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[发明专利]一种微波水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法-CN200810238965.9无效
发明人：张梅;周媛;郭敏;于九利 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷材料领域，涉及一种微波水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法，用于生产无铅压电陶瓷粉体，烧结K_0.5Na_0.5NbO₃本发明采用微波水热法合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体，合成温度低，粉体晶粒细小，均匀，直径约为几百个纳米左右，表面活性大，有利于后期陶瓷的烧结。
一种微波合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷方法

[发明专利]一种锆酸钙和钽掺杂的铌酸钾钠基压电陶瓷、其制备方法及应用-CN201911314941.1在审
发明人：高晓菊;周雅伟;满蓬;王成;张丛;张武 -专利权人：内蒙金属材料研究所
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料制备领域，尤其涉及一种锆酸钙和钽掺杂的铌酸钾钠基压电陶瓷、其制备方法及应用。本发明通过CaZrO3掺杂铌酸钾钠基陶瓷，可以较好地提高KNN基压电陶瓷的高压电性能，CaZrO3掺杂的KNN基陶瓷在同时，在CaZrO3‑KNN基陶瓷中掺入钽离子，在得到高致密度的无铅陶瓷情况下，使其仍保持良好的压电性能和温度稳定性。
一种锆酸钙掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷制备方法应用

[发明专利]一种高性能铌酸钾钠基无铅储能陶瓷的制备方法-CN202011283229.2在审
发明人：郇宇;王晓智;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电介质电容器材料领域，具体涉及一种高性能铌酸钾钠基无铅储能电容器陶瓷的制备方法。本发明的铌酸钾钠基陶瓷粉料采用工业原料经过固相法获得，陶瓷样品由独特的两段式烧结得到，样品的储能密度由电滞回线测试和计算得到。本发明实现了一种简便且有效获得高储能密度与效率的铌酸钾钠基储能陶瓷材料制备方法，对其他体系的储能陶瓷材料的制备具有借鉴意义。
一种性能铌酸钾钠基无铅储能陶瓷制备方法

[发明专利]一种多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法-CN202110694937.3有效
发明人：郇宇;侯立敏;王振行;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于压电陶瓷材料制备方法技术领域，具体涉及一种多元素掺杂的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法。所述多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷，其化学式为(Na0.52K0.48)Nb1‑x铌酸钾钠基无铅压电陶瓷在4kV/mm的电场下的逆压电系数一种多元掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌钽铁矿的钍铅年龄测试方法-CN202310494063.6在审
发明人：凌潇潇;刘宇;李献华;马红霞 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌钽铁矿的钍铅年龄测试方法，属于铌钽铁矿年龄确定领域。本发明利用至少两个已知年龄的铌钽铁矿作为标准样品，根据标准样品1的铅钍离子比的测试结果，得到铌钽铁矿铅钍离子比与钍离子比之间的正相关关系，通过标准样品2校正该相关关系，利用校正后的相关关系，计算得到待测铌钽铁矿的铅钍质量比得到待测铌钽铁矿的钍铅年龄
一种铁矿年龄测试方法

[发明专利]一种锆铌铅合金的冶炼方法及系统-CN201710183339.3在审
发明人：李建圃;樊晓东;修志浩;王晓东 -专利权人：南昌专腾科技有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆铌铅合金的冶炼方法及系统，该系统包括依次连接的锆铌铅电极块加工装置、真空充氩焊箱和真空自耗电弧炉。本发明的制备系统实现了锆铌铅合金的流水线式生产，大大提高了生产效率。本发明在常规锆铌合金的基础上，添加了铅，并通过锆、铌和铅比例关系以及冶炼条件的调整，大大提高了所得产品的力学性能、耐腐蚀性能和耐蠕变性等。经测试，本发明的锆铌铅合金具有良好的力学性能、耐腐蚀性能，而且耐蠕变性佳。
一种铅合金冶炼方法系统

[发明专利]一种从钨锡铜铅废渣回收钽铌的方法及该方法使用的平炉-CN201910931956.6有效
发明人：戴龙秀;钟桂云;毛秀妮;戴珍玲;邝贤语 -专利权人：株洲市炎陵县华南冶金科技有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种从钨锡铜铅废渣回收钽铌的方法，包括以下步骤：废渣破碎精选：将钨锡铜铅废渣精选，得到精选矿；熔炼：对精选矿进行熔炼，取上层矿渣；强磁选矿：将所得矿渣破碎后，使用强磁选矿，得到钽铌钨混合粒矿；焙烧：将所得钽铌钨混合粒矿与木炭、碳酸钠混合焙烧；浸出钨：将所得的混合物与水混合浸泡，过滤得到浸出渣；稀酸除硅：将所得浸出渣与稀盐酸混合，浸出过滤得到脱硅渣；烘干：将所得脱硅渣烘干得到人造铌钽精矿。
一种钨锡铜铅废渣回收方法使用平炉

[发明专利]新型铁电陶瓷铌钪酸钡-钛酸铅及其制备方法和用途-CN200810071328.7无效
发明人：龙西法;魏倩;王祖建;李修芝 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型压电陶瓷材料铌钪酸钡-钛酸铅的性能和制备方法和用途。本发明制备的陶瓷属于含铅少的环保型的压电陶瓷。
新型陶瓷铌钪酸钡钛酸铅及其制备方法用途

