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[发明专利]在铝基体上制备仿贝壳结构钢基涂层的方法-CN201911008444.9有效
发明人：李文生;胡春莲;张绍兵;翟海民;何东青;张辛健;冯力 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种在铝基体上制备仿贝壳结构钢基涂层的方法，先将铁铝合金箔片与不锈钢箔片先后层叠铺展在铝基体表面，置于高真空加热炉中进行箔片—基体的粘吸处理，得到涂层预制体。然后用雾化不锈钢粉末和粒化碳化硅粉末为原料，通过超音速等离子双喷技术在涂层预制体表面制备钢结碳化硅金属陶瓷层，并将不锈钢箔片粘接在钢结碳化硅金属陶瓷层表面，再采用双喷技术得到金属陶瓷层，如此重复，最终在铝基体上完成仿贝壳结构钢基涂层的制备此方法具有涂层厚度控制精度高，工艺稳定性和重复性较强，可实现仿贝壳结构钢基涂层的强界面和高性能。
基体制备贝壳结构钢涂层方法

[发明专利]铝－碳化硅复合体和使用该复合体的散热零件-CN200680051032.8有效
发明人：广津留秀树;岩元豪;塚本秀雄;宫井明;佐佐木欣夫 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供适合作为电源模块用底板的铝－碳化硅复合体。该电源模块用底板是以铝为主要成分的金属浸渗入平板状碳化硅多孔体所形成的铝－碳化硅复合体，其特征在于，仅在一主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，在作为另一主面的背面上铝－碳化硅复合体露出，其形状为长方形或在长方形上附加了将外周部的孔部包围的部分而形成的形状通过在一主面上配置铝层来赋予可镀性，通过磨削加工背面使铝－碳化硅复合体露出来提高平面度，进而通过控制上述铝层的厚度来控制背面磨削加工后的翘曲形状。
碳化硅复合体使用散热零件

[发明专利]梯度铝基复合材料、其制备方法及应用-CN202111255394.1有效
发明人：高平平;刘春轩;曹柳絮;蒋兆汝;刘石亮;伍智敏;吴云;戴青松;谢屹;梁啟文 -专利权人：湖南金天铝业高科技股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本申请涉及梯度铝基复合材料、其制备方法及应用。该梯度铝基复合材料的制备方法，通过将不同碳化硅含量的铝基复合材料锭料软化后模压成形，然后按顺序叠置，再进行触变成形，可实现碳化硅颗粒呈现45％、35％、10％、5％、35％、45％的梯度分布，且相邻层之间形成良好的冶金结合将上述方法制备得到的梯度铝基复合材料用作汽车制动盘，不仅具有良好的高温强度、硬度和耐磨性等机械性能，而且可有效控制制动盘的膨胀和收缩能力，避免制动盘出现制动抖动等。
梯度复合材料制备方法应用

[发明专利]一种耐侵蚀的铝碳化硅浇注料及其制备方法-CN201910879458.1在审
发明人：尚学军;朱子江;黄锋;张兴华;杨政宏 -专利权人：江苏嘉耐高温材料有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐侵蚀的铝碳化硅浇注料，包括：铝矾土熟料，叶蜡石颗粒，回收碳化硅砖废料，二氧化硅微粉，铝酸盐水泥；一种耐侵蚀的铝碳化硅浇注料的制备方法，（1）将铝矾土熟料大块通过巴马克破碎成颗粒料，部分颗粒料通过雷蒙磨粉机得到铝矾土熟料细粉；（2）将铝矾土熟料细粉、二氧化硅微粉、回收碳化硅砖废料及铝酸盐水泥混合，同时加入添加剂，混合均匀后获得预混粉料；（3）再将预混粉料、步骤（1）剩余的铝矾土熟料颗粒和叶蜡石颗粒进一步混合，获得铝碳化硅浇注料；本发明采用叶蜡石和回收碳化硅砖废料组合，提升了浇注料的致密性、抗烧结能力及抗铁渣能力，同时使用回收碳化硅砖废料的骨料和细粉有固体废弃物循环再利用的功效。
铝矾土熟料碳化硅砖叶蜡石铝碳化硅浇注料细粉回收二氧化硅微粉铝酸盐水泥颗粒料耐侵蚀预混粉固体废弃物雷蒙磨粉机循环再利用浇注料抗烧结致密性大块骨料铁渣制备添加剂破碎

[发明专利]一种制备高体积分数铝基碳化硅颗粒增强复合材料方法-CN201110101412.0有效
发明人：刘韵妍;万绍平;舒阳会;胡盛青;海春英;吴凯峰;谭春林 -专利权人：湖南航天诚远精密机械有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高体积分数铝基碳化硅颗粒增强复合材料的方法，低温多段烧结，烧结温度明显低于国内外现有技术(＞1000℃)，由碳化硅粉，铝合金制成，碳化硅粉体积分数在50％～75％之间可调。
一种制备体积分数碳化硅颗粒增强复合材料方法

