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[发明专利]碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法-CN201910905550.0有效
发明人：白平平;童培云;沈文兴;朱刘;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。本发明以聚丙烯酰胺和炭黑为碳源，在聚丙烯酰胺胶体形成过程中，使锗锑碲粉体和炭黑悬浮于溶液中，促进炭黑与锗锑碲粉体充分混合，解决了现有掺碳锗锑碲靶材中碳颗粒结块导致掺杂不均匀的问题。
掺杂锗锑碲相变制备方法

[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片-CN202210591840.4在审
发明人：束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片，包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列；所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱，所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构，所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同；所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。本发明在红外波段可以实现反射型窄带滤光片，并且滤光片的工作波长可以通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲复合纳米阵列调谐红外窄带滤光

[发明专利]一种从碲锗硫系玻璃废料中回收碲和锗的方法-CN202110447998.X有效
发明人：谢小林;殷亮 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从碲锗硫系玻璃废料中回收碲和锗的方法，该方法包括如下步骤：1）破碎磨细：将碲锗硫系玻璃废料破碎磨细；2）氧化沉碲：将碲锗硫系玻璃废料与NaOH溶液浆化，加入双氧水进行控电位氧化沉碲，得到碲精矿和含锗浸出液；3）一次沉锗：对含锗浸出液进行两步沉锗，第一步加硫酸，得到一次锗精矿；4）二次沉锗：对一次沉锗后液进行二次沉锗，加入三氯化铁溶液，实现Fe3+/Ge4+共沉淀，得到二次锗精矿；5）深度处理：二次沉锗后液排入污水处理车间进行深度处理。
一种碲锗硫系玻璃废料回收方法

[发明专利]一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法-CN202310661181.1在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法

[发明专利]沉积Ge－Sb－Te薄膜的方法-CN200610111535.1有效
发明人：李正旭;赵炳哲;李起薰;徐泰旭 -专利权人：株式会社整合制程系统
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供沉积锗－锑－碲薄膜的方法，其包含：锗－锑－碲薄膜形成步骤，其将包含锗、锑和碲中任一者的第一前驱体、包含锗、锑和碲中另一者的第二前驱体以及包含锗、锑和碲中其他一者的第三前驱体馈入安装晶片的反应室中并从反应室中净化，且在所述晶片上沉积所述锗－锑－碲薄膜；以及反应气体馈入步骤，其在馈入第一到第三前驱体中的任一者时馈入反应气体。
沉积 ge sb te 薄膜方法

[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法-CN201080016720.7在审
发明人：尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克;斯特凡·乌伦布罗克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成具有锗和碲的相变材料的方法，其包括将含锗材料沉积于衬底上。所述材料包括呈元素形式的锗。使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。本发明还揭示其它实施方案。
形成相变材料方法存储器电路

[发明专利]一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法-CN202210857713.4在审
发明人：徐明;王俊钦;罗霄;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
一种基于相变原理赫兹调制器及其制备方法

[发明专利]一种碲化锗的制备方法-CN202310709896.X在审
发明人：文崇斌;朱刘;童培云;谢小林 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于材料制备领域，公开了一种碲化锗的制备方法。包括以下步骤：将锗块和碲块在真空条件下加热反应得到碲化锗；所述加热反应的条件为：在480~500℃保温1~2小时；在750~800℃保温1~3小时。本发明将锗块和碲块在真空条件下通过设置两段加热反应即可得碲化锗，方法简单易行，设备要求低，生产成本低，易于大批量生产。
一种碲化锗制备方法

[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法-CN201810186807.7在审
发明人：尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克;斯特凡·乌伦布罗克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成具有锗和碲的相变材料的方法，其包括将含锗材料沉积于衬底上。所述材料包括呈元素形式的锗。使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。本发明还揭示其它实施方案。
相变材料相变存储器电路气态前体元素形式衬底锗材料移出沉积流动申请

