“键合点金铝”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2311542个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用原位粘接技术提高集成电路中键合质量的方法-CN202010011138.7有效
发明人：张超超;谌帅业;周东;商登辉;刘思奇;熊涛;房迪;李阳;阳永衡;董晶 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种用原位粘接技术提高集成电路中键合质量的方法，该方法是在需要键合的导带上，直接采用导电粘接剂接高纯铝片；通过原位粘接方式在该处粘接一块独立的具有可粘接性的高纯铝片，从而获得导带上的键合区域铝平面，从而形成键合处的铝铝键合，即硅铝丝‑导带上铝键合点键合，从根本上避免金铝键合，从而提高混合集成电路中的键合系统质量。本发明的方法杜绝了金铝键合的界面问题造成的整款集成电路的功能失效；以及在金铝键合的界面处也容易发生金原子向铝层中扩散，从而在界面处形成空洞，极大地弱化键合系统的问题。适用于集成电路需要取消金铝键合的导带键合场合。
一种原位技术提高集成电路中键合质量方法

[发明专利]一种大功率场效应晶体管铝-金键合过渡片的制备方法-CN201310207891.3有效
发明人：谢忠平;李宗宇 -专利权人：江西联创特种微电子有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种大功率场效应晶体管铝-金键合过渡片的制备方法，所述铝-金键合过渡片的制备方法包括以下步骤：（1）铝片材料的选择及清洗；（2）将铝板的一面蒸上金；（3）合金化处理，增强金层和铝的欧姆接触；（4）根据要求切割成不同规格的过渡片材料铝-金键合过渡片用于高纯铝丝键合时，将铝-金键合过渡片的金钛合金面（4）通过焊料（3）焊接在镀金芯柱的镀金层（2）上；在铝-金键合过渡片的铝面（11）上焊接高纯铝丝（1）。本发明制备的铝-金键合过渡片用于高纯铝丝键合,可以消除铝-金键合产生的金属间化合物和科肯达尔效应带来的不利影响，不会影响引线的键合强度和导通电阻。本发明适用于大功率场效应管引线键合。
一种大功率场效应晶体管金键合过渡制备方法

[发明专利]一种解决SMD管壳键合点金铝系统的方法-CN202011011326.6在审
发明人：马建军;程梦莲;白艳;郭俊波;刘智慧 -专利权人：锦州七七七微电子有限责任公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种解决SMD管壳键合点金铝系统的方法，其特征是包含步骤如下：制作铜铝过渡片；在SMD管壳的芯片粘片区和键合点位置分别放置对应尺寸的铅铟银焊料片，在位于芯片粘片区的铅铟银焊料片上放置所需的芯片，在位于键合点的铅铟银焊料片上放置切割好的铜铝过渡片；将SMD管壳与芯片和铜铝过渡片放入共晶焊炉内焊接；焊接结束后通入氮气开始降温冷却，待温度降到70度以下时，打开共晶焊炉腔室门，取出焊接好的器件。该方法解决了SMD管壳键合点铝丝键合时的金铝系统问题；具有稳定性好、重复性好、均匀性好、成品率和可靠性高的特点；工艺合理、操作简单，适合工业化生产，大大提高了军工产品的质量可靠性和使用寿命。
一种解决 smd 管壳键合点金铝系统方法

[发明专利]具有金包覆层的金银铝铜合金复合键合丝及其制造方法-CN201711384356.X在审
发明人：周振基;周博轩;于锋波;彭政展;麦宏全 -专利权人：汕头市骏码凯撒有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种具有金包覆层的金银铝铜合金复合键合丝，其特征在于包括芯线和包覆在芯线外面的金包覆层；所述芯线按重量计含有Ag 10‑30%，Al 5‑10%，Cu 2‑200 ppm，余量为金；所述金包覆层的厚度为本发明还提供上述具有金包覆层的金银铝铜合金复合键合丝的一种制造方法。本发明的金银铝铜合金复合键合丝打线作业窗口（window）较大，可提升线材在焊点B点的强度，有效改善线材的抗老化能力与抗氧化能力，且成本较低。
覆层金包铝铜合金复合键芯线线材焊点抗氧化能力打线作业抗老化重量计包覆制造

