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[发明专利]一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器-CN202111501669.5有效
发明人：阴玥;齐浩博;张润寰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器，所述新型光电忆阻器自下而上依次包括：硅衬底、钨电极层、氧化锌层、聚乙烯基咔唑层和铝电极。本发明能够在传统PVK光电忆阻器的基础上，引入具有高稳定性和高电子迁移率的氧化锌功能层，以提高PVK光电忆阻器的稳定性和可重复性。
一种基于 pvk zno 结构新型光电忆阻器

[发明专利]一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法-CN201910063212.7有效
发明人：李阳;王文晓;岳文静;张春伟 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS2/ZnS界面，其在施加偏压下，硫空位能够容易地从MoS2漂移到ZnS中，形成硫空位导电通道，使器件进入低阻态；当施加相反偏压时，硫空位重新漂移回到MoS2，导电通道断裂，使器件回到高阻态，同时，本发明采用的惰性电极阻止了硫空位进入顶电极，大幅度改善了忆阻器的重复性。
一种二硫化钼硫化锌功能结构忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于铟铝锌氧化物的神经形态忆阻器、制备方法及设备-CN202310113309.0在审
发明人：钱凯;许艺萌;冯先进;徐伟东;韩旭 -专利权人：山东大学;山东大学深圳研究院;山东大学苏州研究院
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于忆阻器技术领域，针对传统忆阻器材料的电阻转变性能单一，并且缺少对器件稳定性调控的问题，提供了一种基于铟铝锌氧化物的神经形态忆阻器、制备方法及设备。其中，神经形态忆阻器包括由下到上依次设置的衬底、底电极、介质层和顶电极，所述顶电极和底电极用于分别连接正向电压和负向电压，所述介质层为铟铝锌氧化物层。该忆阻器制备工艺简单，阻变性能变化小，一致性、循环次数和维持时间优良。本发明可以通过更换电极来实现透明忆阻器件的制备，在光电应用领域具有重要潜力，同时在不同的电极选取下具有非易失性和易失性两种阻变特性，可模拟生物的突触可塑性和生物的痛觉感受器功能，在实现类脑神经形态计算中具有重要前景
基于铟铝锌氧化物神经形态忆阻器制备方法设备

[发明专利]氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统-CN202310141346.2在审
发明人：李阳;吴彤;钱凯;姚钊 -专利权人：济南大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统，其中氧化钨基忆阻器的制备方法，包括以下步骤：氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极；钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层；氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变层上生长得到氧化铟镓锌薄膜，形成第二阻变层；银靶通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。使忆阻器的性能稳定，制备工艺简单，重复性高，薄膜均一性良好，通过改变制备参数和测试参数，便于实现多级阻态调控以及忆阻行为的调制，基于此忆阻器搭建的目标跟踪系统能够实现类脑突触仿生功能，可广泛应用于模拟人脑实现更高级别的认知功能
氧化钨基忆阻器制备方法目标跟踪系统

[发明专利]一种忆阻器的制备方法-CN202210539237.1在审
发明人：郭欣;陈蔓汝;彭雪;吕燕飞;席俊华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器的制备方法，现有技术中不同结构和工艺制备的氧化锌基忆阻器性能差别较大，性能不好。本发明首先在硅基底热蒸镀金电极，然后在金电极表面制备磷化亚铜薄膜，接着在磷化亚铜表面制备氧化锌薄膜，最后在氧化锌薄膜表面蒸镀银电极。本发明随着电压升高，阻值由低阻向高阻的转变，反向施加电压后，再由高阻态恢复到低阻态，开关电压0.3‑0.4V，功耗低，开光比大，器件稳定性高。
一种忆阻器制备方法