[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法-CN201410083360.2有效
发明人：尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克;斯特凡·乌伦布罗克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C16/28 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成具有锗和碲的相变材料的方法，其包括将含锗材料沉积于衬底上。所述材料包括呈元素形式的锗。使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。本发明还揭示其它实施方案。
形成相变材料方法存储器电路

[发明专利]基于硅掺杂碲化锗的选通管器件及其制备方法-CN202310371857.3在审
发明人：饶毅恒;苏锦;王浩;马国坤;万厚钊;余明珠 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于选通管器件技术领域，公开了一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，从下至上依次为：底电极，转换层，顶电极；底电极的材料为Pt，转换层的材料为硅掺杂的碲化锗薄膜，顶电极的材料为Ti；转换层中硅和碲化锗的摩尔比为1:40~50；本发明还公开了上述基于硅掺杂碲化锗的选通管器件的一种制备方法。本发明适用于制备基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，经硅掺杂碲化锗的选通管器件具有Forming‑free特性，由于免除了Forming过程选通管器件的稳定性和耐受性都得到改善。
基于掺杂碲化锗选通管器件及其制备方法

[发明专利]一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法-CN201810369025.7有效
发明人：张伟;王疆靖;田琳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。
锗锑碲辐照晶化电子束辐照电镜样品非晶薄膜诱导晶化过程衬底制备电学性能测试微观结构表征预处理晶粒辐照区域结构性能晶体结构实时观测相变材料性能测试平整研究

[发明专利]一种基于碲锗化铬可饱和吸收体的亮暗孤子光纤激光器-CN202111584576.3在审
发明人：张晗;张华年;杨伟华;张文飞;姜守振;尚新新;程帅 -专利权人：台州同合激光科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明是一种基于碲锗化铬可饱和吸收体的亮暗孤子光纤激光器，由泵浦光源和激光谐振腔构成，其中激光谐振腔依次包括波分复用器、掺铒光纤、偏振控制器、偏振无关隔离器、单模光纤、可饱和吸收体、输出耦合器，所述可饱和吸收体为碲锗化铬可饱和吸收体本发明采用液相剥离法及旋涂法制备碲锗化铬可饱和吸收体，该方法先将碲锗化铬粉末加入到的酒精中，以制备碲锗化铬分散液。再将所得分散液置于超声波清洁器中超声处理，产生少层碲锗化铬纳米片。然后，将碲锗化铬分散液和聚乙烯醇溶液以体积比为1：1的混合，经超声处理后，得到均匀的碲锗化铬‑聚乙烯醇溶液。然后将得到的分散溶液旋转涂在培养皿上，将培养皿放入30℃的干燥箱中10小时干燥后形成碲锗化铬‑聚乙烯醇膜。碲锗化铬具有良好的非线性吸收特性，这将促进其在超快调制器件领域的广泛应用潜力。
一种基于碲锗化铬可饱和吸收体孤子光纤激光器

[发明专利]一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用-CN202010806609.3在审
发明人：张伟;王疆靖;周宇星;王旭东 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。
一种基于锗锑碲 iv 族碲化物交替堆垛多层相变薄膜及其应用

[发明专利]一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用-CN202310951409.0在审
发明人：姚力军;潘杰;廖培君;黄东长;张怡忠 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲相变靶材及其制备方法与应用，所述锗锑碲相变靶材的制备方法包括如下步骤：锗锑碲合金粉经装模处理、真空热压烧结处理以及机加工处理，得到所述锗锑碲相变靶材；所述真空热压烧结处理包括依次进行的第一加压处理本发明直接采用锗锑碲合金粉进行真空热压烧结，将真空热压烧结处理过程分为多级加压、升温及保温保压阶段，制得的锗锑碲相变靶材的内部组织结构优异，致密度与纯度较高，能够达到相变存储器对存储介质的要求。
一种锗锑碲相变及其制备方法应用

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