[实用新型]高可靠厚膜混合集成电路键合系统-CN200920125720.5有效
发明人：苏贵东;杨成刚;周正钟;殷坤文 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了高可靠厚膜混合集成电路键合系统，它是间接键合的系统，包括陶瓷衬底(1)、管脚(2)、芯片(3)和厚膜基片(4)，厚膜基片(4)由4个金导带(5)和1个阻带(6)构成，芯片(3)固定在第2金导带(5)之上；当管脚(2)端面镀镍时，第1金导带(5)上有镍或铝键合区(7)，芯片(3)上有铝键合区(8)，第4金导带(5)上有多层过渡性薄膜(9)，各个键合区用硅铝丝(10)键合，管脚(2)与基片之间用硅铝丝(10)键合；当管脚(2)端面镀金时，第1金导带(5)上有由金键合区(11)和镍或铝键合区(7)所形成双键合区，芯片(3)上有铝键合区(8)，第3金导带(5)上有多层过渡性薄膜(9)，各键合区用硅铝丝(10)键合，管脚(2)与基片用金丝(12)键合。
可靠混合集成电路系统

[发明专利]一种封装打线的键合方法-CN201910969417.1有效
发明人：高峰;戴伟峰 -专利权人：闳康技术检测（上海）有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装打线技术领域，公开了一种封装打线的键合方法，包括如下步骤：S1，在铝电极的待键合区域涂抹导电胶；S2，在金线的端部压设多个凹槽；S3，将金线设置有凹槽的端部埋设在导电胶内，并与铝电极抵紧；S4，通过超声波加热金线、铝电极以及导电胶，使导电胶固化，并使金线与铝电极键合；S5，截断多余的金线，采用导电胶保证铝电极与金线之间的电连接，由凹槽增加金线与导电胶之间的接触面积，从而提升金线与铝电极之间键合的稳定程度，不易脱键，可靠性高。
一种封装方法

[实用新型]高可靠同质键合系统多芯片组件-CN201220683229.6有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了高可靠同质键合系统多芯片组件，它具有多芯片组件的底座、管脚、多层陶瓷基片、片式元件、半导体芯片、阻带，片式元件、半导体芯片、阻带均集成在多层陶瓷基片的表面；不同的是，多层陶瓷基片的表面还集成有平整的金导带/金键合区，该键合区表面有一层淀积的铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；多层陶瓷基片顶层表面上的所有键合区表面平整;半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚镀镍端面与基片之间采用金丝键合。本多芯片组件的金键合区表面一次性抛光整平，同步提高了基片与管脚端面金-金键合的可靠性;改善厚膜金导带键合区与硅铝丝的键合性能，提高了多芯片组件长期充分可靠的能力和批量生产性。
可靠同质系统芯片组件

[发明专利]提升金铝键合长期可靠性的方法-CN201410725307.8在审
发明人：杨兵;张国华 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升金铝键合长期可靠性的方法，特征是采用溅射阻挡层TiW和电镀焊接层金的方式将芯片铝焊盘结构改变成金焊盘结构（溅射阻挡层TiW阻挡了铝焊盘与金球之间形成金铝焊接界面，在阻挡层TiW的表面电镀焊接层金形成金焊接表面），将金铝异种金属键合焊接界面改变成金金同种金属键合焊接界面，彻底解决了金铝异种金属键合导致的集成电路器件的长期可靠性问题。本发明能够适用于5″、6″、8″或12″的任意一类尺寸，该类圆片中可包含铝层结构的任意尺寸的芯片。
提升金铝键合长期可靠性方法

[发明专利]多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法-CN201210533083.1有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法，该方法在原有工艺的厚膜电阻修调并测试完毕后，增加金厚膜键合区表面局部化学机械抛光工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。
芯片组件同质系统质量一致性改进方法