[发明专利]一种叠层结构氧化物忆阻器及制备方法和电子计算机-CN202310939502.X在审
发明人：蒋艳平;冯健豪;白粉蕓;朱建元;唐新桂;刘秋香;唐振华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及一种叠层结构氧化物忆阻器及制备方法和电子计算机；本申请提供的叠层结构氧化物忆阻器包括三明治构型的第一氧化铪/掺杂5w％～10w％铪的氧化锌/第二氧化铪复合薄膜为阻变复合层，掺杂5w％～10w％铪的氧化锌的插入能够增大阻变复合薄膜内的氧空位浓度，促进导电细丝的形成，使忆阻器处于低电阻状态，形成较粗氧空位导电细丝的初始化电压仅为1.2V～1.6V，从而解决现有技术中过渡金属氧化物忆阻器存在的初始化电压较大
一种结构氧化物忆阻器制备方法电子计算机

[发明专利]一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法-CN202110775166.0有效
发明人：明建宇;陈雨婷;姚鸿巍;解令海;凌海峰 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
一种功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种数字识别忆阻器及其制备方法-CN202210270381.X在审
发明人：李阳;王娅琪;徐蕾;王文晓;张春伟;岳文静;高嵩;阚皞 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法，所述数字识别忆阻器包括：底电极、介质层和顶电极；其中，所述介质层位于所述底电极和顶电极之间，所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结，所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上与现有多用于存储型的忆阻器相比，本公开所述方案具有的制备简单，微观形貌特殊，具有模拟人脑突触的功能，实现于手写体数字识别，制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力，为未来的新兴计算机体系提供了基础。
一种数字识别忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化锌的忆阻器及其制备方法和在制备神经突触仿生器件中的应用-CN201811172694.1有效
发明人：闫小兵;王宫;任德亮 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化锌的忆阻器及其制备方法和在制备神经突触仿生器件中的应用，所述忆阻器的结构从下到上依次包括FTO衬底、在所述FTO衬底上形成的ZnO中间介质层以及在所述ZnO中间介质层上形成的W电极层本发明提供的基于氧化锌的忆阻器是使用了宽带隙氧化物ZnO优化器件性能，在特定厚度下和制备工艺条件下，其仿生性能表现良好，具有模拟神经不应期行为的能力，且功耗降低，易于制备，使忆阻器模拟生物神经突触的可塑性性能应用前景更为广阔
一种基于氧化锌忆阻器及其制备方法神经突触仿生器件中的应用

[发明专利]一种可模拟突触可塑性和动作电位的忆阻器结构及其制备方法-CN202210187434.1在审
发明人：曾飞;虞俊纬;万钦;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可同时模拟突触可塑性和动作电位的忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括由下至上依次设置的基片、底电极、忆阻功能层和顶电极，忆阻功能层为氧化物薄膜，氧化物薄膜的材质为氧化铪、氧化钽、氧化锆、氧化锌、氧化铝、氧化铌、氧化钒、氧化钨、氧化钼和氧化镍中至少一种，忆阻功能层的厚度为本发明不用改变材料和制作工艺，只需要改变信号输入模式，就可以通过一种忆阻器件同时模拟生物神经元的突触权重改变和动作电位发放的两种主要功能，有利于大规模推广，简化构造人工神经网络和类脑芯片的制备工艺。
一种模拟突触可塑性动作电位忆阻器结构及其制备方法

[发明专利]一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法-CN202310434895.9在审
发明人：廖武刚;陈晓佩;包国成;庞宇东;王雄锋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法，涉及微电子器件制备技术领域。该忆阻器包括由下至上依次设置的衬底、底电极、氧化铟层、金属氧化物混合掺杂层和顶电极，所述的金属氧化物混合掺杂层的材料选自氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化锌、氧化铊中的多种。本发明通过设置氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层，两者协同作用使得制备的忆阻器具有优良的阻变性能和高稳定性的非易失性。本发明在保持简单的工艺步骤的前提下制备出了性能优秀且稳定的忆阻器。
一种氧化金属氧化物混合掺杂忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于忆阻器的火焰强度检测系统及检测方法-CN202210646819.X在审
发明人：文常保;许莉;张军龙;马启龙;茹锋;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01J5/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的火焰强度检测系统，包括电压转换模块、红外传感器模块、忆阻器模块和忆阻器电压取值放大模块；所述电压转换模块依次与红外传感器模块和忆阻器模块组成回路，所述忆阻器电压取值模块与忆阻器模块相连接；所述忆阻器模块包括由n个正向忆阻器组成的正向忆阻器组和由n个反向忆阻器组成的反向忆阻器组，其中，正向忆阻器与反向忆阻器串联连接构成一组反向串联忆阻器，共得到n组反向串联忆阻器，且该n组反向串联忆阻器并联构成并联结构本发明不需要后期的运算电路或者处理器，实现了对火焰强度大小的测量，适用于火焰燃烧强度大且不稳定情况下长时间的持续测量，功耗低，测量范围大，结构简单。
一种基于忆阻器火焰强度检测系统方法