[发明专利]用于集成电路应用的镧系分层超晶格材料-CN02827688.4无效
发明人：卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约;拉里·D·麦克米伦;纳拉杨·索拉亚鹏 -专利权人：塞姆特里克斯公司
申请日： 2002-09-17 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：集成电路(40)包括分层超晶格材料(57)，该分层超晶格材料包括元素铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥中的一种或多种。优选地，它们也用于与下面这些元素中的一种或多种组合使用：锶、钙、钡、铋、镉、铅、钛、钽、铪、钨、铌、锆、铋、钪、钇、镧、锑、铬、铊、氧、氯和氟。
用于集成电路应用分层晶格材料

[发明专利]基于双位掺杂的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法与应用-CN202010334753.1有效
发明人：吴波;吴文娟;陈敏 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双位掺杂的铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法与应用，所述无铅电致伸缩陶瓷组分组成如下述通式所示:(1‑x‑y)(K0.6Na铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷具有良好的优异的电致伸缩应变、电致伸缩系数和温度稳定性，其电致伸缩应变可达0.1％、电致伸缩系数可达0.047m4/C2，且电致伸缩系数在室温至180℃的宽温区内保持稳定，可在驱动器和微位移控制器等电子器件中获得应用，对取代铅基电致伸缩材料具有重大意义。
基于掺杂铌酸钾钠基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种Sm改性铌镁酸铅-钛酸铅基压电铁电厚膜材料及其制备方法-CN201910538174.6在审
发明人：姜知水;文理;任巍;郑坤;庄建;董进杰 -专利权人：广东捷成科创电子股份有限公司;西安交通大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明属于铁电压电功能材料技术领域，公开了一种Sm改性铌镁酸铅‑钛酸铅基压电铁电厚膜材料，分子式为[Sm_x‑Pb_(1‑1.5x)][(Mg_1/y]O₃，其中0铌镁酸铅‑钛酸铅粉体；S3、将粉体与分散剂、粘结剂混合，得到浆料；S4、将浆料进行流延成型，干燥、切割、叠层后得到所需形状的生瓷片；S5、将生瓷片排粘、烧结，得到压电铁电厚膜材料。
厚膜材料压电铁电改性制备压电超声换能器钙钛矿相铌镁酸铅烧结生瓷片浆料铌镁酸铅-钛酸铅致密两步固相反应电功能材料化学计量比压电驱动器钛酸铅粉体流延成型显微结构压电性能制备工艺钛酸铅基分散剂粘结剂传感器称取叠层粉体切割

[发明专利]铪钛酸镥透明陶瓷材料及其制备方法-CN201510366243.1在审
发明人：安丽琼;董丽华;尹衍升 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及铪钛酸镥透明陶瓷材料及其制备方法，所述铪钛酸镥透明陶瓷材料的化学组成为Lu₂Ti_2-xHf_xO₇，其中0&本发明的铪钛酸镥透明陶瓷材料致密度高、晶粒小、透过率高，可满足窗口、激光介质、高折射率相机镜头、闪烁体基质等领域的应用要求。
铪钛酸镥透明陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠纳米棒阵列生长操作方法及其传感器件制作方法-CN202010007281.9有效
发明人：王钊;卢梦瑞;姜蕾;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-01-04 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：本发明公开一种铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法，所述传感器的制作包括：金属阻挡层的制备；铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长；上电极的制备等步骤。将钛酸锶衬底经过清洗烘干后，在其上采用光刻溅射法制做出铬/金的金属阻挡层；采用传统水热合成工艺，用氢氧化钾、氢氧化钠，五氧化二铌在高温高压下水热合成铌酸钾钠纳米棒阵列；将KNN纳米棒阵列放置在旋涂仪上后旋涂覆盖一层PMMA将KNN纳米棒包裹起来，然后进行磁控溅射，溅射完后拿掉掩膜版得到所需要的基于图形化无铅压电纳米棒阵列的压力分布式传感器；所述传感器能够有效监测压力的大小和位置，且能够自供电。
铌酸钾钠纳米阵列生长操作方法及其传感器件制作方法

[发明专利]超声波平板式压电振子-CN201010125331.X无效
发明人：王伟 -专利权人：王伟
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种超声波平板式压电振子，所述超声波平板式压电振子材料为铌锌-铌锡酸铅；化学分子式是Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTizZr1-x-y-zO3)；通过对铌锌-铌锡酸铅材料分子式中
超声波平板压电

[发明专利]弛豫铁电单晶铌钪酸铅-CN201310519614.6在审
发明人：王祖建;龙西法;李修芝;何超;刘颖;李涛;庞东方 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种弛豫铁电晶体铌钪酸铅。采用顶部籽晶晶体生长工艺对其进行生长，通过X-射线粉末衍射，确定该体系为钙钛矿结构，通过电学性能测量，分析了其铁电性和介电性。
弛豫铁电单晶铌钪酸铅