[发明专利]一种长距离跨平面键合金线连接方法-CN202210321124.4在审
发明人：毛俊程;席东学;赵椿芳;黄芳;王振兴;潘祖凯;沈建宏;程顺昌;孔风连 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本申请涉及空间应用技术领域，具体而言，涉及一种长距离跨平面键合金线连接方法，包括如下步骤：步骤1：选择金线，对金线进行检验测试，选择出合适的金线；步骤2：将金线的一端在质量块中心位置进行键合，形成第一键合点；步骤3：使用牵引工装吸附牵引金线，使金线的另一端穿过上电极板的中心孔；步骤4：调整金线的长度和弧度；步骤5：将金线的另一端在固定块表面进行键合，形成第二键合点；步骤6：使用胶液对第一键合点和第二键合点的脖颈处进行加固，完成长距离跨平面键合金线连接。本申请实现了金线在静电悬浮加速度计敏感结构内高可靠连接，满足空间探测设备环境试验要求，通过静电吸附手段，达到金线无损牵引。
一种长距离平面合金连接方法

[发明专利]提高厚膜混合集成电路同质键合系统批量生产性的方法-CN201210535642.2有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了提高厚膜混合集成电路同质键合系统批量生产性的方法，该方法选择由有机纤维制成的旋转式抛光垫，贵金属抛光液，通过旋转式抛光机对整个金导带及键合区进行整体抛光；然后进行电阻浆料印刷、烧结和调阻；接着用机械掩模的方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在处理后的厚膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片间采用金丝键合，即实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。
提高混合集成电路同质系统批量生产性方法

[发明专利]改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法-CN201210537316.5有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法，该方法在原有工艺的基础上，增加厚膜键合区表面整平工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在厚膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。
改善混合集成电路同质系统质量一致性方法

[发明专利]硅金键合方法-CN200610135263.9无效
发明人：孙道恒;吕文龙;王凌云;刘益芳;吴德志 -专利权人：厦门大学
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：硅金键合方法，涉及一种硅金键合方法。提供一种可提高硅金键合晶片的键合品质，基于硅基多孔氧化铝的新型MEMS器件硅金键合方法。步骤为采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜：用电子束蒸发方法在硅片上制备一层厚度1.0～1.5μm的铝膜，一次氧化后用6wt％的磷酸和1.8wt％的铬酸混合液去除一次氧化膜，再二次氧化后用5wt％的磷酸进行扩孔处理；制备键合晶片：将2片硅片放入键合器，烘干后在N₂保护下退火得键合晶片。硅金键合晶片的键合强度由1.78MPa提高到3.03MPa，晶片的键合品质得到显著提高；而晶片的断裂界面没有发生什么变化，说明基于AAO的硅金键合晶片依然遵循硅金键合晶片的断裂特性。
硅金键合方法

[发明专利]一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法-CN201510267705.4有效
发明人：沈文江 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法，包括：在第一基片的键合面上形成第一金图案层；在第二基片的键合面上形成凸点图案层；在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层；将所述第一基片的键合面与所述第二基片的键合面对准并固定，以进行键合。本发明使用了在金属薄膜底层增加凸点图案层，此凸点图案层不仅降低了键合对准精度，同时也增强了键合过程中的接触力，可以大大提高键合质量。
一种基于 au in 等温凝固低温方法

[发明专利]一种多晶串联LED用微细银金合金键合线的制造方法-CN201410530083.5有效
发明人：曹军;范俊玲;杨雪梅;李科;张跃敏;吕长春 -专利权人：河南理工大学;焦作大学;河南优克电子材料有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C22F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶串联LED用微细银金合金键合线的制造方法，该银金合金键合线材料的各成分重量百分含量是：Au35-55wt%，Ce0.3-0.5wt%，Ag余量。其制造方法包括：（1）银金合金键合线坯料的冶炼与连铸；（2）银金合金杆的拉制；（3）银金合金线的中间热处理。本发明改善普通银金合金键合线的烧球偏球及变尖现象，提高银金合金键合线的抗腐蚀性能，解决了多晶串联LED，其键合点尺寸较小，键合过程中第一焊点球形不规则极易导致焊点短路、键合强度下降等缺陷。
一种多晶串联 led 微细合金键合线制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条