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[发明专利]一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法-CN201811053887.5有效
发明人：薄方;张莉;郝振中;高峰;张国权;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G02F1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单，精度高，可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。
一种制备微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔方法

[发明专利]基于铌酸锂微腔可调光频梳及其制备方法-CN201911171685.5有效
发明人：程亚;方致伟;卢涛;王哲;汪旻 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01S3/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂微腔可调光频梳及其制备方法，先利用飞秒激光直写结合化学机械抛光技术在铌酸锂薄膜材料上制备出铌酸锂微腔与集成电极，再通过集成电极对产生光频梳的铌酸锂微腔进行调控，进而实现基于铌酸锂微腔可调光频梳的微纳结构本发明基于铌酸锂微腔的可调光频梳具有空间形状可任意设计、尺寸可调、高调控效率和高调控范围的特点，在光钟、光通讯、精密光谱探测和量子计算等高科技领域具有很大应用前景。
基于铌酸锂微腔可调光及其制备方法

[发明专利]双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔及其制备方法-CN201710960370.3有效
发明人：程亚;方致伟;卢涛;林锦添;汪旻;乔玲玲 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：一种双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔，该微腔自上而下依次是第一铌酸锂圆盘、二氧化硅薄盘、第二铌酸锂圆盘、二氧化硅支柱和铌酸锂基底，及其制备方法，包括制备五层薄膜、加工柱状结构和化学腐蚀步骤。本发明双盘光学回音壁模式铌酸锂微腔具有极高的表面光洁度、小的模式体积与高的品质因子(实测10⁵，理论值可达10⁷)。
光学回音壁模式铌酸锂微腔及其制备方法

[发明专利]一种基于二维铌酸锂光子晶体的可调谐窄带滤波器-CN202310683507.0在审
发明人：刘波;王一凡;林炜;段少祥;刘海锋;姚远 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维铌酸锂光子晶体的可调谐窄带滤波器，所述滤波器采用二维铌酸锂光子晶体构成，所述二维铌酸锂光子晶体内构造有若干按三角形结构周期性排列的空气孔，所述滤波器还包括设置于二维铌酸锂光子晶体内并依次连接的入射波导、微腔谐振腔、出射波导，以及嵌入到所述二维铌酸锂光子晶体内并位于所述微腔谐振腔两侧的调制电极，通过改变两侧调制电极的加载电压以对选定的滤波中心波长进行微调。本发明的滤波器，通过加载电压的方式利用铌酸锂的电光效应改变微腔谐振腔的滤波中心波长，其尺寸小，结构紧凑，具有广泛的实用性。
一种基于二维铌酸锂光子晶体调谐窄带滤波器

[发明专利]基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统-CN202111340205.0在审
发明人：张云霄;孙文宝 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04B10/27 文献下载
摘要：本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统，包括自下而上依次层叠布置的基底晶片、下包层、铌酸锂薄膜以及上包层；铌酸锂薄膜上设有铌酸锂光波导；铌酸锂光波导包括依次连接的模斑转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、第三直波导和光学微腔波导；上包层上与第一直波导相对应的位置设有第一金属电极；第一金属电极、模斑转换波导以及第一直波导共同形成相位调制器；上包层上与光学微腔波导相对应的位置设有第二金属电极；第二金属电极、第三直波导以及光学微腔波导共同形成高Q微谐振器；铌酸锂薄膜上还设有与高Q微谐振器输出端相连接的探测器。
基于铌酸锂薄膜调谐集成微波芯片系统

[发明专利]薄膜铌酸锂微环滤波器阵列、光学矢量-矩阵乘法器-CN202111235183.1在审
发明人：尹志军;崔国新;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜铌酸锂微环滤波器阵列、光学矢量‑矩阵乘法器，包括薄膜铌酸锂微环滤波器阵列；第一目标行数及第一目标列数的薄膜铌酸锂微环滤波器、第一目标行数的薄膜铌酸锂输入波导以及第一目标行数的薄膜铌酸锂输出波导，每个所述薄膜铌酸锂微环滤波器都设置有一个驱动模块；所述驱动模块用于将对应的薄膜铌酸锂微环滤波器的初始谐振波长调整为目标谐振波长。本发明利用薄膜铌酸锂的电光效应特性来改变微环滤波器的谐振波长。使用本发明的薄膜铌酸锂微环滤波器阵列集成的光学矢量‑矩阵乘法器的功耗小，每字节小于20fJ。
薄膜铌酸锂微环滤波器阵列光学矢量矩阵乘法器

[发明专利]基于铌酸锂基底与PDMS微流道的键合方法及装置-CN202310044445.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海纬冉科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铌酸锂基底与PDMS微流道的键合方法及装置。所述键合方法包括：对所述铌酸锂基底与PDMS微流道进行清洗以去除杂质；利用氧等离子体轰击所述铌酸锂基底与PDMS微流道；将所述铌酸锂基底与PDMS微流道的待键合表面对齐；粘合所述铌酸锂基底与PDMS微流道的待键合表面；将粘合后的铌酸锂基底与PDMS微流道放在65℃至95℃的热板上烘烤，烘烤时在所述PDMS微流道上加压以继续键合。本发明能够提高铌酸锂基底与PDMS微流道的键合强度及稳定性。
基于铌酸锂基底 pdms 微流道方法装置

