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[发明专利]自旋极化和带隙可调的铋基硫属化合物层状材料-CN202211443189.2在审
发明人：贺园园;程娜;赵健伟 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋极化和带隙可调的铋基硫属化合物层状材料，属于半导体技术领域，本发明的利用自旋轨道耦合效应调控铋基硫属化合物层状材料包括顶层原子层、中间原子层、底层原子层；所述的顶层原子层中每个向顶层突出的铋原子沿垂直于中间原子层方向上连接一个硫属原子；所述的中间原子层由铋原子共价连接的椅式六元环重复连接组成，属六方晶系；所述的底层原子层中每个向底层突出的铋原子沿垂直于中间原子层方向上连接一个硫属原子；其中顶层原子层、底层原子层的硫属原子呈现交错平行的方式修饰在中间原子层的铋原子层上
自旋极化可调铋基硫属化合物层状材料

[发明专利]一种量子点红外探测器及其制备方法-CN202111496194.5在审
发明人：宋海胜;吕逸飞;杨霁 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：该红外探测器自下而上依次包括：底电极、电子传输层、量子点吸光层、空穴传输层和顶电极，所述电子传输层为铋基硫属化合物薄膜，所述铋基硫属化合物薄膜、量子点吸光层及空穴传输层形成N‑I‑P型异质结。
一种量子红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法-CN201010231825.6有效
发明人：陈立东;孙正亮;陈喜红;刘付胜聪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C23C18/31 文献下载
摘要：本发明属于热电材料领域，尤其涉及一种利用液相气相辅助法制备铋基硫族化合物热电薄膜的方法。所述方法首先利用液相法制备单质铋薄膜，然后以该铋薄膜为模板，以硫族元素单质为原料之一，通过气相传输工艺制得相应的铋基硫族化合物薄膜。所述方法首次将液相法和气相法联合使用制备出高结晶度、致密度和高性能的铋基硫族化合物热电薄膜，不但克服了液相法制备的薄膜电传输性能较差，而且克服了气相法的高成本、繁琐工艺等问题。
一种铋基硫族化合物热电薄膜制备方法

[发明专利]一种新型红外非线性光学晶体硫铟铋钡-CN201010197349.0有效
发明人：耿磊;程文旦;张浩;张炜龙;何长振;林晨升 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种新型红外非线性光学晶体硫铟铋钡，涉及光电材料领域。硫铟铋钡，其化学式为Ba2BiInS5，分子量758.78，属正交晶系，空间群Cmc21，单胞参数为alpha＝90.00°，beta＝90.00°，gamma＝90.00°，Z＝4。硫铟铋钡晶体具有优良的红外非线性光学性能，实验测定其粉末倍频系数约等于KTP的1倍。
一种新型红外非线性光学晶体硫铟铋钡

[发明专利]锂金属阳极的表面保护-CN202080031662.9在审
发明人：苏布拉曼亚·P·赫尔勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：所述第一保护膜选自铋硫属化物膜、铜硫属化物膜、锡硫属化物膜、镓硫属化物膜、锗硫属化物膜、铟硫属化物膜、银硫属化物膜、介电膜、氟化锂膜或这些膜的组合。
金属阳极表面保护

[发明专利]一种P型银铋硫基多晶块体热电材料、其制备方法及应用-CN202310050425.2在审
发明人：钱鑫;郭浩然;张晓雪;陈明敬;李志亮;王淑芳 -专利权人：河北大学
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型银铋硫基多晶块体热电材料、其制备方法及应用。该P型银铋硫基多晶块体热电材料的化学通式为AgBi3‑xS5.08，其中，0.3≤x≤0.6。本发明设计出铋元素摩尔比减少的P型银铋硫基多晶块体热电材料，选用纯度为99.9999％的原材料按比例称量后采用高温熔融法进行合成，得到密度不均匀、有诸多孔隙的P型银铋硫基铸锭，之后在玛瑙研钵中充分研磨成尺寸均匀的粉末，将粉末倒入石墨模具经过放电等离子体烧结，制得密度均匀的P型银铋硫基多晶块体热电材料。本发明首次制备出P型银铋硫基多晶块体热电材料，其材料获取容易，制备工艺简单，有潜力成为高性能中低温热电材料。
一种型银铋硫基多块体热电材料制备方法应用

[发明专利]用于可再充电蓄电池的活性材料-CN201180030365.3有效
发明人：松井雅树 -专利权人：丰田自动车工程及制造北美公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：在代表性的实例中，改善的活性材料包括15族硫属化物，特别是铋硫属化物，例如氧化铋或其它硫属化物。在各种实例中，改善的活性材料可用于示例的蓄电池的正电极或负电极中。
用于充电蓄电池活性材料

