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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置-CN202110515612.4在审
发明人：宾真户;权日荣;权兑烘;金锡周;卢秀珍;卢英辰;朴宰吾;吴镇镐;刘东哲;尹在珍;李修炫;全唯一 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：隧道绝缘层，其设置在导电图案和沟道层之间；数据储存层，其设置在导电图案和隧道绝缘层之间，该数据储存层包括氮化硅层；第一阻挡绝缘层，其设置在导电图案和数据储存层之间；第二阻挡绝缘层，其设置在导电图案和第一阻挡绝缘层之间；以及含碳层，其设置在位于隧道绝缘层和数据储存层之间的位置、位于第一阻挡绝缘层和数据储存层之间的位置、位于隧道绝缘层中的位置、以及位于第一阻挡绝缘层和第二阻挡绝缘层之间的位置当中的至少一个位置处
半导体存储器装置

[发明专利]垂直非易失性存储器设备-CN202211211466.7在审
发明人：黄斗熙;金泰勋;裵敏敬;尹那瑛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种垂直非易失性存储器设备，包括：存储器堆叠结构，包括栅极线和层间绝缘层，以及在堆叠方向上延伸的沟道孔；沟道层，在沟道孔中并且在堆叠方向上延伸；以及信息存储结构，包括从栅极线到沟道层在水平方向上顺序地布置的复合阻挡绝缘层、电荷存储层和隧穿绝缘层，其中，复合阻挡绝缘层包括介电常数高于氧化硅的金属氧化物，并且复合阻挡绝缘层包括在栅极线的侧面上的第一阻挡绝缘层以及在第一阻挡绝缘层和电荷存储层之间并且氧化密度低于第一阻挡绝缘层的第二阻挡绝缘层
垂直非易失性存储器设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011201365.2在审
发明人：孙金萍;赵亮;王文峰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成绝缘层；蚀刻部分位于第二区域的绝缘层，第一区域上的绝缘层构成第一绝缘层，第二区域上剩余的绝缘层构成第二绝缘层，第二绝缘层背离衬底一侧的表面低于第一绝缘层背离衬底一侧的表面；形成覆盖第一绝缘层第一阻挡层和覆盖第二绝缘层的第二阻挡层，第二阻挡层的厚度大于第一阻挡层的厚度；蚀刻第一阻挡层、部分第二阻挡层和第一绝缘层，以在第一绝缘层内形成通孔，并在第二阻挡层中形成孔段；去除第一阻挡层和第二阻挡层
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种防绝缘层脱落的封口机-CN202221347514.0有效
发明人：朱泽春;赵宏远 -专利权人：杭州九阳小家电有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B65B51/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防绝缘层脱落的封口机，属于包装技术领域，目的在于克服现有封口机存在较大安全隐患的缺陷。一种防绝缘层脱落的封口机，包括机座和盖设在所述机座上的盖体，所述机座上设有发热丝，所述发热丝上粘接绝缘层，所述机座上设有阻挡筋，所述阻挡筋阻挡在所述绝缘层的侧边。阻挡筋能够阻挡用户的手指或其他物件接触到绝缘层的侧边，避免手指或物件从绝缘层的侧边嵌入到绝缘层下方使得绝缘层起翘，有效防止绝缘层脱落，避免绝缘层外露而产生安全隐患。
一种绝缘脱落封口机

[发明专利]包括阻挡层的半导体器件-CN202010391931.4在审
发明人：洪京一;金英铉;朴正桓;吴世忠;李正敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结(MTJ)结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。
包括阻挡半导体器件

[发明专利]具有阻挡绝缘层的电荷捕获存储装置及其制造方法-CN200810009419.8无效
发明人：崔相武;李孝锡;薛光洙;朴祥珍;李银河 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：根据示例实施例的电荷捕获存储装置可包括设置在基底上的隧穿绝缘层。电荷捕获层可设置在隧穿绝缘层上。阻挡绝缘层可设置在电荷捕获层上，其中，阻挡绝缘层可包含镧系元素(例如，镧)。阻挡绝缘层还可包含铝和氧，其中，镧系元素与铝的比率可以大于1(例如，大约1.5至大约2)。电荷捕获存储装置还可包括设置在电荷捕获层和阻挡绝缘层之间的缓冲层和设置在阻挡绝缘层上的栅电极。
具有阻挡绝缘电荷捕获存储装置及其制造方法

[发明专利]电容器及其制造方法-CN01102908.0有效
发明人： K·伯恩斯泰恩;N·T·施米德特;A·K·斯坦珀;S·A·斯堂格;S·H·沃尔德曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-02-06 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：该电容器结构包括第一绝缘层；第一、二导电线，配置在第一绝缘层中并由沟槽分隔；第一导电阻挡层；第二绝缘层；第二导电阻挡层；第三导电线，在沟槽中并覆盖第二导电阻挡层。该方法包括在互连级淀积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一、二导电线；腐蚀第一绝缘层，形成沟槽；在第一、二导电线和沟槽上淀积第一导电阻挡层；在阻挡层上淀积第二级间绝缘层；进而淀积第二导电阻挡层；再形成第三导电线
电容器及其制造方法

