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[发明专利]一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法-CN201811544365.5在审
发明人：刘国强 -专利权人：安徽升鸿电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅气凝胶的制备方法，包括以下步骤：将草酸铌、氢氧化镁加入乙二醇甲醚中，反应完成后，降至室温，得到铌镁前驱液；将醋酸铅加入铌镁前驱液中，搅拌反应，降至室温，得到铌镁铅前驱液；再将铌镁前驱液滴入铌镁铅前驱液中，不断搅拌，得到铌镁酸铅溶胶；向铌镁酸铅溶胶中滴加去离子水，搅拌后，密封静置直至形成铌镁酸湿凝胶，再密封老化，得老化后的铌镁酸铅湿凝胶；再将老化后的铌镁酸铅湿凝胶浸入有机溶剂中，每天更换一次有机溶剂，得到的铌镁酸铅湿凝胶置于超临界干燥釜内，经超临界干燥，得铌镁酸铅气凝胶，本发明制备得到的铌镁酸铅气凝胶纯度更高，粒度更小，温度稳定性、机械性能高，降低了污水的排放，节能环保。
铌镁酸铅前驱液铌镁气凝胶湿凝胶制备有机溶剂老化机械性能超临界干燥釜超临界干燥温度稳定性乙二醇甲醚搅拌反应节能环保密封静置氢氧化镁去离子水浸入草酸铌醋酸铅再密封铌镁酸滴加滴入污水排放

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN202310588092.9在审
发明人：汪尧进;丁冠中;张骥;李玲;王书豪;李响;王佳佳 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法。所述铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷的化学式为：xwt.本发明所述通过铌酸锰掺杂以及采用固相烧结法制备，获得具有较高的机械品质因数和优良压电系数的铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅(MnN‑PYN‑PZT)压电陶瓷，该压电陶瓷可以更好地满足大功率超声焊接机、超声探伤仪等大功率器件的基本性能需求
一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜-CN201010241301.5有效
发明人：李效民;何邕;高相东;冷雪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
利用等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜

[发明专利]弛豫型铁电单晶原料的制备方法-CN201410851375.9在审
发明人：徐卓;车俊;李振荣;王富贵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨
弛豫型铁电单晶原料制备方法

[发明专利]一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法-CN202110347455.0有效
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5
一种超低介电损耗铌锰酸铅铌镍酸铅锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法与应用-CN201910962768.X在审
发明人：鲁圣国;黄明峰;王世斌 -专利权人：广东工业大学;东莞华南设计创新院
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷技术领域，公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法和应用。所述铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷的化学通式为Pb(Mg
厚膜陶瓷陶瓷粉体制备铌镁酸铅钛酸铅制备方法和应用比例称取原料二次球磨功能陶瓷化学通式介电常数流延工艺流延浆料强度稳定球磨混合制备厚膜重要意义烧结极化分散剂两步法增塑剂粘结剂烘干溶剂称取储能粉体滚磨过筛生坯预烧

[发明专利]基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及制备方法-CN201710161580.6在审
发明人：朱本鹏;吴鹏飞;朱宇航;杨晓非;陈实;欧阳君;张悦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及其制备方法,该相控探头包括从下至上依次层叠的下电极、1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列、上电极阵列和柔性电路板；上电极阵列的阵元与其压电单晶阵列的阵元一一对应，柔性电路板上的印刷电路通道与上电极阵列的阵元对应；其制备方法包括采用光刻、刻蚀法进行切槽以形成1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列，并通过溅射工艺在铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列下底面的压电片上形成下电极，在该压电单晶阵列的上表面形成上电极，并采用柔性电路板为电极提供连接外部电路的引线；本发明提供的一维超声相控阵探头可承受更高的工作温度和电场。
基于 pin pmn pt 三元压电超声相控阵探头制备方法

[发明专利]压电单晶、压电单晶元件及其制造方法-CN200480030194.4有效
发明人：松下三芳;岩崎洋介 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：通过在镁铌酸铅－钛酸铅(PMN－PT)单晶或锌铌酸－钛酸铅(PZN－PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物，提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言，压电单晶具有复合钙钛矿结构，是一种含有35～98mol％的镁铌酸铅[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]或锌铌酸铅[Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]、0.1～64.9mol％的钛酸铅[PbTiO₃]以及0.05～30mol％的铟铌酸铅[Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃]的组成物，其特征在于：该组成物中的0.05～10mol％的铅被置换为钙。
压电元件及其制造方法