[发明专利]芸苔属蔬菜增补剂及其制备方法-CN96112262.5无效
发明人：Ｄ·Ｊ·普沙特里;Ｗ·Ｃ·蒋;Ｒ·Ｅ·Ａ·莱兹;Ｐ·Ｍ·施帕拉佐 -专利权人：美国安利有限公司
申请日： 1996-07-23 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： A23L1/212 文献下载
摘要：一种含至少50μg的1-异硫氰基-4R-[甲基亚硫酰基]丁烷和最多50μg的1-异硫氰基-4R-[甲基亚硫酰基]丁烷-腈的芸苔属蔬菜压片。一种制备芸苔属蔬菜产品的方法，包括钝化芸苔属蔬菜中内生的黑芥子硫苷酸酶，然后将蔬菜与外生的黑芥子硫苷酸酶混合。优选的方法包括用蒸汽热烫作为钝化内生黑芥子硫苷酸酶的方法。优选的方法还包括将辣根作为外生的黑芥子硫苷酸酶的来源。
芸苔属蔬菜增补及其制备方法

[发明专利]一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料及其制备方法-CN201811640602.8有效
发明人：葛振华;郭俊;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料及其制备方法。一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料，包括Bi2A3和掺杂有CuCl2的一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料的制备方法，包括对制备Bi2A3粉体和掺杂有CuCl2粉体和掺杂有CuCl2的Bi2A3的混合，形成利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料本发明解决了现有的调制掺杂的硫属铋基材料的热电性能不好的问题。
一种利用阻隔提升掺杂效果热电材料及其制备方法

[发明专利]银镁基硫属（硒属）化合物及银镁基硫属（硒属）非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202211254595.4在审
发明人：俞洪伟;陈佳乐;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及银镁基硫属(硒属)化合物及银镁基硫属(硒属)非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物及其晶体化学式通式为AgMg3Ga3<银镁基硫属(硒属)化合物采用真空高温固相反应法合成，银镁基硫属(硒属)非线性光学晶体采用布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
银镁基硫属硒属化合物非线性光学晶体及其制备方法用途

[发明专利]具有纳米结构的铅基硫属化合物合金颗粒及其制备方法-CN201811088767.9有效
发明人：郭生武;史忠旗;葛邦治;张哲健;张晓钰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米结构的铅基硫属化合物合金颗粒的制备方法，在多元醇溶液中合成Te纳米线溶液，再将高浓度亚硒酸或其亚硒酸盐溶液加入并持续反应，后加入铅的盐溶液，促使生成的铅基硫属化合物纳米线合金自组装成具有纳米结构的铅基硫属化合物颗粒本发明所合成的铅基硫属化合物合金不但形貌可控、比表面积高，而且产量高，制备条件要求低，易于产量化制备。
具有纳米结构铅基硫属化合物合金颗粒及其制备方法

[发明专利]一种铋硫基超导体及其制备方法-CN201711245901.7在审
发明人：陈永亮;崔雅静;王瑞龙;苏宇峰;赵勇 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：一种铋硫基超导体及其制备方法。该种铋硫基超导体的分子式为La1‑xTaxOBiS2，0.05≤x≤0.25。该种铋硫基超导体的超导性能稳定，制备简单。
一种铋硫基超导体及其制备方法

[发明专利]一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法-CN201811607595.1有效
发明人：许章炼;王盛;李帅鹏;苏钲雄;王洁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于绝缘体材料技术领域，具体涉及一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法，S1：将二氧化硅粉末、氢氧化钠粉末、氧化硼粉末、铋源化合物粉末和硫族元素单质粉末按照摩尔比为4:4:1:(0.05‑0.5)：(0.05‑0.5)混合均匀，得到混合物A；S2：将混合物A在900‑1100℃下进行高温熔融，之后冷却至室温，得到铋基拓扑绝缘体材料；S3：将S2得到的铋基拓扑绝缘体材料与异丙醇混合并进行研磨，得到铋基拓扑绝缘体材料粉末，然后将铋基拓扑绝缘体材料粉末分散于异丙醇中并进行超声分散，得到铋基拓扑绝缘体二维材料。该方法通过高温玻璃熔融法以及利用低成本原料让晶体在玻璃熔融体中自然生长，实现高质量层状铋基拓扑绝缘体二元及多元体系材料的制备。
一种拓扑绝缘体材料及其制备方法

[发明专利]一种Cr基硫属化合物硬磁纳米材料-CN201710042070.7在审
发明人：许小红;王芳;杜娟;马珍珍;张燕庆 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cr基硫属化合物硬磁纳米材料，Cr基硫属化合物硬磁纳米材料具有式(I)结构Cr2‑xMxTe3(I)，所述M选自3d过渡金属，0＜x≤0.4。本发明公开的Cr基硫属化合物硬磁纳米材料具有较高矫顽力，是一种新型无稀土硬磁纳米材料。
一种 cr 基硫属化合物纳米材料

[发明专利]一种镉基锑硫属化合物及其制备方法和应用-CN202111453169.9在审
发明人：刘畅;玉深深;刘晓艳;张皓然 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C07C211/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种镉基锑硫属化合物及其制备方法和应用。本发明得到的镉基锑硫属化合物，分子式为C8H26CdNiN6Sb26CdFeN6Sb2Se5，是含有过渡金属的新型硫属化合物本发明提供的以上镉基锑硫属化合物的制备方法，具有合成产率高，工艺和设备简单，可操作性和可调变性好，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的镉基锑硫属化合物，能隙分别1.56eV和1.55eV，可用于制备光学半导体器件。
一种镉基锑硫属化合物及其制备方法应用

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