[发明专利]原位热压生成碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法-CN201710145709.4在审
发明人：侯小江;卢博;朱建锋;秦毅;马宁;李文君;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：原位热压生成碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法，将铝粉、硅粉、碳粉按一定摩尔比混合后，使用机械合金化进行研磨，将研磨后的球磨粉料通过采用高温保温烧结前预先加压工艺方式，进行保温加压，得到毛坯件，最后通过整形模中进行整形处理，得到合适的产品；本发明成功制备出了具有较高力学性能的碳化硅增强铝基复合材料，实现了对产品力学性能的控制。
原位热压生成碳化硅颗粒增强复合材料制备方法

[发明专利]高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料镀层及其制备方法-CN201910441172.5在审
发明人：冯立;刘云彦;李思振;崔庆新;白晶莹;李家峰;关宏伟;徐俊杰;佟晓波 -专利权人：北京卫星制造厂有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C18/36 文献下载
摘要：本发明涉及高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料镀层及其制备方法，高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料以下称“高体分SiCp/Al复合材料”，高体分SiCp/Al复合材料表面镀覆保证材料的导电、微波传输及焊接等功能
碳化硅颗粒增强铝基复合材料高体积分数复合材料镀层制备表面工程技术复合材料表面大功率微波相控阵天线微波传输载荷结构航天器导电等高镀覆焊接宇航电源保证

[发明专利]一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法-CN201310426982.6有效
发明人：舒阳会;胡娟 -专利权人：湖南航天工业总公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： B22F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法。为了解决现有的碳化硅IGBT基板骨架覆铝存在的覆铝不均匀，铝合金层存在细孔影响质量等问题，所述碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置包括置于真空压力浸渗炉内的陶瓷坩埚，设置在陶瓷坩埚底部的带孔石墨板；装在陶瓷坩埚内的多块碳化硅IGBT基板骨架和多块不锈钢陶瓷组合板；相邻两块碳化硅IGBT基板骨架之间设有一块与之平行布置的所述不锈钢陶瓷组合板；所述陶瓷坩埚的侧壁上开有用于固定所述碳化硅IGBT基板骨架或不锈钢陶瓷组合板的卡槽；本发明解决了铝碳化硅IGBT基板双面均匀覆铝合金的技术难题，陶瓷坩埚可重复使用，成本低，产量高、质量好，适合于批量生产。
一种碳化硅 igbt 骨架真空压力装置双面方法

[发明专利]一种在碳化硅陶瓷表面制备致密磷酸铝膜的方法-CN201810343384.5在审
发明人：白佳海;杜庆洋;李成峰 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：一种在碳化硅陶瓷表面制备致密磷酸铝膜的方法，其特征在于采用以下步骤：（1）把偏磷酸铝、磷酸铝、氧化铝按照摩尔比2：1：1的比例混合在一起，然后用干压法对混合后的粉体进行成型；（2）把干压成型坯体和碳化硅陶瓷置于高温炉内，并把成型坯体放在碳化硅陶瓷的正上方；（3）加热升温到900℃并保温60‑120分钟，然后随炉冷却到室温，即可在碳化硅陶瓷表面制得一层致密的玻璃薄膜；（4）把附有玻璃薄膜的碳化硅陶瓷加热到700℃并保温2小时，然后随炉冷却到室温，即可在碳化硅陶瓷表面制得致密磷酸铝膜。
碳化硅陶瓷致密磷酸铝膜表面制备玻璃薄膜随炉冷却保温成型坯体干压成型加热升温偏磷酸铝高温炉磷酸铝摩尔比氧化铝粉体干压坯体加热成型

[发明专利]一种铝碳化硅大功率LED散热器及其制备方法-CN202110791847.6在审
发明人：何岚;何娟;景文甲;汪震;王鹏冲 -专利权人：珠海亿特立新材料有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B22D23/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种铝碳化硅大功率LED散热器及其制备方法，包括：配料、球磨混合、造粒，进行原材料预处理得到造粒粉；造粒粉通过冷等静压技术成型碳化硅陶瓷预制件；将成型好的碳化硅预制件进行烧结；ZL101A铝合金熔炼得到铝合金熔液；通过真空压力熔渗法，将碳化硅陶瓷预制件放入钢制模具中，在真空环境下，采用高压惰性气体，在一定温度下，将熔融的铝合金熔液压入碳化硅陶瓷预制体孔隙中，进行热处理，制备出铝碳化硅铸件；对铝碳化硅成品进行表面金属化镀覆工艺处理，形成铝碳化硅大功率LED散热器。
一种碳化硅大功率 led 散热器及其制备方法