[发明专利]一种大功率压电陶瓷材料-CN90108248.1无效
发明人：邝安祥;周桃生;何昌鑫;柴荔英;谢菊芳 -专利权人：湖北大学
申请日： 1990-10-29 - 公布日： 1994-08-17 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明是对铌镁锆钛酸铅和铌锰锆钛酸铅进行了最佳组合和改性，从而获得在大功率使用下性能优异的铌镁酸铅，铌锰酸铅，锆酸铅，钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料。解决了大功率压电变压器材料问题。
一种大功率压电陶瓷材料

[发明专利]一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法-CN201610129276.9在审
发明人：田甜;刘文斌;李雨萌;徐家跃;储耀卿;雷云;周鼎;申慧 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法，将先合成的铌酸钾铅多晶料压成致密圆柱状料块，选择不同取向的高质量铌酸钾铅单晶作为籽晶，将籽晶装入坩埚底部的种井部位，然后将原料块装入坩埚，使原料块处于炉膛内高温区，7小时使多晶粉料充分熔融，坩埚下降速率为0.2~0.5mm/h；待原料全部结晶后，使坩埚处于炉膛恒温区，在1000~1200℃下保温，然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温，取出晶体，即可得到浅黄色铌酸钾铅压电单晶本发明实现了高质量铌酸钾铅单晶的生长，降低了单晶制备难度，极大提高了铌酸钾铅压电单晶的成品率。
一种铌酸钾铅压电制备方法

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法-CN201010117930.7无效
发明人：樊慧庆;陈晋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的铌镁酸铅-钛酸铅厚膜表面致密性差的技术问题，其技术方案是按照(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配料，制备出(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3粉体，所得粉体经电泳沉积厚膜后自然干燥，经甩胶法制备一层氧化铅表面溶胶凝胶膜，或经冷等静压处理后在高温下富铅气氛烧结，得到铌镁酸铅-钛酸铅厚膜由于采用电泳沉积法制备铌镁酸铅-钛酸铅厚膜，提高了Si3N4-SiO2复相陶瓷的表面致密性。
铌镁酸铅钛酸铅厚膜制备方法

[发明专利]具有高机电耦合系数的薄膜体声波谐振器及制备方法-CN202210254730.9在审
发明人：钟慧;胡杰;张小德;王华磊;刘湉隽;李天年;吴晓彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了具有高机电耦合系数的薄膜体声波谐振器及制备方法，属于MEMS谐振器技术领域；包括衬底和形成在衬底上的多层式压电结构，所述多层式压电结构由下至上依次包括下电极、压电薄膜层和上电极，所述压电薄膜层包括单晶压电薄膜，所述单晶压电薄膜为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅单晶，所述单晶压电薄膜采用晶体离子切片技术制备获得；本发明的机电耦合系数达到了28％以上，拓宽了铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅(PIMNT)材料在薄膜体声波滤波器领域的应用，满足了制备大带宽滤波器的要求
具有机电耦合系数薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]铌镁酸铅陶瓷粉体的制备方法-CN201010117926.0无效
发明人：樊慧庆;陈晋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅陶瓷的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的铌镁酸铅陶瓷粉体纯度低的技术问题，其技术方案是按照Pb(Mg1/3Nb2/3)O3配料，将六水硝酸镁溶于去离子水中，然后加入五氧化二铌粉体，超声振荡并搅拌得到均匀混合的悬浮液，然后用氨水调节pH值，待氢氧化镁沉淀吸附在五氧化二铌颗粒上，继续搅拌，再加入氧化铅粉体，继续搅拌，后烘干，得到的淡黄色粉体，将得到的淡黄色粉体以丙酮为介质球磨后烘干，经煅烧得到铌镁酸铅陶瓷粉体。由于采用半化学法单步制备铌镁酸铅陶瓷粉体，铌镁酸铅陶瓷粉体的纯度提高到了100％。
铌镁酸铅陶瓷制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺与应用-CN201911017852.0有效
发明人：龚文;吴超峰 -专利权人：桐乡清锋科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷及其制作工艺与其在屏幕发声元件中的应用。本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，采用复合掺杂的方法，通过工艺调节，制备成致密度高、压电响应大的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明同时提供一种采用上述铌酸钾钠无铅压电陶瓷制作的屏幕发声元件，通过压电阵列的设计，可实现屏幕定点发声。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺应用

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