磁场强度分布的调整来使得腔室内的等离子体径向分布的均匀性
  • 电感耦合等离子体装置半导体薄膜设备
  • [发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201510532179.X有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2015-08-26 - 2019-07-02 - H01L21/336
  • 一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供有离子注入区和非离子注入区的半导体衬底,离子注入区的半导体衬底具有鳍部;形成位于鳍部两侧的半导体衬底表面的过渡隔离结构,过渡隔离结构的整个表面低于鳍部的顶部表面且高于待形成的目标隔离结构表面;形成过渡隔离结构后,形成覆盖非离子注入区的离子注入阻挡层,离子注入阻挡层暴露整个离子注入区;以离子注入阻挡层为掩膜,采用第二离子注入在离子注入区的过渡隔离结构中注入第二离子,且使得第二离子扩散进入过渡隔离结构侧部的鳍部中;然后去除离子注入阻挡层;去除离子注入阻挡层后,去除部分过渡隔离结构,形成目标隔离结构。
  • 场效应晶体管形成方法
  • [发明专利]隔离结构的形成方法-CN201610536767.5有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-07-08 - 2020-03-10 - H01L21/3105
  • 一种隔离结构的形成方法,包括:提供基底,基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部;在相邻鳍部之间的衬底上形成初始隔离层,初始隔离层覆盖鳍部;去除第一厚度的初始隔离层形成过渡隔离层;在凸出于过渡隔离层的鳍部侧壁上形成阻挡层;以阻挡层为掩膜对过渡隔离层进行离子掺杂工艺,掺杂离子为刻蚀抑制离子;去除阻挡层;去除阻挡层后,去除第二厚度的过渡隔离层形成隔离结构。本发明在凸出于过渡隔离层的鳍部侧壁上形成阻挡层后,以阻挡层为掩膜对过渡隔离层进行离子掺杂工艺,掺杂离子为刻蚀抑制离子,避免凸出于过渡隔离层的鳍部和过渡隔离层的拐角处,隔离结构具有足部,从而使隔离结构的顶部形貌趋于平面
  • 隔离结构形成方法
  • [实用新型]炉头及电焰灶-CN201921200185.5有效
  • 卢驭龙 - 深圳驭龙电焰科技有限公司
  • 2019-07-26 - 2020-05-19 - F24C7/06
  • 本实用新型公开了一种炉头,包括底座、安装于底座的离子针、与底座相连且环绕离子针设置的隔离罩,以及安装于隔离罩的顶部且用于与锅接触的支撑环;底座开设有适配于隔离罩的隔离槽,隔离罩安装于隔离槽内,隔离罩与隔离槽的内壁相抵接将隔离罩选为绝缘罩,底座选为绝缘座,因此离子针与隔离罩及底座之间均不易于产生高压拉弧,不会将离子针处的高压引导至底座及隔离罩处,也即不会将离子针处的高压引导至边缘处,进而有效避免了将离子针处的高压引导至炉头的外部,实现了对炉头内的高电压的初步隔离隔离罩以嵌入的方式安装于隔离槽内,进而增加了炉头内的高压通过爬电的方式向外传播,进一步对炉头内的高压进行隔离
  • 电焰灶

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