[发明专利]一种耐高温的铌酸锂电光调制器及其制备方法-CN202110536666.9在审
发明人：华平壤;张培 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种耐高温的铌酸锂电光调制器及其制备方法，耐高温的铌酸锂电光调制器包括：铌酸锂波导芯片；与铌酸锂波导芯片耦合的光纤；以及固定微槽，用于固定光纤，以实现光纤与铌酸锂波导芯片的耦合；铌酸锂波导芯片与固定微槽非工作区域均设置有一层金属膜铌酸锂波导芯片与固定微槽非工作区域均设置有一层金属膜，这样外部引入的温场可快速在铌酸锂波导芯片与固定微槽表面展开，减小温度差导致的热应力。
一种耐高温铌酸锂电光调制器及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法-CN201911192741.3有效
发明人：曾嵘;庄池杰;马昕雨;沈瞿欢;王华磊;吴长春 -专利权人：清华大学;天通瑞宏科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，形成微纳结构。通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。
一种铌酸锂薄膜表面制作光学图形方法

[发明专利]基于铌酸锂薄膜的宽带低相噪集成光生微波源芯片及系统-CN202111340226.2在审
发明人：张云霄;孙文宝 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的宽带低相噪集成光生微波源芯片，包括设置在铌酸锂薄膜上的铌酸锂光波导；铌酸锂光波导包括模斑转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第一Y分支波导、第二Y分支波导；第一Y分支波导与第二Y分支波导之间并联有第四直波导和第五直波导；第四直波导上连接有第一光学微腔波导；第五直波导上连接有第二光学微腔波导；模斑转换波导、第一直波导和第一金属电极共同形成相位调制器；第四直波导、第一光学微腔波导和第二金属电极共同形成高Q微谐振器；第五直波导、第二光学微腔波导和第三金属电极共同形成低Q微谐振器。
基于铌酸锂薄膜宽带低相噪集成微波芯片系统

[发明专利]一种基于声表面波的微构件非接触式操控装置及方法-CN202110855628.X在审
发明人：汪延成;盘何旻;梅德庆;许诚瑶;翁婉玉 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于声表面波的微构件非接触式操控装置及方法。装置包括铌酸锂晶片、波导基底、操控腔室和八个叉指电极，操控腔室的底面粘贴有波导基底，粘贴有波导基底的操控腔室固定安装在铌酸锂晶片的中心，微构件放置在操控腔室中，铌酸锂晶片上沿着操控腔室侧面依次固定安装有八个叉指电极，每一个叉指电极均与外部的信号发生器的输出通道相连，每一个叉指电极与其下方的铌酸锂晶片均构成一个声表面波叉指换能器。本发明能实现多种模式下的微构件可控非接触平移、组装以及旋转的精准调控，具有操作简便、可控性强、设备简单、非接触以及精度高等特点。
一种基于表面波构件接触操控装置方法

[发明专利]混合集成型片上光频梳及其制备方法-CN202110360256.3有效
发明人：王玲芳;时鑫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合集成型片上光频梳，包括依次相邻的硅基底、二氧化硅衬底和薄膜铌酸锂，薄膜铌酸锂上异质集成一层氮化硅波导；氮化硅波导包括横跨薄膜铌酸锂上表面的氮化硅直波导，以及位于氮化硅直波导一侧的氮化硅微环；氮化硅微环下方的薄膜铌酸锂为圆周极化薄膜铌酸锂。本发明的片上光频梳结合了周期极化铌酸锂与氮化硅波导的优良特性，避免了直接刻蚀铌酸锂的工艺要求，能够利用铌酸锂的高效非线性，简化工艺的同时保证了器件效能；圆周极化薄膜铌酸锂引入的准相位匹配与氮化硅波导的尺寸设计引入的色散波匹配技术相结合，使得对泵浦波的频率要求突破了单频率的限制，实现可调谐自由光谱范围的微环。
混合集成上光及其制备方法

[发明专利]基于薄膜铌酸锂平台的高速大范围波长调谐外腔激光器-CN202310711748.1在审
发明人：任烨凯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S3/08022 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂平台的高速大范围波长调谐外腔激光器，包括模斑转换器(SSC，spot size convertor)以及在薄膜铌酸锂芯片上集成制作的的三个级联微环和环形反射镜。采用薄膜铌酸锂材料来制作外腔波导，利用该材料优秀的电光效应，结合三个微环级联的外腔结构利用游标效应实现100nm以上的波长调谐范围和ns量级的波长切换速率，在光分组交换网络以及调频连续波(FMCW)激光雷达发射端和光学相控阵
基于薄膜铌酸锂平台高速范围波长调谐激光器

[发明专利]一种铌酸锂微环与波导集成器件及其制备方法-CN202010171007.5有效
发明人：程亚;方致伟;王哲;汪旻 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂微环与波导集成器件及其制备方法，利用化学机械抛光技术将两片铌酸锂薄膜基片上的微环和波导分别进行抛光减薄，再将这两片铌酸锂薄膜基片对齐贴合并用胶水固化，进而实现铌酸锂微环与波导集成器件本发明基于化学机械抛光工艺的铌酸锂微环与波导集成器件具有空间形状可任意设计、尺寸可调、稳固集成的特点，在光信号处理、精密测量、非线性光学和量子光学等高科技领域具有很大应用前景。
一种铌酸锂微环波导集成器件及其制备方法

[发明专利]基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法-CN201810536490.5有效
发明人：郑大怀;宋晓鹏;孔勇发;李文灿;贾龙飞;王烁琳;刘宏德;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
铌酸锂薄膜掺铁生长外延取向衬底制备脉冲激光沉积电光调制器提拉法生长铌酸锂单晶铁电薄膜微观尺度传感器纳米级铁电畴探测器靶材波导晶向微腔薄膜调控制作应用研究

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