[发明专利]印刷电路板、电子组件嵌入式基板及其制造方法-CN202110690603.9在审
发明人：黄美善;张俊亨;罗炳德 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：所述印刷电路板包括：第一绝缘层；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上；阻挡层，设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；腔，穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的一者；以及第一布线层，与所述阻挡层至少部分地接触所述阻挡层的模量低于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个的模量。
印刷电路板电子组件嵌入式及其制造方法

[发明专利]具有可变电阻结构的三维半导体器件-CN202210311980.1在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：在一个实施方式中，一种半导体器件包括：衬底、第一位线、第一隧道绝缘层、可变电阻结构、第二隧道绝缘层、第二位线、阻挡绝缘层和字线，其中所述第一位线设置在衬底上，所述第一隧道绝缘层设置在第一位线上，所述可变电阻结构设置在第一隧道绝缘层上并且具有柱状结构，所述第二隧道绝缘层设置在可变电阻结构的上表面上，所述第二位线设置在第二隧道绝缘层上，所述阻挡绝缘层设置在可变电阻结构的侧壁表面上，所述字线设置在阻挡绝缘层上。所述阻挡绝缘层的介电常数大于第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层中的每一个的介电常数。
具有可变电阻结构三维半导体器件

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202111500828.X在审
发明人：李才文;覃事建 -专利权人：惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括柔性衬底和晶体管层，晶体管层设置于柔性衬底上；其中，柔性衬底包括第一有机绝缘层、第一阻挡层、第二有机绝缘层和第二阻挡层，第一阻挡层设置于第一有机绝缘层上，第一阻挡层远离第一有机绝缘层的一侧设置有若干凹槽，凹槽的厚度占第一阻挡层的厚度的25％‑55％，第二有机绝缘层设置于第一阻挡层上，且延伸入凹槽中，第二阻挡层设置于第二有机绝缘层上。在第一阻挡层设置凹槽，避免柔性衬底在弯折的过程中出现破裂的问题，从而提高显示面板的性能。
显示面板及其制备方法

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202111588402.4在审
发明人：韩在贤;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：沟道层；栅电极，其与沟道层间隔开；阻挡绝缘层，其位于栅电极与沟道层之间；隧道绝缘层，其位于沟道层与阻挡绝缘层之间；以及纳米颗粒，其在隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间彼此间隔开。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]存储器装置、存储器装置的制造方法及操作方法-CN202210167966.9在审
发明人：徐文植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：该存储器装置包括：交替层叠的层间绝缘层和导电层；垂直孔，其被配置为穿过交替层叠的导电层和层间绝缘层；第一阻挡层，其沿通过垂直孔暴露出的层间绝缘层形成；以及第二阻挡层，其沿通过垂直孔暴露出的导电层形成，并且每个第二阻挡层的厚度大于每个第一阻挡层的厚度存储器装置还包括：电荷俘获层，其形成在与层间绝缘层相同的层上，并且由第一阻挡层和第二阻挡层围绕；隧道绝缘层，其沿第二阻挡层和电荷俘获层的内壁形成；以及沟道层，其沿隧道绝缘层的内壁形成。
存储器装置制造方法操作方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN200910196934.6有效
发明人：王琪 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，其中互连结构包括：衬底；形成在衬底表面的金属布线层；形成在金属布线层表面的第一阻挡层；形成在第一阻挡层表面的第一层间绝缘层；形成在第一层间绝缘层表面的第二阻挡层；形成在第二阻挡层表面的第二层间绝缘层；形成在第二层间绝缘层表面的保护层；形成在第一阻挡层和第一层间绝缘层内的并暴露出部分金属布线层的接触孔；形成在第二阻挡层、第二层间绝缘层和保护层内并暴露出部分第一层间绝缘层和部分金属布线层的沟槽。
互连结构及其形成方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN200910057970.4无效
发明人：王琪 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，其中互连结构包括：衬底；形成在衬底表面的金属布线层；形成在金属布线层表面的第一阻挡层；形成在第一阻挡层表面的第一层间绝缘层；形成在第一层间绝缘层表面的第二阻挡层；形成在第二阻挡层表面的第二层间绝缘层；形成在第二层间绝缘层表面的保护层；形成在第一阻挡层和第一层间绝缘层内的并暴露出部分金属布线层的接触孔；形成在第二阻挡层、第二层间绝缘层和保护层内并暴露出部分第一层间绝缘层和部分金属布线层的沟槽。
互连结构及其形成方法

[发明专利]三维半导体存储器装置、包括其的电子系统及其制造方法-CN202310031721.8在审
发明人：安素荣;延国贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：半导体存储器装置可包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的电极层和电极层间绝缘层；竖直半导体图案，其穿过堆叠结构，并且布置为邻近于衬底；以及栅极绝缘层，其在竖直半导体图案与堆叠结构之间。栅极绝缘层可包括邻近于堆叠结构的阻挡绝缘层和电荷存储图案，电荷存储图案与堆叠结构间隔开同时阻挡绝缘层介于它们之间，并且沿着阻挡绝缘层的表面布置。随着与阻挡绝缘层相距的距离减小，电荷存储图案的宽度可增大。
三维半导体存储器装置包括电子系统及其制造方法

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