[发明专利]忆阻器电压与电流关系的确定方法、装置和终端设备-CN201710993687.7在审
发明人：王晓霞;魏进武 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种忆阻器电压与电流关系的确定方法、装置和终端设备，其中，该方法包括根据预设的时间与忆阻器厚度比例之间对应关系，以及流经忆阻器的电流，确定电流从忆阻器的掺杂区域向忆阻器的非掺杂区域移动的速度，其中，忆阻器厚度比例为忆阻器的掺杂区域宽度与忆阻器的非掺杂区域宽度比值；根据速度、以及电流每次流经忆阻器的时间，得到忆阻器的掺杂区域的当前宽度；根据忆阻器的掺杂区域的当前宽度和电流，带确定忆阻器的电压与电流的关系式从而在电流流到了忆阻器的掺杂区边界、或非掺杂区边界的时候，计算得到忆阻器的电压不会发生突变，便于在将忆阻器应用到存储器等器件中的时候，采用忆阻器的电压值去对存储器等进行处理。
忆阻器电压电流关系确定方法装置终端设备

[发明专利]基于忆阻器的气体累积流量测量系统-CN201810628288.5有效
发明人：文常保;洪吉童;茹锋;胡馨月;全思;李演明;王飚;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G01F1/69 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的气体累积流量测量系统，包括气体流速换能器、忆阻器模块、忆阻器电压取值放大模块和换能器阻值稳定模块；气体流速换能器依次与忆阻器模块、换能器阻值稳定模块组成回路，忆阻器电压取值放大模块与忆阻器模块相连接；忆阻器模块包括正向忆阻器组和负向忆阻器组，正向忆阻器组和负向忆阻器组串联连接，正向忆阻器组Mf包括n个忆阻器Mf1，n个忆阻器Mf1串联连接，负向忆阻器组Mr包括n个忆阻器Mr1，n个忆阻器Mr1串联连接本发明不需要后期的运算电路或者处理器，实现了对气体累积流量的测量，适用于大气体累积流量、气体不稳定情况下长时间的持续测量，功耗低，测量范围大，结构简单。
基于忆阻器气体累积流量测量系统

[发明专利]忆阻器阵列模型的处理方法和装置-CN201811248669.7有效
发明人：臧新风;沈谅平;王浩;马国坤 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种忆阻器阵列模型的处理方法和装置，该方法包括：获取样本忆阻器在应用过程中的至少一组样本数据，其中样本数据包括电压数据和电流数据；将样本数据处理并存储至忆阻器模型的仿真程序文件中，根据所述忆阻器模型搭建忆阻器阵列；为忆阻器阵列中的每一个忆阻器对应的数据添加对应的标识符；将目标忆阻器的实时电压与通过对应的标识符确定的标准电压进行比较，确定目标忆阻器的阻值；将目标忆阻器的阻值作为反馈信号更新忆阻器阵列模型以更新目标忆阻器的阻值，当目标忆阻器的阻值满足设定的条件时，确定目标忆阻器阵列模型。减小了忆阻器模型和实际忆阻器特性之间的偏差，提高了对实际忆阻器的阵列误差分析以及特性分析的准确性。
忆阻器阵列模型处理方法装置

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