[发明专利]覆盖碳化硅颗粒粉体-CN201980061962.9有效
发明人：田口创万;鸭志田圭吾;加藤明裕;芦高圭史;三轮直也;桧木达也;下田一哉 -专利权人：福吉米株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供：包含烧结助剂和碳化硅颗粒的组合物的烧结体和包含其的成型体中能改善密度和机械强度的方案。本发明涉及一种覆盖碳化硅颗粒粉体，其包含：碳化硅颗粒、和覆盖前述碳化硅颗粒的覆盖层，前述覆盖层包含铝元素，前述碳化硅颗粒的每单位表面积的前述铝元素的质量为0.5mg/m2
覆盖碳化硅颗粒

[发明专利]一种铝碳化硅电子封装盒体连接器孔的制备方法-CN202010565120.1有效
发明人：高明起;熊德赣;贾进浩;白良昌;王强;刘道林;叶永贵 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及电子封装领域，公开了一种铝碳化硅电子封装盒体连接器孔的制备方法，本方法先按照设定的尺寸、结构制造碳化硅预制件，并在多孔碳化硅预制件上加工出电连接器孔、螺钉孔等机械特征；其次在孔内预填铝合金粉或块体，形成预镶嵌铝合金的碳化硅预制件；然后再采用真空气压浸渗的方式制备铝碳化硅坯体；最后，对胚体进行机械加工，将坯体加工至带电连接器孔的铝碳化硅盒体。本方法可解决铝碳化硅盒体难以机械加工电连接器孔的难题，适用于批量生产。制备的电连接器孔无铸造缺陷，无界面微观裂纹，具有良好的力学性能，可保证钎焊电连接器后盒体的气密性，可广泛用于微波集成电路、混合集成电路等需要加工电连接器孔的铝碳化硅盒体。
一种碳化硅电子封装连接器制备方法

[发明专利]碳化硅预制件废料的回收方法-CN201610239097.0有效
发明人：肖浩 -专利权人：湖南浩威特科技发展有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅预制件废料的回收方法，包括以下步骤：将碳化硅预制件废料粉碎后，造粒，筛选出粒径范围63μm～90μm的废粉。将废粉、粗碳化硅颗粒、细碳化硅颗粒按1.5～2:5～6:2.5～3的质量比混合得到混合粉体，加入粘结剂、塑化剂以及去离子水进行湿混，得到混合料，粗碳化硅颗粒的D50为70μm～80μm，细碳化硅颗粒的D50将预制件素坯烧结后浸铝，得到铝碳化硅复合材料。上述回收方法，解决碳化硅预制件废料造成环境污染，降低了生产成本，同时制得的铝碳化硅复合材料具有良好的热导率和热膨胀系数。
碳化硅预制件废料回收方法

[发明专利]一种碳化硅基复合电路板及其制备方法-CN201910128799.5在审
发明人：张性东;石岩;王伟;邱国林;惠东军;雷震;姜军;张春;焦玉振;王丽;张菲;张浩 -专利权人：国网河南省电力公司社旗县供电公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅基复合电路板及其制备方法，属于电路板技术领域，包括碳化硅基复合基板和印制在所述碳化硅基复合基板上的线路图，所述碳化硅基复合基板由以下重量份数原料制成：碳化硅50‑60份、玻璃粉20本发明以碳化硅和玻璃粉为主料，配合填料、粘结剂和助剂球磨、超声处理、喷雾造粒、三次烧结制得碳化硅基复合基板。
碳化硅基复合基板复合电路板玻璃粉碳化硅粘结剂基板制备电路板技术热膨胀系数线路图超声处理喷雾造粒稳定性能重量份数烧结粘合球磨合格率印制配合

[发明专利]一种碳化硅基电路板及其制备方法-CN201510023661.0有效
发明人：曾清隆;陈泽同 -专利权人：隆科电子（惠阳）有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅基电路板，包括碳化硅陶瓷基板和印制在所述碳化硅陶瓷基板一面或两面的金属线路图；所述碳化硅基电路板的制备方法包括配料步骤、压制成型步骤、烧结步骤、加工清洗步骤、网印步骤和还原步骤；本发明提供的碳化硅基电路板将线路板与散热板合二为一，节省资源，该碳化硅基电路板具有散热功效高、散热均匀性好、价格便宜、可用于大功率器件等优点，且具有一定的电磁防护功能；所述碳化硅基电路板的制备方法工艺简单、节省材料、安全环保、极大地降低了生产加工成本，
一种碳化硅电路板及其制备方法